モジュール詳細
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メモリ
MB85R256FPFCN-G-BNDE1
メモリ
メーカー
主要部品型名
モジュール仕様・特長
●ビット構成 ：32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性 ：10^12 回/バイト
●データ保持特性 ：
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧 ：2.7 V～ 3.6 V
●低消費電力 ：
動作電源電流5 mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度 ：－ 40 °C～＋85 °C
●パッケージ ：
プラスチック・TSOP (1),28ピン(FPT-28P-M19)
本製品はRoHS指令に適合しています。
●書込み/読出し耐性 ：10^12 回/バイト
●データ保持特性 ：
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧 ：2.7 V～ 3.6 V
●低消費電力 ：
動作電源電流5 mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度 ：－ 40 °C～＋85 °C
●パッケージ ：
プラスチック・TSOP (1),28ピン(FPT-28P-M19)
本製品はRoHS指令に適合しています。
部品リスト
| 記号 | メーカー名 | 型式 | 数量 | 部品イメージ | WxDxH [mm] |
|---|---|---|---|---|---|
| IC1 | FUJITSU SEMICONDUCTOR | MB85R256FPFCN-G-BNDE1 | 1 | 
| 8.00x13.4x1.10 |
| C1 | - | 0.1uF | 1 | 
| - |
回路図
基板図
備考
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。)
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回路モジュールの基板CADデータは、Board Viewer (無償) で参照可能です。 |
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