モジュール詳細
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メモリ
MB85R4M2TFN-G-ASE1
メモリ
メーカー
主要部品型名
モジュール仕様・特長
●ビット構成：262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能：524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み／読出し耐性：10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性 ：10 年 (＋85°C)
●動作電源電圧：1.8V ～ 3.6V
●低消費電力：
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
スリープ電流 20 µA (Max)
●動作周囲温度：－40℃ ～ ＋85℃
●パッケージ：
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。
●/LB, /UB切替え機能：524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み／読出し耐性：10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性 ：10 年 (＋85°C)
●動作電源電圧：1.8V ～ 3.6V
●低消費電力：
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
スリープ電流 20 µA (Max)
●動作周囲温度：－40℃ ～ ＋85℃
●パッケージ：
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。
部品リスト
| 記号 | メーカー名 | 型式 | 数量 | 部品イメージ | WxDxH [mm] |
|---|---|---|---|---|---|
| IC1 | FUJITSU SEMICONDUCTOR | MB85R4M2TFN-G-ASE1 | 1 | 
| 18.4x11.7x1.20 |
| C1、C2 | - | 0.1uF | 2 | 
| - |
回路図
基板図
備考
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。)
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回路モジュールの基板CADデータは、Board Viewer (無償) で参照可能です。 |
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