モジュール詳細
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電源管理・システム管理
NV3601DCxxxEFGH
電源管理・システム管理
メーカー
主要部品型名
モジュール仕様・特長
● 入力電圧範囲 (最大定格)： 2.4 V to 6.0 V (7.0 V)
● SENSE 端子電圧範囲 (最大定格)：
0 V to 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度範囲： -40 °C to 105 °C
● 自己消費電流： Typ. 1.4 μA (VDD 端子のみ)
Max. 4.0 μA (SENSE 端子電流を含む)
● 低電圧検出電圧： 3.3 V to 19.8 V (0.1 V 単位)
精度： ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● 過電圧検出電圧： 4.5 V to 22.2 V (0.1 V 単位)
精度： ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● ヒステリシス： E/G:あり (Typ. 1.0%) F/H:なし
● 低電圧/過電圧検出遅延時間： Typ. 40 μs
● 低電圧/過電圧解除遅延時間： Typ. 230 μs
● 出力形態： CMOS
● SENSE 端子電圧範囲 (最大定格)：
0 V to 42.0 V (50.0 V)
● 動作温度範囲： -40 °C to 105 °C
● 自己消費電流： Typ. 1.4 μA (VDD 端子のみ)
Max. 4.0 μA (SENSE 端子電流を含む)
● 低電圧検出電圧： 3.3 V to 19.8 V (0.1 V 単位)
精度： ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● 過電圧検出電圧： 4.5 V to 22.2 V (0.1 V 単位)
精度： ±0.6 % (Ta = 25 °C) ±1.5 % (-40 °C to 105 °C)
● ヒステリシス： E/G:あり (Typ. 1.0%) F/H:なし
● 低電圧/過電圧検出遅延時間： Typ. 40 μs
● 低電圧/過電圧解除遅延時間： Typ. 230 μs
● 出力形態： CMOS
部品リスト
| 記号 | メーカー名 | 型式 | 数量 | 部品イメージ | WxDxH [mm] |
|---|---|---|---|---|---|
| IC1 | Nisshinbo Micro Devices | NV3601DCxxxEFGH | 1 | 
| 2.9x2.8x1.1 |
回路図
基板図
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回路モジュールの基板CADデータは、Board Viewer (無償) で参照可能です。 |
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