モジュール詳細
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電源管理・システム管理
R3154NxxxA
電源管理・システム管理
メーカー
主要部品型名
モジュール仕様・特長
●動作電圧(最大定格)：3.0 V ~ 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度：−40°C ~ 105°C
● 消費電流：Typ. 2.0 μA
● 過電圧検出：0.75 V ~ 3.70 V (0.01 V単位)
精度(VOVSET > 0.9 V)：±0.5% (Ta = 25°C)
−1.25% ~ 0.75% (−40°C ~ 105°C)
● 低電圧検出：0.55 V ~ 3.30 V (0.01 V単位)
精度(VUVSET > 0.66 V)：±0.5% (Ta = 25°C)
−1.25% ~ 0.75% (−40°C ~ 105°C)
● 検出解除ヒステリシス：Typ. 0.5%
● 検出遅延時間：Typ. 20 μs
● 解除遅延時間：Typ.4 ms (CD = 0.01 μF)
● 出力形態：Nch.オープンドレイン
● 動作温度：−40°C ~ 105°C
● 消費電流：Typ. 2.0 μA
● 過電圧検出：0.75 V ~ 3.70 V (0.01 V単位)
精度(VOVSET > 0.9 V)：±0.5% (Ta = 25°C)
−1.25% ~ 0.75% (−40°C ~ 105°C)
● 低電圧検出：0.55 V ~ 3.30 V (0.01 V単位)
精度(VUVSET > 0.66 V)：±0.5% (Ta = 25°C)
−1.25% ~ 0.75% (−40°C ~ 105°C)
● 検出解除ヒステリシス：Typ. 0.5%
● 検出遅延時間：Typ. 20 μs
● 解除遅延時間：Typ.4 ms (CD = 0.01 μF)
● 出力形態：Nch.オープンドレイン
部品リスト
| 記号 | メーカー名 | 型式 | 数量 | 部品イメージ | WxDxH [mm] |
|---|---|---|---|---|---|
| IC1 | Nisshinbo Micro Devices | R3154NxxxA | 1 | 
| 2.9x2.8x1.1 |
| C1 | - | 設計条件により決定 | 1 | 
| - |
| R1 | - | 設計条件により決定 | 1 |
| - |
回路図
基板図
備考
本製品型名に含まれるxxxは過電圧検出設定電圧 (VOVSET) と低電圧検出設定電圧 (VUVSET) の組合せで決まります。
R1は電気的特性表に記載されている NMOS ドライバ出力電流とNMOS ドライバリーク電流を考慮して設定してください。
詳細は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。
R1は電気的特性表に記載されている NMOS ドライバ出力電流とNMOS ドライバリーク電流を考慮して設定してください。
詳細は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。
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回路モジュールの基板CADデータは、Board Viewer (無償) で参照可能です。 |
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