モジュール詳細

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電源管理・システム管理
R5613Lxxxxxお気に入りリストに追加

メーカー
Nisshinbo Micro Devices
主要部品型名
R5613Lxxxxx

モジュール仕様・特長

● 消費電流
通常モード: Typ. 2.5 µA / Max. 4.8 µA (0V電池充電”禁止”かつ2段階・放電過電流検出対応)
スタンバイモード:Max.0.2 μA (VDET2: 電圧復帰タイプ)
Max. 4.0 μA (VDET2: ラッチタイプ))
● 高精度電圧検出機能の範囲と精度
過充電検出電圧 (VDET1): 4.2 V ~ 4.7 V, ±20 mV,
過放電検出電圧 (VDET2): 2.1 V ~ 3.2 V, ±35 mV
放電過電流検出電圧1 (VDET31): 0.0070 V ~ 0.0300 V, ±1 mV
放電過電流検出電圧2 (VDET32): 0.011 V ~ 0.060 V, ±2 mV
充電過電流検出電圧 (VDET4): -0.0070 V ~ -0.0300 V, ±1 mV
短絡検出電圧 (VSHORT1): 0.030 V ≤ VSHORT1 ≤ 0.120 V, ±4 mV
0.120 V < VSHORT1 ≦ 0.200 V, ±5 mV
● RST端子機能タイプの選択: リセット/ 強制スタンバイ
● 0 V電池への充電機能の選択: 許可 / 禁止
0 V電池充電禁止電圧: 1.000 / 1.200 / 1.500 / 2.200 / 2.350 V
● 過充電 / 過放電復帰電圧タイプの選択: 電圧復帰 / ラッチ
● 放電過電流復帰タイプの選択:
電圧復帰1 (V- = VDD×0.8 V) / 電圧復帰2 (V- = 0.1 V) / ラッチ
● 2段階の放電過電流検出機能の選択: 可 / 不可

部品リスト

記号メーカー名型式数量部品イメージWxDxH [mm]
IC1Nisshinbo Micro DevicesR5613Lxxxxx1 IC1 1.6x1.6x0.4
C1、C2-設計条件により決定2 C1、C2 -
Q1、Q2-設計条件により決定2 Q1、Q2 -
R1-設計条件により決定1 R1 -
R2-設計条件により決定1 R2 -
R3、R4-設計条件により決定2 R3、R4 -
V1-設計条件により決定1 V1 -

回路図

基板図

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