 高耐圧プロセス使用
絶対最大定格 : 32V
 低消費電流
動作時 (セル電圧 4.15V, 4 セル時) : Typ. 4.0 µA
シャットダウン 1 : Typ.2.5 µA
シャットダウン 2 (スタンバイ時) : Max. 0.2 µA
 出力電圧
レギュレータ内蔵: 2.9 V ~ 3.7 V (0.1 V ステップで選択可能)
出力電圧精度 : ± 2%
COUT 出力 (CMOS 出力アクティブ”H”) : Typ. 4.7V
 高精度電圧検出機能
過充電検出電圧(VDET1n) : 4.20 V ~ 4.65 V (5 mV ステップで選択可能)
過充電検出電圧精度: ± 0.02 V (Ta = 25°C),
± 0.025 V (0°C < Ta < 60°C)
過充電復帰電圧(VREL1n): VDET1n-0V ~ VDET1n-0.4V (50mV ステップで選択可能)
ただし、最小値は 4.15V
過充電検出遅延時間(遅延回路内蔵) : 2- / 4- / 6-sec から選択可能
遅延短縮機能により遅延時間を 1/80 程度に短縮可能
過充電復帰電圧条件: 電圧復帰タイプ
 シャットダウン機能
[シャットダウン 1]
シャットダウン 1 検出電圧: Typ. 3.8V ±0.3V
シャットダウン 1 検出遅延時間: なし
[シャットダウン 2]
シャットダウン 2 検出電圧(VSHT2n) :2.3 V ~ 2.8 V (100 mV ステップで選択可能)
シャットダウン 2 検出電圧精度: ± 0.05 V
シャットダウン 2 復帰電圧: VSHT2n + 0.2 V
シャットダウン 2 検出遅延時間(遅延回路内蔵): 2- / 4- / 6-sec から選択可能
 IC 外部配線による 2 / 3 / 4 セル切り替え可能
 タイマリセット遅延機能の選択
 小型パッケージによる省スペース化
DFN (PL) 2020-8 : 2.0mm x 2.0mm