|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
R5439Kxxxxx |
- |
- |
Nisshinbo Micro Devices |
高耐圧プロセス使用
絶対最大定格 : 32V
低消費電流
動作時 (セル電圧 4.15V, 4 セル時) : Typ. 4.0 µA
シャットダウン 1 : Typ.2.5 µA
シャットダウン 2 (スタンバイ時) : Max. 0.2 µA
出力電圧
レギュレータ内蔵: 2.9 V ~ 3.7 V (0.1 V ステップで選択可能)
出力電圧精度 : ± 2%
COUT 出力 (CMOS 出力アクティブ”H”) : Typ. 4.7V
高精度電圧検出機能
過充電検出電圧(VDET1n) : 4.20 V ~ 4.65 V (5 mV ステップで選択可能)
過充電検出電圧精度: ± 0.02 V (Ta = 25°C),
± 0.025 V (0°C < Ta < 60°C)
過充電復帰電圧(VREL1n): VDET1n-0V ~ VDET1n-0.4V (50mV ステップで選択可能)
ただし、最小値は 4.15V
過充電検出遅延時間(遅延回路内蔵) : 2- / 4- / 6-sec から選択可能
遅延短縮機能により遅延時間を 1/80 程度に短縮可能
過充電復帰電圧条件: 電圧復帰タイプ
シャットダウン機能
[シャットダウン 1]
シャットダウン 1 検出電圧: Typ. 3.8V ±0.3V
シャットダウン 1 検出遅延時間: なし
[シャットダウン 2]
シャットダウン 2 検出電圧(VSHT2n) :2.3 V ~ 2.8 V (100 mV ステップで選択可能)
シャットダウン 2 検出電圧精度: ± 0.05 V
シャットダウン 2 復帰電圧: VSHT2n + 0.2 V
シャットダウン 2 検出遅延時間(遅延回路内蔵): 2- / 4- / 6-sec から選択可能
IC 外部配線による 2 / 3 / 4 セル切り替え可能
タイマリセット遅延機能の選択
小型パッケージによる省スペース化
DFN (PL) 2020-8 : 2.0mm x 2.0mm |
- |
- |
R5439Kxxxxx |
2 / 3 / 4セル直列用 Liイオン/Liポリマー二次電池セカンドプロテクションIC |
18 |
- |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
Liイオン、Liポリマー二次電池保護 |
-40℃~85℃ |
- |
- |
- |
レギュレータ内蔵 |
動作時 Typ. 4.0µA(セル電圧 4.15V, 4 セル時) 、シャットダウン1時 Typ.2.5 µA、シャットダウン2 時(スタンバイ時) Max. 0.2 µA |
4.2V~4.65V |
- |
- |
- |
4 |
・過充電検出遅延
・過充電復帰遅延
・シャットダウン検出遅延
・タイマリセット遅延 |
不可 |
MSt_LiPRO_Nisshinbo_1st_R |
Liイオン電池保護 R5439Kxxxxx Nisshinbo Micro Devices 高耐圧プロセス使用
絶対最大定格 : 32V
低消費電流
動作時 (セル電圧 4.15V, 4 セル時) : Typ. 4.0 µA
シャットダウン 1 : Typ.2.5 µA
シャットダウン 2 (スタンバイ時) : Max. 0.2 µA
出力電圧
レギュレータ内蔵: 2.9 V ~ 3.7 V (0.1 V ステップで選択可能)
出力電圧精度 : ± 2%
COUT 出力 (CMOS 出力アクティブ”H”) : Typ. 4.7V
高精度電圧検出機能
過充電検出電圧(VDET1n) : 4.20 V ~ 4.65 V (5 mV ステップで選択可能)
過充電検出電圧精度: ± 0.02 V (Ta = 25°C),
± 0.025 V (0°C < Ta < 60°C)
過充電復帰電圧(VREL1n): VDET1n-0V ~ VDET1n-0.4V (50mV ステップで選択可能)
ただし、最小値は 4.15V
過充電検出遅延時間(遅延回路内蔵) : 2- / 4- / 6-sec から選択可能
遅延短縮機能により遅延時間を 1/80 程度に短縮可能
過充電復帰電圧条件: 電圧復帰タイプ
シャットダウン機能
[シャットダウン 1]
シャットダウン 1 検出電圧: Typ. 3.8V ±0.3V
シャットダウン 1 検出遅延時間: なし
[シャットダウン 2]
シャットダウン 2 検出電圧(VSHT2n) :2.3 V ~ 2.8 V (100 mV ステップで選択可能)
シャットダウン 2 検出電圧精度: ± 0.05 V
シャットダウン 2 復帰電圧: VSHT2n + 0.2 V
シャットダウン 2 検出遅延時間(遅延回路内蔵): 2- / 4- / 6-sec から選択可能
IC 外部配線による 2 / 3 / 4 セル切り替え可能
タイマリセット遅延機能の選択
小型パッケージによる省スペース化
DFN (PL) 2020-8 : 2.0mm x 2.0mm R5439Kxxxxx.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R5439Kxxxxx 2 / 3 / 4セル直列用 Liイオン/Liポリマー二次電池セカンドプロテクションIC 18 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 Liイオン、Liポリマー二次電池保護 -40℃ 85℃ レギュレータ内蔵 動作時 Typ. 4.0µA(セル電圧 4.15V, 4 セル時) 、シャットダウン1時 Typ.2.5 µA、シャットダウン2 時(スタンバイ時) Max. 0.2 µA 4.2V 4.65V 4 ・過充電検出遅延
・過充電復帰遅延
・シャットダウン検出遅延
・タイマリセット遅延 不可 MSt_LiPRO_Nisshinbo_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
R5613Lxxxxx |
- |
- |
Nisshinbo Micro Devices |
● 消費電流
通常モード: Typ. 2.5 µA / Max. 4.8 µA (0V電池充電”禁止”かつ2段階・放電過電流検出対応)
スタンバイモード:Max.0.2 μA (VDET2: 電圧復帰タイプ)
Max. 4.0 μA (VDET2: ラッチタイプ))
● 高精度電圧検出機能の範囲と精度
過充電検出電圧 (VDET1): 4.2 V ~ 4.7 V, ±20 mV,
過放電検出電圧 (VDET2): 2.1 V ~ 3.2 V, ±35 mV
放電過電流検出電圧1 (VDET31): 0.0070 V ~ 0.0300 V, ±1 mV
放電過電流検出電圧2 (VDET32): 0.011 V ~ 0.060 V, ±2 mV
充電過電流検出電圧 (VDET4): -0.0070 V ~ -0.0300 V, ±1 mV
短絡検出電圧 (VSHORT1): 0.030 V ≤ VSHORT1 ≤ 0.120 V, ±4 mV
0.120 V < VSHORT1 ≦ 0.200 V, ±5 mV
● RST端子機能タイプの選択: リセット/ 強制スタンバイ
● 0 V電池への充電機能の選択: 許可 / 禁止
0 V電池充電禁止電圧: 1.000 / 1.200 / 1.500 / 2.200 / 2.350 V
● 過充電 / 過放電復帰電圧タイプの選択: 電圧復帰 / ラッチ
● 放電過電流復帰タイプの選択:
電圧復帰1 (V- = VDD×0.8 V) / 電圧復帰2 (V- = 0.1 V) / ラッチ
● 2段階の放電過電流検出機能の選択: 可 / 不可 |
- |
- |
R5613Lxxxxx |
1セル 高精度過電流検出∙リセット端子機能付き Liイオン電池保護IC |
10 |
- |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
・スマートフォン, タブレットPC,
・ゲーム機器, 補聴器 |
-40℃~85℃ |
- |
- |
- |
・RST端子機能選択
・0 V電池充電禁止電圧選択
・過充電過放電復帰電圧タイプ選択
・放電過電流復帰タイプ選択
・2段階の放電過電流検出機能選択 |
Typ. 2.5 μA
(0V電池充電”禁止”かつ2段階・放電過電流検出対応)
Typ. 2.0 μA (上記以外) |
4.2V~4.7V |
2.1V~3.2V |
0.007V~0.06V |
-0.007V~-0.03V |
1 |
・過充電検出復帰遅延
・過放電検出復帰遅延
・放電過電流遅延
・放電過電流復帰遅延
・充電過電流検出復帰遅延
・RST端子機能検出復帰遅延 |
選択可 |
MSt_LiPRO_Nisshinbo_1st_R |
Liイオン電池保護 R5613Lxxxxx Nisshinbo Micro Devices ● 消費電流
通常モード: Typ. 2.5 µA / Max. 4.8 µA (0V電池充電”禁止”かつ2段階・放電過電流検出対応)
スタンバイモード:Max.0.2 μA (VDET2: 電圧復帰タイプ)
Max. 4.0 μA (VDET2: ラッチタイプ))
● 高精度電圧検出機能の範囲と精度
過充電検出電圧 (VDET1): 4.2 V ~ 4.7 V, ±20 mV,
過放電検出電圧 (VDET2): 2.1 V ~ 3.2 V, ±35 mV
放電過電流検出電圧1 (VDET31): 0.0070 V ~ 0.0300 V, ±1 mV
放電過電流検出電圧2 (VDET32): 0.011 V ~ 0.060 V, ±2 mV
充電過電流検出電圧 (VDET4): -0.0070 V ~ -0.0300 V, ±1 mV
短絡検出電圧 (VSHORT1): 0.030 V ≤ VSHORT1 ≤ 0.120 V, ±4 mV
0.120 V < VSHORT1 ≦ 0.200 V, ±5 mV
● RST端子機能タイプの選択: リセット/ 強制スタンバイ
● 0 V電池への充電機能の選択: 許可 / 禁止
0 V電池充電禁止電圧: 1.000 / 1.200 / 1.500 / 2.200 / 2.350 V
● 過充電 / 過放電復帰電圧タイプの選択: 電圧復帰 / ラッチ
● 放電過電流復帰タイプの選択:
電圧復帰1 (V- = VDD×0.8 V) / 電圧復帰2 (V- = 0.1 V) / ラッチ
● 2段階の放電過電流検出機能の選択: 可 / 不可 R5613Lxxxxx.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R5613Lxxxxx 1セル 高精度過電流検出∙リセット端子機能付き Liイオン電池保護IC 10 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ・スマートフォン, タブレットPC,
・ゲーム機器, 補聴器 -40℃ 85℃ ・RST端子機能選択
・0 V電池充電禁止電圧選択
・過充電過放電復帰電圧タイプ選択
・放電過電流復帰タイプ選択
・2段階の放電過電流検出機能選択 Typ. 2.5 μA
(0V電池充電”禁止”かつ2段階・放電過電流検出対応)
Typ. 2.0 μA (上記以外) 4.2V 4.7V 2.1V 3.2V 0.007V 0.06V -0.007V -0.03V 1 ・過充電検出復帰遅延
・過放電検出復帰遅延
・放電過電流遅延
・放電過電流復帰遅延
・充電過電流検出復帰遅延
・RST端子機能検出復帰遅延 選択可 MSt_LiPRO_Nisshinbo_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
R5464Kxxxxx |
- |
- |
Nisshinbo Micro Devices |
高耐圧プロセス使用
絶対最大定格: 30 V
• 消費電流が少ない
通常動作時: Typ. 6.0 μA (AD/ DD Ver.) Typ. 5.0 μA (CG Ver.)
スタンバイ時: Max. 0.1 µA
• 検出電圧精度が高い
アラーム検出精度: +10 mV/ −15 mV (0°C ~ 60°C)
過充電検出精度: +10 mV/ −15 mV (0°C ~ 50°C)
過放電検出精度: ±2.5%
放電過電流検出精度: ±15 mV
充電過電流検出精度: ±20 mV
• 検出電圧を任意に選択可能
アラーム検出電圧 (常温): 3.2 V ~ 4.4 V、0.005 V step
アラーム検出電圧差 (常温-高温): −0V ~ −0.150V、0.005V step
過充電検出電圧: 3.6 V ~ 4.50 V、0.005 V step
過放電検出電圧: 2.0 V ~ 3.0 V、0.005 V step
放電過電流検出電圧: 0.05 V ~ 0.24 V、0.005 V step
充電過電流検出電圧: −0.22 V ~ −0.1 V、0.005 V step
アラーム復帰ヒステリシス電圧: -0 V ~ -0.25 V、0.010 V step
過充電復帰ヒステリシス電圧 : -0 V ~ -0.25 V、0.010 V step
短絡検出電圧: 1.0 V、±0.4 V (固定値)
• 温度によるアラーム検出切替え
アラーム検出温度 (高温) : 45°C (固定値)
• 各検出時の遅延時間は内部固定
アラーム検出遅延時間: Typ.6ms (AD/CG Ver.), Typ.36ms(DD Ver.)
過充電検出遅延時間: Typ. 1.0 s
過放電検出遅延時間: Typ. 128 ms
放電過電流検出遅延時間: Typ.12 ms(AD/DD Ver.),Typ.1.6ms(CG Ver.)
充電過電流検出遅延時間: Typ. 8 ms
短絡検出遅延時間: Typ. 300 µs
• 遅延短縮機能
過充電検出遅延時間:約 1/ 60 に短縮可能
• 電池 0 V 時の充電選択可
• アラーム検出温度 (高温) に対してヒステリシス (5°C) の有無を選択可能
• 小型パッケージ : DFN(PL)2527-10 |
- |
- |
R5464Kxxxxx |
2セル Liイオン電池用 アラーム機能付き 高精度保護 IC |
14 |
- |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
・Li イオン/ Li ポリマー電池パックの過充電、過放電、過電流保護
・一眼レフカメラ等 Li イオン/ Li ポリマー電池使用機器での過充電、過放電、過電流保護 |
-40℃~85℃ |
- |
- |
- |
・温度によるアラーム検出切替え
・アラーム検出温度に対してヒステリシスの有無を選択可能
・遅延短縮機能 |
Typ. 6.0 μA (AD/ DD Ver.)
Typ. 5.0 μA (CG Ver.) |
3.6V~4.5V |
2V~3V |
0.05V~0.24V |
-0.22V~-0.1V |
2 |
・アラーム検出遅延
・過充電検出遅延
・過放電検出遅延
・放電過電流検出遅延
・充電過電流検出遅延
・短絡検出遅延 |
選択可 |
MSt_LiPRO_Nisshinbo_1st_R |
Liイオン電池保護 R5464Kxxxxx Nisshinbo Micro Devices 高耐圧プロセス使用
絶対最大定格: 30 V
• 消費電流が少ない
通常動作時: Typ. 6.0 μA (AD/ DD Ver.) Typ. 5.0 μA (CG Ver.)
スタンバイ時: Max. 0.1 µA
• 検出電圧精度が高い
アラーム検出精度: +10 mV/ −15 mV (0°C ~ 60°C)
過充電検出精度: +10 mV/ −15 mV (0°C ~ 50°C)
過放電検出精度: ±2.5%
放電過電流検出精度: ±15 mV
充電過電流検出精度: ±20 mV
• 検出電圧を任意に選択可能
アラーム検出電圧 (常温): 3.2 V ~ 4.4 V、0.005 V step
アラーム検出電圧差 (常温-高温): −0V ~ −0.150V、0.005V step
過充電検出電圧: 3.6 V ~ 4.50 V、0.005 V step
過放電検出電圧: 2.0 V ~ 3.0 V、0.005 V step
放電過電流検出電圧: 0.05 V ~ 0.24 V、0.005 V step
充電過電流検出電圧: −0.22 V ~ −0.1 V、0.005 V step
アラーム復帰ヒステリシス電圧: -0 V ~ -0.25 V、0.010 V step
過充電復帰ヒステリシス電圧 : -0 V ~ -0.25 V、0.010 V step
短絡検出電圧: 1.0 V、±0.4 V (固定値)
• 温度によるアラーム検出切替え
アラーム検出温度 (高温) : 45°C (固定値)
• 各検出時の遅延時間は内部固定
アラーム検出遅延時間: Typ.6ms (AD/CG Ver.), Typ.36ms(DD Ver.)
過充電検出遅延時間: Typ. 1.0 s
過放電検出遅延時間: Typ. 128 ms
放電過電流検出遅延時間: Typ.12 ms(AD/DD Ver.),Typ.1.6ms(CG Ver.)
充電過電流検出遅延時間: Typ. 8 ms
短絡検出遅延時間: Typ. 300 µs
• 遅延短縮機能
過充電検出遅延時間:約 1/ 60 に短縮可能
• 電池 0 V 時の充電選択可
• アラーム検出温度 (高温) に対してヒステリシス (5°C) の有無を選択可能
• 小型パッケージ : DFN(PL)2527-10 R5464Kxxxxx.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R5464Kxxxxx 2セル Liイオン電池用 アラーム機能付き 高精度保護 IC 14 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ・Li イオン/ Li ポリマー電池パックの過充電、過放電、過電流保護
・一眼レフカメラ等 Li イオン/ Li ポリマー電池使用機器での過充電、過放電、過電流保護 -40℃ 85℃ ・温度によるアラーム検出切替え
・アラーム検出温度に対してヒステリシスの有無を選択可能
・遅延短縮機能 Typ. 6.0 μA (AD/ DD Ver.)
Typ. 5.0 μA (CG Ver.) 3.6V 4.5V 2V 3V 0.05V 0.24V -0.22V -0.1V 2 ・アラーム検出遅延
・過充電検出遅延
・過放電検出遅延
・放電過電流検出遅延
・充電過電流検出遅延
・短絡検出遅延 選択可 MSt_LiPRO_Nisshinbo_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
R5486KxxxCx |
- |
- |
Nisshinbo Micro Devices |
• 絶対最大定格: 30 V
• 消費電流 (ノーマルモード) : Typ. 4.0 µA
• 消費電流 (スタンバイモード): Max. 0.1 µA
[検出電圧精度]
• 過充電検出電圧: ±20 mV (VDET1≦4.5 V)、±25 mV (4.5 V<VDET1)
• 過放電検出電圧: ±35 mV
• 放電過電流1 (VDET31): ±8% (VDET31≧0.038 V)、±3.1 mV (VDET31 < 0.038 V)
• 放電過電流2 (VDET32): ±8% (VDET32≧0.038 V)、±3.1 mV (VDET32 < 0.038 V)
• 短絡検出電圧: ±45 mV
• 充電過電流 : ±15% (VDET4≦-0.02 V)、±3 mV (VDET4 > -0.02 V)
[検出電圧範囲]
• 過充電検出電圧: 4.1 V ~ 4.6 V, 0.005 V単位
• 過放電検出電圧: 2.1 V ~ 3.0 V, 0.050 V単位
• 短絡検出電圧: 0.15 V −0.30 V, 0.01 V単位
• 充電過電流 : −0.060 V ~ −0.015 V, 0.001 V単位
• 充電不可能最大電圧: 0.7 Vまたは1.5 V
[検出電圧範囲 (R5486KxxxCG)]
• 放電過電流1 (VDET31): 0.015V ~ 0.046V, 0.001 V単位
• 放電過電流2 (VDET32): .0.030 V ~ 0.080 V, 0.001 V単位
[検出電圧範囲 (R5486KxxxCM)]
• 放電過電流1 (VDET31): なし
• 放電過電流2 (VDET32): .0.025 V ~ 0.080 V, 0.001 V単位
[遅延時間]
• 過充電検出遅延 (tVDET1): 1.0 s
• 過放電検出遅延 (tVDET2): 20 ms
• 放電過電流検出遅延2 (tVDET32): 12 ms
• 充電過電流検出遅延 (tVDET4): 16 ms
• 短絡検出遅延 (tSHORT): 250 µs
[遅延時間](R5486KxxxCG)
• 放電過電流検出遅延1 : 3s、4s、5sから選択可能
[機能]
• 0-V 電池充電オプション: なし
• 遅延時間短縮機能
COUT出力が“High”レベルの場合にV−端子を−2.0 Vにすると過充電検出および過放電検出が短縮されます。
過充電検出遅延時間は約1/100に短縮可能です。
• 過充電検出解除: ラッチタイプ
• 過放電検出解除: ラッチタイプ
• パッケージ : DFN(PL)1414-6 |
- |
- |
R5486KxxxCx |
Liイオン、Liポリマー電池1-Cell用保護IC |
8 |
- |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
・Liイオン、Liポリマー電池パックの過充電、過放電、過電流保護
・スマートフォン等Liイオン、Liポリマー電池使用機器での高精度保護 |
-40℃~85℃ |
- |
- |
- |
・遅延時間短縮機能
・過充電検出解除:ラッチタイプ
・過放電検出解除:ラッチタイプ |
通常 Typ. 4.0 µA、スタンバイ Max 0.1 µA |
4.1V~4.6V |
2.1V~3V |
0.015V~0.08V |
-0.06V~-0.015V |
1 |
・過充電検出遅延
・過放電検出遅延
・放電過電流検出遅延
・充電過電流検出遅延
・短絡検出遅延 |
不可 |
MSt_LiPRO_Nisshinbo_1st_R |
Liイオン電池保護 R5486KxxxCx Nisshinbo Micro Devices • 絶対最大定格: 30 V
• 消費電流 (ノーマルモード) : Typ. 4.0 µA
• 消費電流 (スタンバイモード): Max. 0.1 µA
[検出電圧精度]
• 過充電検出電圧: ±20 mV (VDET1≦4.5 V)、±25 mV (4.5 V<VDET1)
• 過放電検出電圧: ±35 mV
• 放電過電流1 (VDET31): ±8% (VDET31≧0.038 V)、±3.1 mV (VDET31 < 0.038 V)
• 放電過電流2 (VDET32): ±8% (VDET32≧0.038 V)、±3.1 mV (VDET32 < 0.038 V)
• 短絡検出電圧: ±45 mV
• 充電過電流 : ±15% (VDET4≦-0.02 V)、±3 mV (VDET4 > -0.02 V)
[検出電圧範囲]
• 過充電検出電圧: 4.1 V ~ 4.6 V, 0.005 V単位
• 過放電検出電圧: 2.1 V ~ 3.0 V, 0.050 V単位
• 短絡検出電圧: 0.15 V −0.30 V, 0.01 V単位
• 充電過電流 : −0.060 V ~ −0.015 V, 0.001 V単位
• 充電不可能最大電圧: 0.7 Vまたは1.5 V
[検出電圧範囲 (R5486KxxxCG)]
• 放電過電流1 (VDET31): 0.015V ~ 0.046V, 0.001 V単位
• 放電過電流2 (VDET32): .0.030 V ~ 0.080 V, 0.001 V単位
[検出電圧範囲 (R5486KxxxCM)]
• 放電過電流1 (VDET31): なし
• 放電過電流2 (VDET32): .0.025 V ~ 0.080 V, 0.001 V単位
[遅延時間]
• 過充電検出遅延 (tVDET1): 1.0 s
• 過放電検出遅延 (tVDET2): 20 ms
• 放電過電流検出遅延2 (tVDET32): 12 ms
• 充電過電流検出遅延 (tVDET4): 16 ms
• 短絡検出遅延 (tSHORT): 250 µs
[遅延時間](R5486KxxxCG)
• 放電過電流検出遅延1 : 3s、4s、5sから選択可能
[機能]
• 0-V 電池充電オプション: なし
• 遅延時間短縮機能
COUT出力が“High”レベルの場合にV−端子を−2.0 Vにすると過充電検出および過放電検出が短縮されます。
過充電検出遅延時間は約1/100に短縮可能です。
• 過充電検出解除: ラッチタイプ
• 過放電検出解除: ラッチタイプ
• パッケージ : DFN(PL)1414-6 R5486KxxxCx.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R5486KxxxCx Liイオン、Liポリマー電池1-Cell用保護IC 8 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ・Liイオン、Liポリマー電池パックの過充電、過放電、過電流保護
・スマートフォン等Liイオン、Liポリマー電池使用機器での高精度保護 -40℃ 85℃ ・遅延時間短縮機能
・過充電検出解除:ラッチタイプ
・過放電検出解除:ラッチタイプ 通常 Typ. 4.0 µA、スタンバイ Max 0.1 µA 4.1V 4.6V 2.1V 3V 0.015V 0.08V -0.06V -0.015V 1 ・過充電検出遅延
・過放電検出遅延
・放電過電流検出遅延
・充電過電流検出遅延
・短絡検出遅延 不可 MSt_LiPRO_Nisshinbo_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|