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NV3600DCxxxAC |
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Nisshinbo Micro Devices |
NV3600 |
●入力電圧範囲 (最大定格): 2.4 V to 6.0 V (7.0 V)
●SENSE 端子電圧範囲 (最大定格):0 V to 42.0 V (50.0 V)
●動作温度範囲: -40 °C to 105 °C
●自己消費電流: Typ. 1.4 μA (VDD 端子のみ) Max. 4.0 μA (SENSE 端子電流を含む)
●検出電圧: 3.3 V to 19.8 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
●解除電圧: 4.5 V to 22.2 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
●検出遅延時間: Typ. 40 μs
●解除遅延時間: Typ. 40 μs
●出力形態: NMOS オープンドレイン |
- |
NV3600DCxxxAC |
CMOS 出力対応 SENSE 端子 高耐圧ボルテージディテクタ |
2 |
- |
NV3600 は CMOS プロセスを用いたボルテージディテクタです。SENSE 端子が 42 V の高耐圧であるため、バッテリー電圧を直接監視することが可能です。さらに、検出電圧と解除電圧を個別に設定することができ、検出時の出力論理も "Low" or"High" を選択可能です。そのためシステムの機能に合わせて、最適な動作を実現することができます。 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
FA 機器の電圧監視
PLC など制御装置の電圧監視
携帯用などバッテリー駆動製品の電圧監視 |
- |
-40℃~105℃ |
3.3V~19.8V |
- |
- |
2.4V~6V |
固定 |
- |
オープンドレイン |
Low,High |
5 |
SOT-23-5-DC |
SOP系 |
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MSt_RST_Nisshinbo_3rd_R |
電圧検出/リセット NV3600DCxxxAC Nisshinbo Micro Devices ●入力電圧範囲 (最大定格): 2.4 V to 6.0 V (7.0 V)
●SENSE 端子電圧範囲 (最大定格):0 V to 42.0 V (50.0 V)
●動作温度範囲: -40 °C to 105 °C
●自己消費電流: Typ. 1.4 μA (VDD 端子のみ) Max. 4.0 μA (SENSE 端子電流を含む)
●検出電圧: 3.3 V to 19.8 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
●解除電圧: 4.5 V to 22.2 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
●検出遅延時間: Typ. 40 μs
●解除遅延時間: Typ. 40 μs
●出力形態: NMOS オープンドレイン NV3600DCxxxAC.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip NV3600 NV3600DCxxxAC CMOS 出力対応 SENSE 端子 高耐圧ボルテージディテクタ 2 NV3600 は CMOS プロセスを用いたボルテージディテクタです。SENSE 端子が 42 V の高耐圧であるため、バッテリー電圧を直接監視することが可能です。さらに、検出電圧と解除電圧を個別に設定することができ、検出時の出力論理も "Low" or"High" を選択可能です。そのためシステムの機能に合わせて、最適な動作を実現することができます。 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 FA 機器の電圧監視
PLC など制御装置の電圧監視
携帯用などバッテリー駆動製品の電圧監視 -40℃ 105℃ 3.3V 19.8V 2.4V 6V 固定 オープンドレイン Low High 5 SOT-23-5-DC SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_3rd_R |
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NV3600DCxxxEG |
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Nisshinbo Micro Devices |
NV3600 |
●入力電圧範囲 (最大定格): 2.4 V to 6.0 V (7.0 V)
●SENSE 端子電圧範囲 (最大定格):0 V to 42.0 V (50.0 V)
●動作温度範囲: -40 °C to 105 °C
●自己消費電流: Typ. 1.4 μA (VDD 端子のみ) Max. 4.0 μA (SENSE 端子電流を含む)
●検出電圧: 3.3 V to 19.8 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
●解除電圧: 4.5 V to 22.2 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
●検出遅延時間: Typ. 40 μs
●解除遅延時間: Typ. 40 μs
●出力形態: CMOS |
- |
NV3600DCxxxEG |
CMOS 出力対応 SENSE 端子 高耐圧ボルテージディテクタ |
1 |
- |
NV3600 は CMOS プロセスを用いたボルテージディテクタ です。 SENSE 端子が 42 V の高耐圧であるため、バッテリー電圧 を直接監視することが可能です。 さらに、検出電圧と解除電圧を個別に設定することができ、 検出時の出力論理も "Low" or"High" を選択可能です。 そのためシステムの機能に合わせて、最適な動作を実現す ることができます。 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
FA 機器の電圧監視
PLC など制御装置の電圧監視
携帯用などバッテリー駆動製品の電圧監視 |
- |
-40℃~105℃ |
3.3V~19.8V |
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2.4V~6V |
固定 |
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CMOS |
Low,High |
5 |
SOT-23-5-DC |
SOP系 |
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MSt_RST_Nisshinbo_3rd_R |
電圧検出/リセット NV3600DCxxxEG Nisshinbo Micro Devices ●入力電圧範囲 (最大定格): 2.4 V to 6.0 V (7.0 V)
●SENSE 端子電圧範囲 (最大定格):0 V to 42.0 V (50.0 V)
●動作温度範囲: -40 °C to 105 °C
●自己消費電流: Typ. 1.4 μA (VDD 端子のみ) Max. 4.0 μA (SENSE 端子電流を含む)
●検出電圧: 3.3 V to 19.8 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
●解除電圧: 4.5 V to 22.2 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
●検出遅延時間: Typ. 40 μs
●解除遅延時間: Typ. 40 μs
●出力形態: CMOS NV3600DCxxxEG.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip NV3600 NV3600DCxxxEG CMOS 出力対応 SENSE 端子 高耐圧ボルテージディテクタ 1 NV3600 は CMOS プロセスを用いたボルテージディテクタ です。 SENSE 端子が 42 V の高耐圧であるため、バッテリー電圧 を直接監視することが可能です。 さらに、検出電圧と解除電圧を個別に設定することができ、 検出時の出力論理も "Low" or"High" を選択可能です。 そのためシステムの機能に合わせて、最適な動作を実現す ることができます。 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 FA 機器の電圧監視
PLC など制御装置の電圧監視
携帯用などバッテリー駆動製品の電圧監視 -40℃ 105℃ 3.3V 19.8V 2.4V 6V 固定 CMOS Low High 5 SOT-23-5-DC SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_3rd_R |
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NV3601DCxxxABCD |
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Nisshinbo Micro Devices |
NV3601 |
● 入力電圧範囲 (最大定格): 2.4 V to 6.0 V (7.0 V)
● SENSE 端子電圧範囲 (最大定格):
0 V to 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度範囲: -40 °C to 105 °C
● 自己消費電流: Typ. 1.4 μA (VDD 端子のみ)
Max. 4.0 μA (SENSE 端子電流を含む)
● 低電圧検出電圧: 3.3 V to 19.8 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● 過電圧検出電圧: 4.5 V to 22.2 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● ヒステリシス: A/C:あり (Typ. 1.0%) B/D:なし
● 低電圧/過電圧検出遅延時間: Typ. 40 μs
● 低電圧/過電圧解除遅延時間: Typ. 230 μs
● 出力形態: NMOS オープンドレイン |
- |
NV3601DCxxxABCD |
CMOS 出力対応 SENSE 端子 高耐圧ウィンドウボルテージディテクタ |
3 |
- |
NV3601 はCMOS プロセスを用いたウィンドウタイプのボルテージディテクタです。電圧低下の監視に加え、過電圧も異常と検出することができるため、システムの動作状態を詳細に把握することができます。また、SENSE 端子が42 V の高耐圧であるため、バッテリー電圧を直接監視することが可能です。
ヒステリシスの有無や検出時出力論理 ("Low" or "High") も選択可能で、システムの機能に合わせて、最適な動作を実現することができます。 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
● FA 機器の電圧監視
● PLC など制御装置の電圧監視
● 携帯用などバッテリー駆動製品の電圧監視 |
- |
-40℃~105℃ |
- |
4.5V~22.2V |
3.3V~19.8V |
2.4V~6V |
固定 |
- |
オープンドレイン |
Low,High |
5 |
SOT-23-5-DC |
SOP系 |
- |
- |
- |
- |
MSt_RST_Nisshinbo_2nd_R |
電圧検出/リセット NV3601DCxxxABCD Nisshinbo Micro Devices ● 入力電圧範囲 (最大定格): 2.4 V to 6.0 V (7.0 V)
● SENSE 端子電圧範囲 (最大定格):
0 V to 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度範囲: -40 °C to 105 °C
● 自己消費電流: Typ. 1.4 μA (VDD 端子のみ)
Max. 4.0 μA (SENSE 端子電流を含む)
● 低電圧検出電圧: 3.3 V to 19.8 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● 過電圧検出電圧: 4.5 V to 22.2 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● ヒステリシス: A/C:あり (Typ. 1.0%) B/D:なし
● 低電圧/過電圧検出遅延時間: Typ. 40 μs
● 低電圧/過電圧解除遅延時間: Typ. 230 μs
● 出力形態: NMOS オープンドレイン NV3601DCxxxABCD.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip NV3601 NV3601DCxxxABCD CMOS 出力対応 SENSE 端子 高耐圧ウィンドウボルテージディテクタ 3 NV3601 はCMOS プロセスを用いたウィンドウタイプのボルテージディテクタです。電圧低下の監視に加え、過電圧も異常と検出することができるため、システムの動作状態を詳細に把握することができます。また、SENSE 端子が42 V の高耐圧であるため、バッテリー電圧を直接監視することが可能です。
ヒステリシスの有無や検出時出力論理 ("Low" or "High") も選択可能で、システムの機能に合わせて、最適な動作を実現することができます。 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ● FA 機器の電圧監視
● PLC など制御装置の電圧監視
● 携帯用などバッテリー駆動製品の電圧監視 -40℃ 105℃ 4.5V 22.2V 3.3V 19.8V 2.4V 6V 固定 オープンドレイン Low High 5 SOT-23-5-DC SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_2nd_R |
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NV3601DCxxxEFGH |
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Nisshinbo Micro Devices |
NV3601 |
● 入力電圧範囲 (最大定格): 2.4 V to 6.0 V (7.0 V)
● SENSE 端子電圧範囲 (最大定格):
0 V to 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度範囲: -40 °C to 105 °C
● 自己消費電流: Typ. 1.4 μA (VDD 端子のみ)
Max. 4.0 μA (SENSE 端子電流を含む)
● 低電圧検出電圧: 3.3 V to 19.8 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● 過電圧検出電圧: 4.5 V to 22.2 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● ヒステリシス: E/G:あり (Typ. 1.0%) F/H:なし
● 低電圧/過電圧検出遅延時間: Typ. 40 μs
● 低電圧/過電圧解除遅延時間: Typ. 230 μs
● 出力形態: CMOS |
- |
NV3601DCxxxEFGH |
CMOS 出力対応 SENSE 端子 高耐圧ウィンドウボルテージディテクタ |
1 |
- |
NV3601 はCMOS プロセスを用いたウィンドウタイプのボルテージディテクタです。電圧低下の監視に加え、過電圧も異常と検出することができるため、システムの動作状態を詳細に把握することができます。また、SENSE 端子が42 V の高耐圧であるため、バッテリー電圧を直接監視することが可能です。
ヒステリシスの有無や検出時出力論理 ("Low" or "High") も選択可能で、システムの機能に合わせて、最適な動作を実現することができます。 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
● FA 機器の電圧監視
● PLC など制御装置の電圧監視
● 携帯用などバッテリー駆動製品の電圧監視 |
- |
-40℃~105℃ |
- |
4.5V~22.2V |
3.3V~19.8V |
2.4V~6V |
固定 |
- |
CMOS |
Low,High |
5 |
SOT-23-5-DC |
SOP系 |
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MSt_RST_Nisshinbo_2nd_R |
電圧検出/リセット NV3601DCxxxEFGH Nisshinbo Micro Devices ● 入力電圧範囲 (最大定格): 2.4 V to 6.0 V (7.0 V)
● SENSE 端子電圧範囲 (最大定格):
0 V to 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度範囲: -40 °C to 105 °C
● 自己消費電流: Typ. 1.4 μA (VDD 端子のみ)
Max. 4.0 μA (SENSE 端子電流を含む)
● 低電圧検出電圧: 3.3 V to 19.8 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● 過電圧検出電圧: 4.5 V to 22.2 V (0.1 V 単位)
精度: ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● ヒステリシス: E/G:あり (Typ. 1.0%) F/H:なし
● 低電圧/過電圧検出遅延時間: Typ. 40 μs
● 低電圧/過電圧解除遅延時間: Typ. 230 μs
● 出力形態: CMOS NV3601DCxxxEFGH.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip NV3601 NV3601DCxxxEFGH CMOS 出力対応 SENSE 端子 高耐圧ウィンドウボルテージディテクタ 1 NV3601 はCMOS プロセスを用いたウィンドウタイプのボルテージディテクタです。電圧低下の監視に加え、過電圧も異常と検出することができるため、システムの動作状態を詳細に把握することができます。また、SENSE 端子が42 V の高耐圧であるため、バッテリー電圧を直接監視することが可能です。
ヒステリシスの有無や検出時出力論理 ("Low" or "High") も選択可能で、システムの機能に合わせて、最適な動作を実現することができます。 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ● FA 機器の電圧監視
● PLC など制御装置の電圧監視
● 携帯用などバッテリー駆動製品の電圧監視 -40℃ 105℃ 4.5V 22.2V 3.3V 19.8V 2.4V 6V 固定 CMOS Low High 5 SOT-23-5-DC SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_2nd_R |
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R3111Hxx1A |
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- |
Nisshinbo Micro Devices |
R3111 |
● 消費電流:· Typ. 0.8μA (-VDET=1.5V, VDD=-VDET-0.1V時)
● 動作電圧範囲:0.7V~10.0V (Ta=25℃)
● 検出電圧範囲:0.9V~6.0V (0.1V単位)
● 検出電圧精度:±2.0%
● 検出電圧の温度特性:Typ.±100ppm/℃
● 出力形態:Nchオープンドレイン
● パッケージ:SOT-89 |
- |
R3111Hxx1A |
低電圧ボルテージディテクタ |
2 |
- |
低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の電圧
検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は基準電圧源、コンパレータ、検出電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、および、出力ドライブトランジスタから構成されています。また、検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
● マイコン、ロジック回路のリセット
● バッテリーチェッカー
● レベル弁別装置
● 波形整流回路
● バックアップ電源の切り替え回路
● 停電検出 |
- |
-40℃~85℃ |
0.9V~6V |
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0.7V~10V |
固定 |
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オープンドレイン |
Low |
3 |
SOT-89 |
SOP系 |
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本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~6.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 |
MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
電圧検出/リセット R3111Hxx1A Nisshinbo Micro Devices ● 消費電流:· Typ. 0.8μA (-VDET=1.5V, VDD=-VDET-0.1V時)
● 動作電圧範囲:0.7V~10.0V (Ta=25℃)
● 検出電圧範囲:0.9V~6.0V (0.1V単位)
● 検出電圧精度:±2.0%
● 検出電圧の温度特性:Typ.±100ppm/℃
● 出力形態:Nchオープンドレイン
● パッケージ:SOT-89 本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~6.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 R3111Hxx1A.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R3111 R3111Hxx1A 低電圧ボルテージディテクタ 2 低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の電圧
検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は基準電圧源、コンパレータ、検出電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、および、出力ドライブトランジスタから構成されています。また、検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ● マイコン、ロジック回路のリセット
● バッテリーチェッカー
● レベル弁別装置
● 波形整流回路
● バックアップ電源の切り替え回路
● 停電検出 -40℃ 85℃ 0.9V 6V 0.7V 10V 固定 オープンドレイン Low 3 SOT-89 SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
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R3111Nxx1AB |
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Nisshinbo Micro Devices |
R3111 |
● 消費電流:· Typ. 0.8μA (-VDET=1.5V, VDD=-VDET-0.1V時)
● 動作電圧範囲:0.7V~10.0V (Ta=25℃)
● 検出電圧範囲:0.9V~6.0V (0.1V単位)
● 検出電圧精度:±2.0%
● 検出電圧の温度特性:Typ.±100ppm/℃
● 出力形態:Nchオープンドレイン
● パッケージ:SOT-23-5 |
- |
R3111Nxx1AB |
低電圧ボルテージディテクタ |
2 |
- |
低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の電圧
検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は基準電圧源、コンパレータ、検出電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、および、出力ドライブトランジスタから構成されています。また、検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
● マイコン、ロジック回路のリセット
● バッテリーチェッカー
● レベル弁別装置
● 波形整流回路
● バックアップ電源の切り替え回路
● 停電検出 |
- |
-40℃~85℃ |
0.9V~6V |
- |
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0.7V~10V |
固定 |
- |
オープンドレイン |
Low,High |
5 |
SOT-23-5 |
SOP系 |
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本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~6.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 |
MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
電圧検出/リセット R3111Nxx1AB Nisshinbo Micro Devices ● 消費電流:· Typ. 0.8μA (-VDET=1.5V, VDD=-VDET-0.1V時)
● 動作電圧範囲:0.7V~10.0V (Ta=25℃)
● 検出電圧範囲:0.9V~6.0V (0.1V単位)
● 検出電圧精度:±2.0%
● 検出電圧の温度特性:Typ.±100ppm/℃
● 出力形態:Nchオープンドレイン
● パッケージ:SOT-23-5 本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~6.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 R3111Nxx1AB.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R3111 R3111Nxx1AB 低電圧ボルテージディテクタ 2 低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の電圧
検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は基準電圧源、コンパレータ、検出電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、および、出力ドライブトランジスタから構成されています。また、検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ● マイコン、ロジック回路のリセット
● バッテリーチェッカー
● レベル弁別装置
● 波形整流回路
● バックアップ電源の切り替え回路
● 停電検出 -40℃ 85℃ 0.9V 6V 0.7V 10V 固定 オープンドレイン Low High 5 SOT-23-5 SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
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R3111Nxx1C |
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Nisshinbo Micro Devices |
R3111 |
● 消費電流:· Typ. 0.8μA (-VDET=1.5V, VDD=-VDET-0.1V時)
● 動作電圧範囲:0.7V~10.0V (Ta=25℃)
● 検出電圧範囲:0.9V~6.0V (0.1V単位)
● 検出電圧精度:±2.0%
● 検出電圧の温度特性:Typ.±100ppm/℃
● 出力形態:CMOS
● パッケージ:SOT-23-5 |
- |
R3111Nxx1C |
低電圧ボルテージディテクタ |
1 |
- |
低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の電圧
検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は基準電圧源、コンパレータ、検出電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、および、出力ドライブトランジスタから構成されています。また、検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
● マイコン、ロジック回路のリセット
● バッテリーチェッカー
● レベル弁別装置
● 波形整流回路
● バックアップ電源の切り替え回路
● 停電検出 |
- |
-40℃~85℃ |
0.9V~6V |
- |
- |
0.7V~10V |
固定 |
- |
CMOS |
Low |
5 |
SOT-23-5 |
SOP系 |
- |
- |
- |
本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~6.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 |
MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
電圧検出/リセット R3111Nxx1C Nisshinbo Micro Devices ● 消費電流:· Typ. 0.8μA (-VDET=1.5V, VDD=-VDET-0.1V時)
● 動作電圧範囲:0.7V~10.0V (Ta=25℃)
● 検出電圧範囲:0.9V~6.0V (0.1V単位)
● 検出電圧精度:±2.0%
● 検出電圧の温度特性:Typ.±100ppm/℃
● 出力形態:CMOS
● パッケージ:SOT-23-5 本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~6.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 R3111Nxx1C.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R3111 R3111Nxx1C 低電圧ボルテージディテクタ 1 低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の電圧
検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は基準電圧源、コンパレータ、検出電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、および、出力ドライブトランジスタから構成されています。また、検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ● マイコン、ロジック回路のリセット
● バッテリーチェッカー
● レベル弁別装置
● 波形整流回路
● バックアップ電源の切り替え回路
● 停電検出 -40℃ 85℃ 0.9V 6V 0.7V 10V 固定 CMOS Low 5 SOT-23-5 SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
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|
R3111Qxx1AB |
- |
- |
Nisshinbo Micro Devices |
R3111 |
● 消費電流:· Typ. 0.8μA (-VDET=1.5V, VDD=-VDET-0.1V時)
● 動作電圧範囲:0.7V~10.0V (Ta=25℃)
● 検出電圧範囲:0.9V~6.0V (0.1V単位)
● 検出電圧精度:±2.0%
● 検出電圧の温度特性:Typ.±100ppm/℃
● 出力形態:Nchオープンドレイン
● パッケージ:SC-82AB |
- |
R3111Qxx1AB |
低電圧ボルテージディテクタ |
2 |
- |
低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の電圧
検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は基準電圧源、コンパレータ、検出電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、および、出力ドライブトランジスタから構成されています。また、検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
● マイコン、ロジック回路のリセット
● バッテリーチェッカー
● レベル弁別装置
● 波形整流回路
● バックアップ電源の切り替え回路
● 停電検出 |
- |
-40℃~85℃ |
0.9V~6V |
- |
- |
0.7V~10V |
固定 |
- |
オープンドレイン |
Low,High |
4 |
SC-82AB |
SOP系 |
- |
- |
- |
本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~6.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 |
MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
電圧検出/リセット R3111Qxx1AB Nisshinbo Micro Devices ● 消費電流:· Typ. 0.8μA (-VDET=1.5V, VDD=-VDET-0.1V時)
● 動作電圧範囲:0.7V~10.0V (Ta=25℃)
● 検出電圧範囲:0.9V~6.0V (0.1V単位)
● 検出電圧精度:±2.0%
● 検出電圧の温度特性:Typ.±100ppm/℃
● 出力形態:Nchオープンドレイン
● パッケージ:SC-82AB 本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~6.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 R3111Qxx1AB.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R3111 R3111Qxx1AB 低電圧ボルテージディテクタ 2 低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の電圧
検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は基準電圧源、コンパレータ、検出電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、および、出力ドライブトランジスタから構成されています。また、検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ● マイコン、ロジック回路のリセット
● バッテリーチェッカー
● レベル弁別装置
● 波形整流回路
● バックアップ電源の切り替え回路
● 停電検出 -40℃ 85℃ 0.9V 6V 0.7V 10V 固定 オープンドレイン Low High 4 SC-82AB SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
- |
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R3112Nxx1A |
- |
- |
Nisshinbo Micro Devices |
R3112 |
● 遅延回路内蔵:0.022μFの外付け時100msの遅延
● 消費電流 :Typ. 0.5μA(R3112x27xA/C:VDD=2.6V)
● 動作電圧範囲 :0.7V~6.0V(Topt=25℃)
● 検出電圧 :0.9V~5.0VV
● 検出電圧精度 :±2.0%
● 検出電圧の温度特性 : Typ. ±100ppm/℃
● 出力形態 :Nchオープンドレイン
● パッケージ: SOT-23-5 |
- |
R3112N301A |
遅延機能付き低電圧ボルテージディテクタ |
3 |
- |
低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の遅延機
能付き電圧検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は、基準電圧源、コンパレータ、検出
電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、出力ドライブトランジスタおよび遅延発生回路から構成されています。
検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
●マイコン、ロジック回路のリセット
●バッテリーチェッカー
●レベル弁別装置
●波形整流回路
●バックアップ電源の切り替え回路
●停電検出 |
- |
-40℃~85℃ |
0.9V~5V |
- |
- |
0.7V~6V |
可変 |
- |
オープンドレイン |
Low |
5 |
SOT-23-5 |
SOP系 |
- |
- |
- |
本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~5.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 |
MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
電圧検出/リセット R3112Nxx1A Nisshinbo Micro Devices ● 遅延回路内蔵:0.022μFの外付け時100msの遅延
● 消費電流 :Typ. 0.5μA(R3112x27xA/C:VDD=2.6V)
● 動作電圧範囲 :0.7V~6.0V(Topt=25℃)
● 検出電圧 :0.9V~5.0VV
● 検出電圧精度 :±2.0%
● 検出電圧の温度特性 : Typ. ±100ppm/℃
● 出力形態 :Nchオープンドレイン
● パッケージ: SOT-23-5 本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~5.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 R3112Nxx1A.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R3112 R3112N301A 遅延機能付き低電圧ボルテージディテクタ 3 低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の遅延機
能付き電圧検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は、基準電圧源、コンパレータ、検出
電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、出力ドライブトランジスタおよび遅延発生回路から構成されています。
検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ●マイコン、ロジック回路のリセット
●バッテリーチェッカー
●レベル弁別装置
●波形整流回路
●バックアップ電源の切り替え回路
●停電検出 -40℃ 85℃ 0.9V 5V 0.7V 6V 可変 オープンドレイン Low 5 SOT-23-5 SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
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R3112Qxx1A |
- |
- |
Nisshinbo Micro Devices |
R3112 |
● 遅延回路内蔵:0.022μFの外付け時100msの遅延
● 消費電流 :Typ. 0.5μA(R3112x27xA/C:VDD=2.6V)
● 動作電圧範囲 :0.7V~6.0V(Topt=25℃)
● 検出電圧 :0.9V~5.0VV
● 検出電圧精度 :±2.0%
● 検出電圧の温度特性 : Typ. ±100ppm/℃
● 出力形態 :Nchオープンドレイン
● パッケージ: SC-82AB |
- |
R3112Q091A |
遅延機能付き低電圧ボルテージディテクタ |
3 |
- |
低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の遅延機
能付き電圧検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は、基準電圧源、コンパレータ、検出
電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、出力ドライブトランジスタおよび遅延発生回路から構成されています。
検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
●マイコン、ロジック回路のリセット
●バッテリーチェッカー
●レベル弁別装置
●波形整流回路
●バックアップ電源の切り替え回路
●停電検出 |
- |
-40℃~85℃ |
0.9V~5V |
- |
- |
0.7V~6V |
可変 |
- |
オープンドレイン |
Low |
4 |
SC-82AB |
SOP系 |
- |
- |
- |
本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~5.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 |
MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
電圧検出/リセット R3112Qxx1A Nisshinbo Micro Devices ● 遅延回路内蔵:0.022μFの外付け時100msの遅延
● 消費電流 :Typ. 0.5μA(R3112x27xA/C:VDD=2.6V)
● 動作電圧範囲 :0.7V~6.0V(Topt=25℃)
● 検出電圧 :0.9V~5.0VV
● 検出電圧精度 :±2.0%
● 検出電圧の温度特性 : Typ. ±100ppm/℃
● 出力形態 :Nchオープンドレイン
● パッケージ: SC-82AB 本製品型名に含まれるxxは設定検出電圧で決まります。
設定検出電圧は0.9~5.0Vの範囲で0.1Vステップで選択可能です。
以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 R3112Qxx1A.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R3112 R3112Q091A 遅延機能付き低電圧ボルテージディテクタ 3 低電圧動作仕様の高精度、超低消費電流の遅延機
能付き電圧検出器です。システムリセット等に用いられるICで、内部回路は、基準電圧源、コンパレータ、検出
電圧用抵抗網、ヒステリシス回路、出力ドライブトランジスタおよび遅延発生回路から構成されています。
検出電圧は高精度にIC内で固定されている完全無調整型となっています。 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ●マイコン、ロジック回路のリセット
●バッテリーチェッカー
●レベル弁別装置
●波形整流回路
●バックアップ電源の切り替え回路
●停電検出 -40℃ 85℃ 0.9V 5V 0.7V 6V 可変 オープンドレイン Low 4 SC-82AB SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
- |
- |
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|
R3152Nxxxx |
- |
- |
Nisshinbo Micro Devices |
R3152 |
●動作電圧(最大定格):3.0 V ~ 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度:−40°C ~ 105°C
● 消費電流:Typ. 1.5 µA
● 過電圧検出:1.1 V ~ 5.9 V (0.01 V単位)
● 低電圧検出:1.0 V ~ 4.8 V (0.01 V単位)
● 検出解除ヒステリシス:
A, Typ. 1.0%, ヒステリシスあり
B, ヒステリシスなし
● 検出電圧精度:±0.5% (Ta = 25°C),
-1.25% ~ 0.75% (–40°C≤ Ta ≤ 105°C)
● 解除遅延時間:Typ.4 ms (CD = 0.01 μF)
● 出力形態:Nch.オープンドレイン |
- |
R3152Nxxxx |
入力最大 42 V ウィンドウボルテージディテクタ |
4 |
- |
● バッテリー電圧で動作することにより、電源と電圧監視機能の分離が可能
● 過電圧/低電圧検出電圧精度-1.25% ~ 0.75%、ヒステリシス 1.5%の高精度な検出が可能
● 小型パッケージ SOT-23-6 の採用、 隣接ピン間ショートを考慮した安心安全なピン配置 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
● ノート PC、デジタル TV、電話機、家庭内 LAN システムなどの電源電圧監視
● マルチセル構成の各種バッテリー機器の電源電圧監視 |
- |
-40℃~105℃ |
- |
1.1V~5.9V |
1V~4.8V |
3V~42V |
可変 |
- |
オープンドレイン |
Low |
6 |
SOT-23-6 |
SOP系 |
- |
- |
- |
本製品型名に含まれるxxxxは過電圧検出設定電圧 (VOVSET) と低電圧検出設定電圧 (VUVSET) の組合せと、ヒステリシス有無の選択で決まります。
R1/R2はデータシートの電気的特性表に記載されている Nch.がオン時の出力電流と Nch.がオフ時のリーク電流を考慮して設定してください。
詳細は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 |
MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
電圧検出/リセット R3152Nxxxx Nisshinbo Micro Devices ●動作電圧(最大定格):3.0 V ~ 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度:−40°C ~ 105°C
● 消費電流:Typ. 1.5 µA
● 過電圧検出:1.1 V ~ 5.9 V (0.01 V単位)
● 低電圧検出:1.0 V ~ 4.8 V (0.01 V単位)
● 検出解除ヒステリシス:
A, Typ. 1.0%, ヒステリシスあり
B, ヒステリシスなし
● 検出電圧精度:±0.5% (Ta = 25°C),
-1.25% ~ 0.75% (–40°C≤ Ta ≤ 105°C)
● 解除遅延時間:Typ.4 ms (CD = 0.01 μF)
● 出力形態:Nch.オープンドレイン 本製品型名に含まれるxxxxは過電圧検出設定電圧 (VOVSET) と低電圧検出設定電圧 (VUVSET) の組合せと、ヒステリシス有無の選択で決まります。
R1/R2はデータシートの電気的特性表に記載されている Nch.がオン時の出力電流と Nch.がオフ時のリーク電流を考慮して設定してください。
詳細は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 R3152Nxxxx.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R3152 R3152Nxxxx 入力最大 42 V ウィンドウボルテージディテクタ 4 ● バッテリー電圧で動作することにより、電源と電圧監視機能の分離が可能
● 過電圧/低電圧検出電圧精度-1.25% ~ 0.75%、ヒステリシス 1.5%の高精度な検出が可能
● 小型パッケージ SOT-23-6 の採用、 隣接ピン間ショートを考慮した安心安全なピン配置 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ● ノート PC、デジタル TV、電話機、家庭内 LAN システムなどの電源電圧監視
● マルチセル構成の各種バッテリー機器の電源電圧監視 -40℃ 105℃ 1.1V 5.9V 1V 4.8V 3V 42V 可変 オープンドレイン Low 6 SOT-23-6 SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
- |
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- |
|
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R3154NxxxA |
- |
- |
Nisshinbo Micro Devices |
R3154 |
●動作電圧(最大定格):3.0 V ~ 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度:−40°C ~ 105°C
● 消費電流:Typ. 2.0 μA
● 過電圧検出:0.75 V ~ 3.70 V (0.01 V単位)
精度(VOVSET > 0.9 V):±0.5% (Ta = 25°C)
−1.25% ~ 0.75% (−40°C ~ 105°C)
● 低電圧検出:0.55 V ~ 3.30 V (0.01 V単位)
精度(VUVSET > 0.66 V):±0.5% (Ta = 25°C)
−1.25% ~ 0.75% (−40°C ~ 105°C)
● 検出解除ヒステリシス:Typ. 0.5%
● 検出遅延時間:Typ. 20 μs
● 解除遅延時間:Typ.4 ms (CD = 0.01 μF)
● 出力形態:Nch.オープンドレイン |
- |
R3154NxxxA |
診断機能付き 42 V ウィンドウボルテージディテクタ |
3 |
- |
●バッテリー電圧で動作することにより、電源と電圧監視機能の分離が可能
● 過電圧/低電圧検出電圧精度-1.25% ~ 0.75%、ヒステリシス Max. 0.75%の高精度な検出が可能
● 0.75V(過電圧) / 0.55V(低電圧)までの電圧検出に対応
● 小型パッケージ SOT-23-6 の採用、 隣接ピン間ショートを考慮した安心安全なピン配置 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
● 安全規格対応のノートPC、デジタルTV、電話機、家庭内LANシステムなどの電源電圧監視
●マルチセル構成の各種バッテリー機器の電源電圧監視 |
- |
-40℃~105℃ |
- |
0.75V~3.7V |
0.55V~3.3V |
3V~42V |
可変 |
- |
オープンドレイン |
Low |
6 |
SOT-23-6 |
SOP系 |
- |
- |
- |
本製品型名に含まれるxxxは過電圧検出設定電圧 (VOVSET) と低電圧検出設定電圧 (VUVSET) の組合せで決まります。
R1は電気的特性表に記載されている NMOS ドライバ出力電流とNMOS ドライバリーク電流を考慮して設定してください。
詳細は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 |
MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
電圧検出/リセット R3154NxxxA Nisshinbo Micro Devices ●動作電圧(最大定格):3.0 V ~ 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度:−40°C ~ 105°C
● 消費電流:Typ. 2.0 μA
● 過電圧検出:0.75 V ~ 3.70 V (0.01 V単位)
精度(VOVSET > 0.9 V):±0.5% (Ta = 25°C)
−1.25% ~ 0.75% (−40°C ~ 105°C)
● 低電圧検出:0.55 V ~ 3.30 V (0.01 V単位)
精度(VUVSET > 0.66 V):±0.5% (Ta = 25°C)
−1.25% ~ 0.75% (−40°C ~ 105°C)
● 検出解除ヒステリシス:Typ. 0.5%
● 検出遅延時間:Typ. 20 μs
● 解除遅延時間:Typ.4 ms (CD = 0.01 μF)
● 出力形態:Nch.オープンドレイン 本製品型名に含まれるxxxは過電圧検出設定電圧 (VOVSET) と低電圧検出設定電圧 (VUVSET) の組合せで決まります。
R1は電気的特性表に記載されている NMOS ドライバ出力電流とNMOS ドライバリーク電流を考慮して設定してください。
詳細は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 R3154NxxxA.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R3154 R3154NxxxA 診断機能付き 42 V ウィンドウボルテージディテクタ 3 ●バッテリー電圧で動作することにより、電源と電圧監視機能の分離が可能
● 過電圧/低電圧検出電圧精度-1.25% ~ 0.75%、ヒステリシス Max. 0.75%の高精度な検出が可能
● 0.75V(過電圧) / 0.55V(低電圧)までの電圧検出に対応
● 小型パッケージ SOT-23-6 の採用、 隣接ピン間ショートを考慮した安心安全なピン配置 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ● 安全規格対応のノートPC、デジタルTV、電話機、家庭内LANシステムなどの電源電圧監視
●マルチセル構成の各種バッテリー機器の電源電圧監視 -40℃ 105℃ 0.75V 3.7V 0.55V 3.3V 3V 42V 可変 オープンドレイン Low 6 SOT-23-6 SOP系 MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
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R3201L00xA |
- |
- |
Nisshinbo Micro Devices |
R3201 |
• 動作電圧範囲(最大定格): 2.2 V ~ 5.5 V (12.0V)
• 消費電流(スタンバイ時/シッピングモード時): Typ.0.35 μA
• 動作周囲温度範囲: -40°C ~ 85°C
• リセット信号遅延時間: 8s(001)、10s(002)、12s(003)、16s(004)
• リセット信号遅延時間精度: ±10%
• リセット時間: Typ.0.4s
• リセット時間精度: ±10%
• シッピングモード入力遅延時間(入力端子: OFF): Typ.15s
• シッピングモード入力コマンド(入力端子: OFF): 5 cycle
• シッピングモード解除遅延時間(入力端子: RST0): Typ.2 s
• 出力形態(出力端子: SRO, nSRO, DCHGx): Nch.オープンドレイン,CMOS |
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R3201L00xA |
モバイル機器向け リセットタイマーIC |
13 |
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● シッピングモードの設定により、端末出荷時のバッテリー消費の改善が可能
● 多彩な機能を有するリセットタイマーでありながら、低消費電流0.35μAを実現 |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
● バッテリー駆動携帯機器
● オーディオ機器、家庭用電子医療器、画像処理機器
● 携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、ウェアラブル機器
● ポータブルゲーム機 |
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-40℃~85℃ |
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2.2V~5V |
固定 |
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オープンドレイン |
Low |
10 |
QFN014018-10 |
QFN系 |
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本製品型名に含まれるxはリセット信号の遅延時間で決まります。
詳細は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 |
MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
電圧検出/リセット R3201L00xA Nisshinbo Micro Devices • 動作電圧範囲(最大定格): 2.2 V ~ 5.5 V (12.0V)
• 消費電流(スタンバイ時/シッピングモード時): Typ.0.35 μA
• 動作周囲温度範囲: -40°C ~ 85°C
• リセット信号遅延時間: 8s(001)、10s(002)、12s(003)、16s(004)
• リセット信号遅延時間精度: ±10%
• リセット時間: Typ.0.4s
• リセット時間精度: ±10%
• シッピングモード入力遅延時間(入力端子: OFF): Typ.15s
• シッピングモード入力コマンド(入力端子: OFF): 5 cycle
• シッピングモード解除遅延時間(入力端子: RST0): Typ.2 s
• 出力形態(出力端子: SRO, nSRO, DCHGx): Nch.オープンドレイン,CMOS 本製品型名に含まれるxはリセット信号の遅延時間で決まります。
詳細は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。 R3201L00xA.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip R3201 R3201L00xA モバイル機器向け リセットタイマーIC 13 ● シッピングモードの設定により、端末出荷時のバッテリー消費の改善が可能
● 多彩な機能を有するリセットタイマーでありながら、低消費電流0.35μAを実現 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ● バッテリー駆動携帯機器
● オーディオ機器、家庭用電子医療器、画像処理機器
● 携帯電話、スマートフォン、タブレット端末、ウェアラブル機器
● ポータブルゲーム機 -40℃ 85℃ 2.2V 5V 固定 オープンドレイン Low 10 QFN014018-10 QFN系 MSt_RST_Nisshinbo_1st_R |
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