モジュール詳細

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電源管理・システム管理
R5486KxxxCxお気に入りリストに追加

メーカー
Nisshinbo Micro Devices
主要部品型名
R5486KxxxCx

モジュール仕様・特長

• 絶対最大定格: 30 V
• 消費電流 (ノーマルモード) : Typ. 4.0 µA
• 消費電流 (スタンバイモード): Max. 0.1 µA
[検出電圧精度]
• 過充電検出電圧: ±20 mV (VDET1≦4.5 V)、±25 mV (4.5 V • 過放電検出電圧: ±35 mV
• 放電過電流1 (VDET31): ±8% (VDET31≧0.038 V)、±3.1 mV (VDET31 < 0.038 V)
• 放電過電流2 (VDET32): ±8% (VDET32≧0.038 V)、±3.1 mV (VDET32 < 0.038 V)
• 短絡検出電圧: ±45 mV
• 充電過電流 : ±15% (VDET4≦-0.02 V)、±3 mV (VDET4 > -0.02 V)
[検出電圧範囲]
• 過充電検出電圧: 4.1 V ~ 4.6 V, 0.005 V単位
• 過放電検出電圧: 2.1 V ~ 3.0 V, 0.050 V単位
• 短絡検出電圧: 0.15 V −0.30 V, 0.01 V単位
• 充電過電流 : −0.060 V ~ −0.015 V, 0.001 V単位
• 充電不可能最大電圧: 0.7 Vまたは1.5 V
[検出電圧範囲 (R5486KxxxCG)]
• 放電過電流1 (VDET31): 0.015V ~ 0.046V, 0.001 V単位
• 放電過電流2 (VDET32): .0.030 V ~ 0.080 V, 0.001 V単位
[検出電圧範囲 (R5486KxxxCM)]
• 放電過電流1 (VDET31): なし
• 放電過電流2 (VDET32): .0.025 V ~ 0.080 V, 0.001 V単位
[遅延時間]
• 過充電検出遅延 (tVDET1): 1.0 s
• 過放電検出遅延 (tVDET2): 20 ms
• 放電過電流検出遅延2 (tVDET32): 12 ms
• 充電過電流検出遅延 (tVDET4): 16 ms
• 短絡検出遅延 (tSHORT): 250 µs
[遅延時間](R5486KxxxCG)
• 放電過電流検出遅延1 : 3s、4s、5sから選択可能
[機能]
• 0-V 電池充電オプション: なし
• 遅延時間短縮機能
COUT出力が“High”レベルの場合にV−端子を−2.0 Vにすると過充電検出および過放電検出が短縮されます。
過充電検出遅延時間は約1/100に短縮可能です。
• 過充電検出解除: ラッチタイプ
• 過放電検出解除: ラッチタイプ
• パッケージ : DFN(PL)1414-6

部品リスト

記号メーカー名型式数量部品イメージWxDxH [mm]
IC1Nisshinbo Micro DevicesR5486KxxxCx1 IC1 1.4x1.4x0.4
C1-設計条件により決定1 C1 -
Q1、Q2-設計条件により決定2 Q1、Q2 -
R1-設計条件により決定1 R1 -
R2-設計条件により決定1 R2 -
R3-設計条件により決定1 R3 -
V1-設計条件により決定1 V1 -

回路図

基板図

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