モジュール詳細

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電源管理・システム管理
R5464Kxxxxxお気に入りリストに追加

メーカー
Nisshinbo Micro Devices
主要部品型名
R5464Kxxxxx

モジュール仕様・特長

高耐圧プロセス使用
絶対最大定格: 30 V
• 消費電流が少ない
通常動作時: Typ. 6.0 μA (AD/ DD Ver.) Typ. 5.0 μA (CG Ver.)
スタンバイ時: Max. 0.1 µA
• 検出電圧精度が高い
アラーム検出精度: +10 mV/ −15 mV (0°C ~ 60°C)
過充電検出精度: +10 mV/ −15 mV (0°C ~ 50°C)
過放電検出精度: ±2.5%
放電過電流検出精度: ±15 mV
充電過電流検出精度: ±20 mV
• 検出電圧を任意に選択可能
アラーム検出電圧 (常温): 3.2 V ~ 4.4 V、0.005 V step
アラーム検出電圧差 (常温-高温): −0V ~ −0.150V、0.005V step
過充電検出電圧: 3.6 V ~ 4.50 V、0.005 V step
過放電検出電圧: 2.0 V ~ 3.0 V、0.005 V step
放電過電流検出電圧: 0.05 V ~ 0.24 V、0.005 V step
充電過電流検出電圧: −0.22 V ~ −0.1 V、0.005 V step
アラーム復帰ヒステリシス電圧: -0 V ~ -0.25 V、0.010 V step
過充電復帰ヒステリシス電圧 : -0 V ~ -0.25 V、0.010 V step
短絡検出電圧: 1.0 V、±0.4 V (固定値)
• 温度によるアラーム検出切替え
アラーム検出温度 (高温) : 45°C (固定値)
• 各検出時の遅延時間は内部固定
アラーム検出遅延時間: Typ.6ms (AD/CG Ver.), Typ.36ms(DD Ver.)
過充電検出遅延時間: Typ. 1.0 s
過放電検出遅延時間: Typ. 128 ms
放電過電流検出遅延時間: Typ.12 ms(AD/DD Ver.),Typ.1.6ms(CG Ver.)
充電過電流検出遅延時間: Typ. 8 ms
短絡検出遅延時間: Typ. 300 µs
• 遅延短縮機能
過充電検出遅延時間:約 1/ 60 に短縮可能
• 電池 0 V 時の充電選択可
• アラーム検出温度 (高温) に対してヒステリシス (5°C) の有無を選択可能
• 小型パッケージ : DFN(PL)2527-10

部品リスト

記号メーカー名型式数量部品イメージWxDxH [mm]
IC1Nisshinbo Micro DevicesR5464Kxxxxx1 IC1 2.7x2.5x0.6
C1、C2-設計条件により決定2 C1、C2 -
Q1、Q2-設計条件により決定2 Q1、Q2 -
R1、R2、R5-設計条件により決定3 R1、R2、R5 -
R3-設計条件により決定1 R3 -
R4-設計条件により決定1 R4 -
R6-設計条件により決定1 R6 -
TH1-設計条件により決定1 TH1 -
V1、V2-設計条件により決定2 V1、V2 -

回路図

基板図

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