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MB85RS512TPNF-G-JNE1 |
MB85RS512TPNF-G-JNE1 |
MB85RS512TPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RS512TPNF-G-JNE1 MB85RS512TPNF-G-JNE1 MB85RS512TPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
1.8 V ~ 2.7 V, 25 MHz (Max)
2.7 V ~ 3.6 V, 30 MHz (Max)
ただし, FSTRD コマンドは2.7 V ~ 3.6 V, 40 MHz (Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回/ バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流10 mA (Max@30 MHz)
スタンバイ電流120 μA (Max)
スリープ電流 10 μA (Max)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 2014/03/01 MB85RS512TPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS512TPNF-G-JNE1 2 512 kbit(64k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 30MHz 512kbit 64K SPI 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
1.8 V ~ 2.7 V, 25 MHz (Max)
2.7 V ~ 3.6 V, 30 MHz (Max)
ただし, FSTRD コマンドは2.7 V ~ 3.6 V, 40 MHz (Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回/ バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流10 mA (Max@30 MHz)
スタンバイ電流120 μA (Max)
スリープ電流 10 μA (Max)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
2014/03 |
MB85RS512TPNF-G-JNE1 |
2 |
- |
512 kbit(64k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
512kbit |
64K |
8bits |
SPI |
30MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
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MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
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MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RS512TPNF-G-JNERE1 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
1.8 V ~ 2.7 V, 25 MHz (Max)
2.7 V ~ 3.6 V, 30 MHz (Max)
ただし, FSTRD コマンドは2.7 V ~ 3.6 V, 40 MHz (Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回/ バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流10 mA (Max@30 MHz)
スタンバイ電流120 μA (Max)
スリープ電流 10 μA (Max)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 2014/03/01 MB85RS512TPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS512TPNF-G-JNERE1 2 512 kbit(64k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 30MHz 512kbit 64K SPI 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
1.8 V ~ 2.7 V, 25 MHz (Max)
2.7 V ~ 3.6 V, 30 MHz (Max)
ただし, FSTRD コマンドは2.7 V ~ 3.6 V, 40 MHz (Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回/ バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流10 mA (Max@30 MHz)
スタンバイ電流120 μA (Max)
スリープ電流 10 μA (Max)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
2014/03 |
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
2 |
- |
512 kbit(64k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
512kbit |
64K |
8bits |
SPI |
30MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
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- |
MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
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MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
FRAM MB85R4M2TFN-G-ASE1 MB85R4M2TFN-G-ASE1 MB85R4M2TFN-G-ASE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能:524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み/読出し耐性:10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性 :10 年 (+85°C)
●動作電源電圧:1.8V ~ 3.6V
●低消費電力:
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
スリープ電流 20 µA (Max)
●動作周囲温度:-40℃ ~ +85℃
●パッケージ:
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。 2014/01/01 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R4M2TFN-G-ASE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R4M2TFN-G-ASE1 3 4 Mbit(256k × 16) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 16bits 4Mbit 150nsec 256K パラレル(非同期) 10^13回/16ビット 10年(+85℃) 44 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_3rd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能:524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み/読出し耐性:10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性 :10 年 (+85°C)
●動作電源電圧:1.8V ~ 3.6V
●低消費電力:
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
スリープ電流 20 µA (Max)
●動作周囲温度:-40℃ ~ +85℃
●パッケージ:
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
2014/01 |
MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
3 |
- |
4 Mbit(256k × 16) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4Mbit |
256K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^13回/16ビット |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
44 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_3rd_R |
- |
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MB85RE4M2TFN-G-ASE1 |
MB85RE4M2TFN-G-ASE1 |
MB85RE4M2TFN-G-ASE1 |
FRAM MB85RE4M2TFN-G-ASE1 MB85RE4M2TFN-G-ASE1 MB85RE4M2TFN-G-ASE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能:524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み/読出し耐性:10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性:10 年 (+85°C)
●動作電源電圧:1.8V ~ 3.6V
●低消費電力:
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
●動作周囲温度:-40℃ ~ +85℃
●パッケージ:
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。 2014/01/01 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RE4M2TFN-G-ASE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RE4M2TFN-G-ASE1 3 4 Mbit(256k × 16) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 16bits 4Mbit 150nsec 256K パラレル(非同期) 10^13回/16ビット 10年(+85℃) 44 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_3rd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能:524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み/読出し耐性:10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性:10 年 (+85°C)
●動作電源電圧:1.8V ~ 3.6V
●低消費電力:
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
●動作周囲温度:-40℃ ~ +85℃
●パッケージ:
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
2014/01 |
MB85RE4M2TFN-G-ASE1 |
3 |
- |
4 Mbit(256k × 16) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4Mbit |
256K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^13回/16ビット |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
44 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_3rd_R |
- |
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- |
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MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC512TPNF-G-JNE1 MB85RC512TPNF-G-JNE1 MB85RC512TPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時, Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時, Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC512TPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC512TPNF-G-JNE1 4 512 kbit(64k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 512kbit 64K I2C 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時, Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時, Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
4 |
- |
512 kbit(64k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
512kbit |
64K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
- |
- |
- |
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- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
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|
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC512TPNF-G-JNERE1 MB85RC512TPNF-G-JNERE1 MB85RC512TPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時, Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時, Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC512TPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC512TPNF-G-JNERE1 4 512 kbit(64k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 512kbit 64K I2C 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時, Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時, Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
512 kbit(64k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
512kbit |
64K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
- |
- |
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MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC1MTPNF-G-JNE1 MB85RC1MTPNF-G-JNE1 MB85RC1MTPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時, Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時, Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC1MTPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC1MTPNF-G-JNE1 4 1 Mbit(128k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 1Mbit 128K I2C 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時, Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時, Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
4 |
- |
1 Mbit(128k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
128K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
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MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時, Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時, Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC1MTPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 4 1 Mbit(128k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 1Mbit 128K I2C 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時, Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時, Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
1 Mbit(128k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
128K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
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MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
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MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
FRAM MB85R256FPFCN-G-BNDE1 MB85R256FPFCN-G-BNDE1 MB85R256FPFCN-G-BNDE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成 :32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性 :10^12 回/バイト
●データ保持特性 :
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧 :2.7 V~ 3.6 V
●低消費電力 :
動作電源電流5 mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度 :- 40 °C~+85 °C
●パッケージ :
プラスチック・TSOP (1),28ピン(FPT-28P-M19)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R256FPFCN-G-BNDE1.png circuit_data.zip parts_list.xls mdl.zip cadpart.zip MB85R256FPFCN-G-BNDE1 2 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 256kbit 150nsec 32K パラレル(非同期) 10^12回/バイト 10年(+85℃) 28 SOP系 TSOP(1) MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成 :32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性 :10^12 回/バイト
●データ保持特性 :
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧 :2.7 V~ 3.6 V
●低消費電力 :
動作電源電流5 mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度 :- 40 °C~+85 °C
●パッケージ :
プラスチック・TSOP (1),28ピン(FPT-28P-M19)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
2 |
- |
256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
28 |
SOP系 |
TSOP(1) |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RC64APNF-G-JNE1 |
MB85RC64APNF-G-JNE1 |
MB85RC64APNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC64APNF-G-JNE1 MB85RC64APNF-G-JNE1 MB85RC64APNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:8,192 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC64APNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC64APNF-G-JNE1 4 64 kbit(8k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 64kbit 8K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:8,192 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RC64APNF-G-JNE1 |
4 |
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64 kbit(8k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8K |
8bits |
I2C |
1MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RC64APNF-G-JNERE1 |
MB85RC64APNF-G-JNERE1 |
MB85RC64APNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC64APNF-G-JNERE1 MB85RC64APNF-G-JNERE1 MB85RC64APNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:8,192 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC64APNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC64APNF-G-JNERE1 4 64 kbit(8k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 64kbit 8K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:8,192 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
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MB85RC64APNF-G-JNERE1 |
4 |
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64 kbit(8k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8K |
8bits |
I2C |
1MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
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SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RC128APNF-G-JNE1 |
MB85RC128APNF-G-JNE1 |
MB85RC128APNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC128APNF-G-JNE1 MB85RC128APNF-G-JNE1 MB85RC128APNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:16,384 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 ℃), 95 年( + 55 ℃), 200 年以上 ( + 35 ℃)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲:- 40 ℃ ~+ 85 ℃
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC128APNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC128APNF-G-JNE1 4 128 kbit(16k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 128kbit 16K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:16,384 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 ℃), 95 年( + 55 ℃), 200 年以上 ( + 35 ℃)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲:- 40 ℃ ~+ 85 ℃
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RC128APNF-G-JNE1 |
4 |
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128 kbit(16k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
128kbit |
16K |
8bits |
I2C |
1MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RC128APNF-G-JNERE1 |
MB85RC128APNF-G-JNERE1 |
MB85RC128APNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC128APNF-G-JNERE1 MB85RC128APNF-G-JNERE1 MB85RC128APNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:16,384 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 ℃), 95 年( + 55 ℃), 200 年以上 ( + 35 ℃)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲:- 40 ℃ ~+ 85 ℃
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC128APNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC128APNF-G-JNERE1 4 128 kbit(16k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 128kbit 16K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:16,384 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 ℃), 95 年( + 55 ℃), 200 年以上 ( + 35 ℃)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲:- 40 ℃ ~+ 85 ℃
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RC128APNF-G-JNERE1 |
4 |
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128 kbit(16k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
128kbit |
16K |
8bits |
I2C |
1MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RC256VPNF-G-JNE1 |
MB85RC256VPNF-G-JNE1 |
MB85RC256VPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC256VPNF-G-JNE1 MB85RC256VPNF-G-JNE1 MB85RC256VPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC256VPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC256VPNF-G-JNE1 4 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 5.5V 8bits 1MHz 256kbit 32K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RC256VPNF-G-JNE1 |
4 |
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256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~5.5V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RC256VPNF-G-JNERE1 |
MB85RC256VPNF-G-JNERE1 |
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FRAM MB85RC256VPNF-G-JNERE1 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC256VPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC256VPNF-G-JNERE1 4 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 5.5V 8bits 1MHz 256kbit 32K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
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MB85RC256VPNF-G-JNERE1 |
4 |
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256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
I2C |
1MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~5.5V |
-40℃~85℃ |
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SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RC256VPF-G-JNE2 |
MB85RC256VPF-G-JNE2 |
MB85RC256VPF-G-JNE2 |
FRAM MB85RC256VPF-G-JNE2 MB85RC256VPF-G-JNE2 MB85RC256VPF-G-JNE2 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M08)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC256VPF-G-JNE2.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC256VPF-G-JNE2 4 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 5.5V 8bits 1MHz 256kbit 32K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M08)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RC256VPF-G-JNE2 |
4 |
- |
256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
I2C |
1MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~5.5V |
-40℃~85℃ |
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SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RC256VPF-G-JNERE2 |
MB85RC256VPF-G-JNERE2 |
MB85RC256VPF-G-JNERE2 |
FRAM MB85RC256VPF-G-JNERE2 MB85RC256VPF-G-JNERE2 MB85RC256VPF-G-JNERE2 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M08)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC256VPF-G-JNERE2.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC256VPF-G-JNERE2 4 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 5.5V 8bits 1MHz 256kbit 32K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M08)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
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MB85RC256VPF-G-JNERE2 |
4 |
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256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
I2C |
1MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~5.5V |
-40℃~85℃ |
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SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RS16PNF-G-JNE1 |
MB85RS16PNF-G-JNE1 |
MB85RS16PNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RS16PNF-G-JNE1 MB85RS16PNF-G-JNE1 MB85RS16PNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:2,048 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数: 20 MHz(Max)
●書込み/読出し耐性: 10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧: 2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流1.5 mA (Typ@20 MHz)
スタンバイ電流5 μA (Typ)
●動作周囲温度: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック・SOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS16PNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS16PNF-G-JNE1 2 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 20MHz 16kbit 2K SPI 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:2,048 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数: 20 MHz(Max)
●書込み/読出し耐性: 10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧: 2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流1.5 mA (Typ@20 MHz)
スタンバイ電流5 μA (Typ)
●動作周囲温度: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック・SOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RS16PNF-G-JNE1 |
2 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
SPI |
20MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RS16PNF-G-JNERE1 |
MB85RS16PNF-G-JNERE1 |
MB85RS16PNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RS16PNF-G-JNERE1 MB85RS16PNF-G-JNERE1 MB85RS16PNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:2,048 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数: 20 MHz(Max)
●書込み/読出し耐性: 10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧: 2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流1.5 mA (Typ@20 MHz)
スタンバイ電流5 μA (Typ)
●動作周囲温度: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック・SOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS16PNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS16PNF-G-JNERE1 2 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 20MHz 16kbit 2K SPI 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:2,048 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数: 20 MHz(Max)
●書込み/読出し耐性: 10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧: 2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流1.5 mA (Typ@20 MHz)
スタンバイ電流5 μA (Typ)
●動作周囲温度: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック・SOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RS16PNF-G-JNERE1 |
2 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
SPI |
20MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RS64PNF-G-JNE1 |
MB85RS64PNF-G-JNE1 |
MB85RS64PNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RS64PNF-G-JNE1 MB85RS64PNF-G-JNE1 MB85RS64PNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成: 8,192 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数: 20 MHz(Max)
●書込み/読出し耐性: 10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧: 2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流1.5 mA (Typ@20 MHz)
スタンバイ電流5 μA (Typ)
●動作周囲温度: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック・SOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS64PNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS64PNF-G-JNE1 2 64 kbit(8k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 20MHz 64kbit 8K SPI 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成: 8,192 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数: 20 MHz(Max)
●書込み/読出し耐性: 10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧: 2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流1.5 mA (Typ@20 MHz)
スタンバイ電流5 μA (Typ)
●動作周囲温度: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック・SOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RS64PNF-G-JNE1 |
2 |
- |
64 kbit(8k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8K |
8bits |
SPI |
20MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RS64PNF-G-JNERE1 |
MB85RS64PNF-G-JNERE1 |
MB85RS64PNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 MB85RS64PNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成: 8,192 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数: 20 MHz(Max)
●書込み/読出し耐性: 10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧: 2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流1.5 mA (Typ@20 MHz)
スタンバイ電流5 μA (Typ)
●動作周囲温度: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック・SOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS64PNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS64PNF-G-JNERE1 2 64 kbit(8k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 20MHz 64kbit 8K SPI 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成: 8,192 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数: 20 MHz(Max)
●書込み/読出し耐性: 10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧: 2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流1.5 mA (Typ@20 MHz)
スタンバイ電流5 μA (Typ)
●動作周囲温度: - 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック・SOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
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MB85RS64PNF-G-JNERE1 |
2 |
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64 kbit(8k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8K |
8bits |
SPI |
20MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RS128BPNF-G-JNE1 |
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MB85RS128BPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RS128BPNF-G-JNE1 MB85RS128BPNF-G-JNE1 MB85RS128BPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:16,384 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3(1, 1) に対応
●動作周波数:
READ を除くすべてのコマンド33 MHz (Max)
READ コマンド25 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流6 mA (Typ@33 MHz)
スタンバイ電流9 μA (Typ)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS128BPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS128BPNF-G-JNE1 2 128 kbit(16k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 25MHz 128kbit 16K SPI 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:16,384 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3(1, 1) に対応
●動作周波数:
READ を除くすべてのコマンド33 MHz (Max)
READ コマンド25 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流6 mA (Typ@33 MHz)
スタンバイ電流9 μA (Typ)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
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MB85RS128BPNF-G-JNE1 |
2 |
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128 kbit(16k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
128kbit |
16K |
8bits |
SPI |
25MHz |
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10^12回/バイト |
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2.7V~3.6V |
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SOP系 |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
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MB85RS128BPNF-G-JNERE1 |
MB85RS128BPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RS128BPNF-G-JNERE1 MB85RS128BPNF-G-JNERE1 MB85RS128BPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:16,384 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3(1, 1) に対応
●動作周波数:
READ を除くすべてのコマンド33 MHz (Max)
READ コマンド25 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流6 mA (Typ@33 MHz)
スタンバイ電流9 μA (Typ)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS128BPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS128BPNF-G-JNERE1 2 128 kbit(16k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 25MHz 128kbit 16K SPI 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:16,384 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3(1, 1) に対応
●動作周波数:
READ を除くすべてのコマンド33 MHz (Max)
READ コマンド25 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流6 mA (Typ@33 MHz)
スタンバイ電流9 μA (Typ)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
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MB85RS128BPNF-G-JNERE1 |
2 |
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128 kbit(16k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
128kbit |
16K |
8bits |
SPI |
25MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
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SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RS256BPNF-G-JNE1 |
MB85RS256BPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RS256BPNF-G-JNE1 MB85RS256BPNF-G-JNE1 MB85RS256BPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
READ を除くすべてのコマンド33 MHz (Max)
READ コマンド25 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流6 mA(Typ@33 MHz)
スタンバイ電流9 μA(Typ)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS256BPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS256BPNF-G-JNE1 2 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 25MHz 256kbit 32K SPI 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
READ を除くすべてのコマンド33 MHz (Max)
READ コマンド25 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流6 mA(Typ@33 MHz)
スタンバイ電流9 μA(Typ)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RS256BPNF-G-JNE1 |
2 |
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256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
SPI |
25MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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MB85RS256BPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RS256BPNF-G-JNERE1 MB85RS256BPNF-G-JNERE1 MB85RS256BPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
READ を除くすべてのコマンド33 MHz (Max)
READ コマンド25 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流 6 mA(Typ@33 MHz)
スタンバイ電流 9 μA(Typ)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS256BPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS256BPNF-G-JNERE1 2 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 25MHz 256kbit 32K SPI 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
READ を除くすべてのコマンド33 MHz (Max)
READ コマンド25 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( + 85 °C), 95 年( + 55 °C), 200 年以上 ( + 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流 6 mA(Typ@33 MHz)
スタンバイ電流 9 μA(Typ)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
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MB85RS256BPNF-G-JNERE1 |
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256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
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SPI |
25MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
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SOP系 |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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