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S-1133x00-I8T1U |
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リニアレギュレータ S-1133x00-I8T1U ABLIC ・外部抵抗により電圧設定可能。 1.8～8.2 V間において任意に選択可能
・入力電圧 2.0～10 V
・ドロップアウト電圧が小さい。240 mV typ.
・消費電流が少ない。動作時: 60 μA typ.、90 μA max.
パワー・オフ時: 0.1 μA typ.、1.0 μA max.
・出力電流 300 mA出力可能（VIN≧VOUT(S)+1.0 V時）*1
・低ESRコンデンサが使用可能。入出力コンデンサに、1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
（出力電圧値が1.7 V以下の製品には、2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能）
・リップル除去率が高い。65 dB typ.（f = 1.0 kHz, VOUT = 1.8 V時）
・過電流保護回路を内蔵。出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵。発熱による破壊を防止
・パワー・オン／オフ回路を内蔵。電池の長寿命化に対応可能
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*2
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失に注意してください。
*2. 詳細は「■ 品目コードの構成」を参照してください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1133x00-I8T1U.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1133x00-I8T1U 5 高リップル除去率 低飽和型 中出力電流
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・通信機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 2V 10V 1ch 1.8V 8.2V 0.300000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・外部抵抗により電圧設定可能。 1.8～8.2 V間において任意に選択可能
・入力電圧 2.0～10 V
・ドロップアウト電圧が小さい。240 mV typ.
・消費電流が少ない。動作時: 60 μA typ.、90 μA max.
パワー・オフ時: 0.1 μA typ.、1.0 μA max.
・出力電流 300 mA出力可能（VIN≧VOUT(S)+1.0 V時）*1
・低ESRコンデンサが使用可能。入出力コンデンサに、1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
（出力電圧値が1.7 V以下の製品には、2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能）
・リップル除去率が高い。65 dB typ.（f = 1.0 kHz, VOUT = 1.8 V時）
・過電流保護回路を内蔵。出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵。発熱による破壊を防止
・パワー・オン／オフ回路を内蔵。電池の長寿命化に対応可能
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*2
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失に注意してください。
*2. 詳細は「■ 品目コードの構成」を参照してください。 |
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S-1133x00-I8T1U |
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5 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
高リップル除去率 低飽和型 中出力電流
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・通信機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
2V～10V |
1.8V～8.2V |
～300mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1133x00-U5T1U |
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リニアレギュレータ S-1133x00-U5T1U ABLIC ・外部抵抗により電圧設定可能。 1.8～8.2 V間において任意に選択可能
・入力電圧 2.0～10 V
・ドロップアウト電圧が小さい。240 mV typ.
・消費電流が少ない。動作時: 60 μA typ.、90 μA max.
パワー・オフ時: 0.1 μA typ.、1.0 μA max.
・出力電流 300 mA出力可能（VIN≧VOUT(S)+1.0 V時）*1
・低ESRコンデンサが使用可能。入出力コンデンサに、1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
（出力電圧値が1.7 V以下の製品には、2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能）
・リップル除去率が高い。65 dB typ.（f = 1.0 kHz, VOUT = 1.8 V時）
・過電流保護回路を内蔵。出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵。発熱による破壊を防止
・パワー・オン／オフ回路を内蔵。電池の長寿命化に対応可能
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*2
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失に注意してください。
*2. 詳細は「■ 品目コードの構成」を参照してください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1133x00-U5T1U.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1133x00-U5T1U 5 高リップル除去率 低飽和型 中出力電流
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・通信機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 2V 10V 1ch 1.8V 8.2V 0.300000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・外部抵抗により電圧設定可能。 1.8～8.2 V間において任意に選択可能
・入力電圧 2.0～10 V
・ドロップアウト電圧が小さい。240 mV typ.
・消費電流が少ない。動作時: 60 μA typ.、90 μA max.
パワー・オフ時: 0.1 μA typ.、1.0 μA max.
・出力電流 300 mA出力可能（VIN≧VOUT(S)+1.0 V時）*1
・低ESRコンデンサが使用可能。入出力コンデンサに、1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
（出力電圧値が1.7 V以下の製品には、2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能）
・リップル除去率が高い。65 dB typ.（f = 1.0 kHz, VOUT = 1.8 V時）
・過電流保護回路を内蔵。出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵。発熱による破壊を防止
・パワー・オン／オフ回路を内蔵。電池の長寿命化に対応可能
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*2
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失に注意してください。
*2. 詳細は「■ 品目コードの構成」を参照してください。 |
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S-1133x00-U5T1U |
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5 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
高リップル除去率 低飽和型 中出力電流
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・通信機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
2V～10V |
1.8V～8.2V |
～300mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1133xxx-I8T1U |
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リニアレギュレータ S-1133xxx-I8T1U ABLIC ・出力電圧の細かい選択が可能。 1.2～6.0 V間において0.1 Vステップで選択可能
・入力電圧 2.0～10 V
・出力電圧精度が高い。±1.0% 精度（1.2～1.4 V出力品：±15 mV 精度）
・ドロップアウト電圧が小さい。130 mV typ.（3.0 V出力品、IOUT = 100 mA時）
・消費電流が少ない。動作時: 60 μA typ.、90 μA max.
パワー・オフ時: 0.1 μA typ.、1.0 μA max.
・出力電流 300 mA出力可能（VIN≧VOUT(S)+1.0 V時）*1
・低ESRコンデンサが使用可能。入出力コンデンサに、1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
（出力電圧値が1.7 V以下の製品には、2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能）
・リップル除去率が高い。70 dB typ.（f = 1.0 kHz, VOUT = 1.2 V時）
・過電流保護回路を内蔵。出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵。発熱による破壊を防止
・パワー・オン／オフ回路を内蔵。電池の長寿命化に対応可能
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*2
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失に注意してください。
*2. 詳細は「■ 品目コードの構成」を参照してください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1133xxx-I8T1U.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1133xxx-I8T1U 3 高リップル除去率 低飽和型 中出力電流
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・通信機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 2V 10V 1ch 1.2V 6V 0.300000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・出力電圧の細かい選択が可能。 1.2～6.0 V間において0.1 Vステップで選択可能
・入力電圧 2.0～10 V
・出力電圧精度が高い。±1.0% 精度（1.2～1.4 V出力品：±15 mV 精度）
・ドロップアウト電圧が小さい。130 mV typ.（3.0 V出力品、IOUT = 100 mA時）
・消費電流が少ない。動作時: 60 μA typ.、90 μA max.
パワー・オフ時: 0.1 μA typ.、1.0 μA max.
・出力電流 300 mA出力可能（VIN≧VOUT(S)+1.0 V時）*1
・低ESRコンデンサが使用可能。入出力コンデンサに、1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
（出力電圧値が1.7 V以下の製品には、2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能）
・リップル除去率が高い。70 dB typ.（f = 1.0 kHz, VOUT = 1.2 V時）
・過電流保護回路を内蔵。出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵。発熱による破壊を防止
・パワー・オン／オフ回路を内蔵。電池の長寿命化に対応可能
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*2
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失に注意してください。
*2. 詳細は「■ 品目コードの構成」を参照してください。 |
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S-1133xxx-I8T1U |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
高リップル除去率 低飽和型 中出力電流
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・通信機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
2V～10V |
1.2V～6V |
～300mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1133xxx-U5T1U |
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リニアレギュレータ S-1133xxx-U5T1U ABLIC ・出力電圧の細かい選択が可能。 1.2～6.0 V間において0.1 Vステップで選択可能
・入力電圧 2.0～10 V
・出力電圧精度が高い。±1.0% 精度（1.2～1.4 V出力品：±15 mV 精度）
・ドロップアウト電圧が小さい。130 mV typ.（3.0 V出力品、IOUT = 100 mA時）
・消費電流が少ない。動作時: 60 μA typ.、90 μA max.
パワー・オフ時: 0.1 μA typ.、1.0 μA max.
・出力電流 300 mA出力可能（VIN≧VOUT(S)+1.0 V時）*1
・低ESRコンデンサが使用可能。入出力コンデンサに、1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
（出力電圧値が1.7 V以下の製品には、2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能）
・リップル除去率が高い。70 dB typ.（f = 1.0 kHz, VOUT = 1.2 V時）
・過電流保護回路を内蔵。出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵。発熱による破壊を防止
・パワー・オン／オフ回路を内蔵。電池の長寿命化に対応可能
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*2
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失に注意してください。
*2. 詳細は「■ 品目コードの構成」を参照してください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1133xxx-U5T1U.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1133xxx-U5T1U 3 高リップル除去率 低飽和型 中出力電流
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・通信機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 2V 10V 1ch 1.2V 6V 0.300000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・出力電圧の細かい選択が可能。 1.2～6.0 V間において0.1 Vステップで選択可能
・入力電圧 2.0～10 V
・出力電圧精度が高い。±1.0% 精度（1.2～1.4 V出力品：±15 mV 精度）
・ドロップアウト電圧が小さい。130 mV typ.（3.0 V出力品、IOUT = 100 mA時）
・消費電流が少ない。動作時: 60 μA typ.、90 μA max.
パワー・オフ時: 0.1 μA typ.、1.0 μA max.
・出力電流 300 mA出力可能（VIN≧VOUT(S)+1.0 V時）*1
・低ESRコンデンサが使用可能。入出力コンデンサに、1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
（出力電圧値が1.7 V以下の製品には、2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能）
・リップル除去率が高い。70 dB typ.（f = 1.0 kHz, VOUT = 1.2 V時）
・過電流保護回路を内蔵。出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵。発熱による破壊を防止
・パワー・オン／オフ回路を内蔵。電池の長寿命化に対応可能
・鉛フリー、Sn 100%、ハロゲンフリー*2
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失に注意してください。
*2. 詳細は「■ 品目コードの構成」を参照してください。 |
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S-1133xxx-U5T1U |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
高リップル除去率 低飽和型 中出力電流
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・通信機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
2V～10V |
1.2V～6V |
～300mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1312xxx-A4T1U3 |
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リニアレギュレータ S-1312xxx-A4T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 20 μA typ., 30 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.22 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.2 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1312xxx-A4T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1312xxx-A4T1U3 3 低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 0.150000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 20 μA typ., 30 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.22 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.2 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-1312xxx-A4T1U3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～150mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1312xxx-A4T2U3 |
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リニアレギュレータ S-1312xxx-A4T2U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 20 μA typ., 30 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.22 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.2 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1312xxx-A4T2U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1312xxx-A4T2U3 3 低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 0.150000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 20 μA typ., 30 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.22 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.2 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-1312xxx-A4T2U3 |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～150mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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リニアレギュレータ S-1312xxx-M5T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 20 μA typ., 30 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.22 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.2 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1312xxx-M5T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1312xxx-M5T1U3 3 低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 0.150000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 20 μA typ., 30 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.22 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.2 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-1312xxx-M5T1U3 |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～150mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1313xxx-A4T1U3 |
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リニアレギュレータ S-1313xxx-A4T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 170 mV typ. (2.8 V出力品, IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 0.9 μA typ., 1.35 μA max.
パワーオフ時 : 0.01 μA typ., 0.1 μA max.
・ 出力電流 : 200 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.4 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.1 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ 定電流プルダウン選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 Ta = −40 °C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1313xxx-A4T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1313xxx-A4T1U3 3 超低消費電流
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 0.200000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 170 mV typ. (2.8 V出力品, IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 0.9 μA typ., 1.35 μA max.
パワーオフ時 : 0.01 μA typ., 0.1 μA max.
・ 出力電流 : 200 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.4 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.1 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ 定電流プルダウン選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 Ta = −40 °C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-1313xxx-A4T1U3 |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
超低消費電流
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～200mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
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MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1313xxx-M5T1U3 |
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リニアレギュレータ S-1313xxx-M5T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 170 mV typ. (2.8 V出力品, IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 0.9 μA typ., 1.35 μA max.
パワーオフ時 : 0.01 μA typ., 0.1 μA max.
・ 出力電流 : 200 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.4 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.1 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ 定電流プルダウン選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 Ta = −40 °C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1313xxx-M5T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1313xxx-M5T1U3 3 超低消費電流
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 0.200000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 170 mV typ. (2.8 V出力品, IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 0.9 μA typ., 1.35 μA max.
パワーオフ時 : 0.01 μA typ., 0.1 μA max.
・ 出力電流 : 200 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.4 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.1 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ 定電流プルダウン選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 Ta = −40 °C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-1313xxx-M5T1U3 |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
超低消費電流
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～200mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
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また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1313xxx-N4T1U3 |
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リニアレギュレータ S-1313xxx-N4T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 170 mV typ. (2.8 V出力品, IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 0.9 μA typ., 1.35 μA max.
パワーオフ時 : 0.01 μA typ., 0.1 μA max.
・ 出力電流 : 200 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.4 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.1 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ 定電流プルダウン選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 Ta = −40 °C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1313xxx-N4T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1313xxx-N4T1U3 3 超低消費電流
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 0.200000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 170 mV typ. (2.8 V出力品, IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 0.9 μA typ., 1.35 μA max.
パワーオフ時 : 0.01 μA typ., 0.1 μA max.
・ 出力電流 : 200 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.4 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 0.1 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ 定電流プルダウン選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 Ta = −40 °C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-1313xxx-N4T1U3 |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
超低消費電流
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～200mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
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また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1333xxx-A4T1U3 |
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リニアレギュレータ S-1333xxx-A4T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 25 μA typ., 38 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 300 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.3 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.6 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1333xxx-A4T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1333xxx-A4T1U3 3 低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 0.300000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 25 μA typ., 38 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 300 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.3 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.6 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-1333xxx-A4T1U3 |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～300mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1333xxx-A4T2U3 |
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リニアレギュレータ S-1333xxx-A4T2U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 25 μA typ., 38 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 300 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.3 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.6 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1333xxx-A4T2U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1333xxx-A4T2U3 3 低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 0.300000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 25 μA typ., 38 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 300 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.3 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.6 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-1333xxx-A4T2U3 |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～300mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-1333xxx-M5T1U3 |
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リニアレギュレータ S-1333xxx-M5T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 25 μA typ., 38 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 300 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.3 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.6 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-1333xxx-M5T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-1333xxx-M5T1U3 3 低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 0.300000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0% (1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 160 mV typ. (2.8 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 25 μA typ., 38 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 300 mA出力可能 (VOUT(S)≧1.3 V, VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 75 dB typ. (1.6 V出力品、f = 1.0 kHz)
70 dB typ. (2.85 V出力品、f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-1333xxx-M5T1U3 |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
低消費電流 高リップル除去率
低飽和型CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・ 携帯通信機器、デジタルカメラ、デジタルオーディオプレーヤーの定電圧電源
・ バッテリ使用機器の定電圧電源
・ 家庭用電気製品の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～300mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-13A1x00-E6T1U3 |
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リニアレギュレータ S-13A1x00-E6T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.05 V ~ 5.0 V間において外部抵抗により設定可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ ドロップアウト電圧 : 70 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 300 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 60 μA typ., 90 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 1000 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ 突入電流制限回路を内蔵 : 電源投入時またはON / OFF端子をONにするときに発生する過大な突入電流を制限
突入電流制限時間 0.4 ms typ.
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-13A1x00-E6T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-13A1x00-E6T1U3 5 高リップル除去率 低飽和型 高出力電流
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・テレビ、ノートPC、家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯機器用の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路、突入電流制限回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1.05V 5V 1.000000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.05 V ~ 5.0 V間において外部抵抗により設定可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ ドロップアウト電圧 : 70 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 300 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 60 μA typ., 90 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 1000 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ 突入電流制限回路を内蔵 : 電源投入時またはON / OFF端子をONにするときに発生する過大な突入電流を制限
突入電流制限時間 0.4 ms typ.
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-13A1x00-E6T1U3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
高リップル除去率 低飽和型 高出力電流
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・テレビ、ノートPC、家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯機器用の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路、突入電流制限回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1.05V～5V |
～1000mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-13A1x00-U5T1U3 |
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リニアレギュレータ S-13A1x00-U5T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.05 V ~ 5.0 V間において外部抵抗により設定可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ ドロップアウト電圧 : 70 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 300 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 60 μA typ., 90 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 1000 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ 突入電流制限回路を内蔵 : 電源投入時またはON / OFF端子をONにするときに発生する過大な突入電流を制限
突入電流制限時間 0.4 ms typ.
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-13A1x00-U5T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-13A1x00-U5T1U3 5 高リップル除去率 低飽和型 高出力電流
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・テレビ、ノートPC、家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯機器用の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路、突入電流制限回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1.05V 5V 1.000000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.05 V ~ 5.0 V間において外部抵抗により設定可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ ドロップアウト電圧 : 70 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 300 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 60 μA typ., 90 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 1000 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ 突入電流制限回路を内蔵 : 電源投入時またはON / OFF端子をONにするときに発生する過大な突入電流を制限
突入電流制限時間 0.4 ms typ.
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
- |
S-13A1x00-U5T1U3 |
- |
5 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
高リップル除去率 低飽和型 高出力電流
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・テレビ、ノートPC、家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯機器用の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路、突入電流制限回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1.05V～5V |
～1000mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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- |
本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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- |
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S-13A1xxx-A6T1U3 |
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リニアレギュレータ S-13A1xxx-A6T1U3 ABLIC ・ 出力電圧: 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0％ (内部設定品、1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 70 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 300 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 60 μA typ., 90 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 1000 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ 突入電流制限回路を内蔵 : 電源投入時またはON / OFF端子をONにするときに発生する過大な突入電流を制限
突入電流制限時間 0.4 ms typ.
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-13A1xxx-A6T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-13A1xxx-A6T1U3 3 高リップル除去率 低飽和型 高出力電流
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・テレビ、ノートPC、家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯機器用の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路、突入電流制限回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 1.000000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧: 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0％ (内部設定品、1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 70 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 300 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 60 μA typ., 90 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 1000 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ 突入電流制限回路を内蔵 : 電源投入時またはON / OFF端子をONにするときに発生する過大な突入電流を制限
突入電流制限時間 0.4 ms typ.
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-13A1xxx-A6T1U3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
高リップル除去率 低飽和型 高出力電流
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・テレビ、ノートPC、家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯機器用の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路、突入電流制限回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～1000mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
- |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-13A1xxx-E6T1U3 |
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リニアレギュレータ S-13A1xxx-E6T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0％ (内部設定品、1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 70 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 300 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 60 μA typ., 90 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 1000 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ 突入電流制限回路を内蔵 : 電源投入時またはON / OFF端子をONにするときに発生する過大な突入電流を制限
外付け容量 (CSS) により突入電流制限時間を変更可能
突入電流制限時間 0.7 ms typ.
(CSS = 1.0 nF)
突入電流制限時間 0.4 ms typ.
(SSC端子 = オープン)
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-13A1xxx-E6T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-13A1xxx-E6T1U3 4 高リップル除去率 低飽和型 高出力電流
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・テレビ、ノートPC、家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯機器用の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路、突入電流制限回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 1.000000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0％ (内部設定品、1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 70 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 300 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 60 μA typ., 90 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 1000 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ 突入電流制限回路を内蔵 : 電源投入時またはON / OFF端子をONにするときに発生する過大な突入電流を制限
外付け容量 (CSS) により突入電流制限時間を変更可能
突入電流制限時間 0.7 ms typ.
(CSS = 1.0 nF)
突入電流制限時間 0.4 ms typ.
(SSC端子 = オープン)
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-13A1xxx-E6T1U3 |
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4 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
高リップル除去率 低飽和型 高出力電流
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・テレビ、ノートPC、家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯機器用の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路、突入電流制限回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～1000mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-13A1xxx-U5T1U3 |
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リニアレギュレータ S-13A1xxx-U5T1U3 ABLIC ・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0％ (内部設定品、1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 70 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 300 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 60 μA typ., 90 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 1000 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ 突入電流制限回路を内蔵 : 電源投入時またはON / OFF端子をONにするときに発生する過大な突入電流を制限
外付け容量 (CSS) により突入電流制限時間を変更可能
突入電流制限時間 0.7 ms typ.
(CSS = 1.0 nF)
突入電流制限時間 0.4 ms typ.
(SSC端子 = オープン)
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-13A1xxx-U5T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-13A1xxx-U5T1U3 4 高リップル除去率 低飽和型 高出力電流
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・テレビ、ノートPC、家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯機器用の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路、突入電流制限回路 -40℃ 85℃ 1.5V 5.5V 1ch 1V 3.5V 1.000000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・ 出力電圧 : 1.0 V ~ 3.5 V間において0.05 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 1.5 V ~ 5.5 V
・ 出力電圧精度 : ±1.0％ (内部設定品、1.0 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ ドロップアウト電圧 : 70 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 300 mA)
・ 消費電流 : 動作時 : 60 μA typ., 90 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・ 出力電流 : 1000 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 1.0 kHz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ 突入電流制限回路を内蔵 : 電源投入時またはON / OFF端子をONにするときに発生する過大な突入電流を制限
外付け容量 (CSS) により突入電流制限時間を変更可能
突入電流制限時間 0.7 ms typ.
(CSS = 1.0 nF)
突入電流制限時間 0.4 ms typ.
(SSC端子 = オープン)
・ ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・ プルダウン抵抗選択可能
・ 放電シャント機能選択可能
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-13A1xxx-U5T1U3 |
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4 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
高リップル除去率 低飽和型 高出力電流
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・テレビ、ノートPC、家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯機器用の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路、突入電流制限回路 |
-40℃～85℃ |
1.5V～5.5V |
1V～3.5V |
～1000mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-13R1xxx-A4T2U3 |
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リニアレギュレータ S-13R1xxx-A4T2U3 ABLIC ・出力電圧 : 1.2 V ~ 4.0 V間において0.05 Vステップで選択可能
・入力電圧 : 2.0 V ~ 5.5 V
・出力電圧精度 : ±1.0% (1.2 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ドロップアウト電圧 : 150 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 100 mA)
・消費電流 : 動作時 : 5 μA typ., 9 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・リップル除去率 : 70 dB typ. (3.0 V出力品、f = 1.0 kHz)
・逆流電流防止機能 : IREV = 0.09 μA max.
・過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・定電流プルダウン選択可能
・放電シャント機能選択可能
・動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-13R1xxx-A4T2U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-13R1xxx-A4T2U3 3 逆流電流防止
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・携帯機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯電話用の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 2V 5.5V 1ch 1.2V 4V 0.150000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・出力電圧 : 1.2 V ~ 4.0 V間において0.05 Vステップで選択可能
・入力電圧 : 2.0 V ~ 5.5 V
・出力電圧精度 : ±1.0% (1.2 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ドロップアウト電圧 : 150 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 100 mA)
・消費電流 : 動作時 : 5 μA typ., 9 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・リップル除去率 : 70 dB typ. (3.0 V出力品、f = 1.0 kHz)
・逆流電流防止機能 : IREV = 0.09 μA max.
・過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・定電流プルダウン選択可能
・放電シャント機能選択可能
・動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
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S-13R1xxx-A4T2U3 |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
逆流電流防止
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・携帯機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯電話用の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
2V～5.5V |
1.2V～4V |
～150mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-13R1xxx-M5T1U3 |
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リニアレギュレータ S-13R1xxx-M5T1U3 ABLIC ・出力電圧 : 1.2 V ~ 4.0 V間において0.05 Vステップで選択可能
・入力電圧 : 2.0 V ~ 5.5 V
・出力電圧精度 : ±1.0% (1.2 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ドロップアウト電圧 : 150 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 100 mA)
・消費電流 : 動作時 : 5 μA typ., 9 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・リップル除去率 : 70 dB typ. (3.0 V出力品、f = 1.0 kHz)
・逆流電流防止機能 : IREV = 0.09 μA max.
・過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・定電流プルダウン選択可能
・放電シャント機能選択可能
・動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-13R1xxx-M5T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-13R1xxx-M5T1U3 3 逆流電流防止
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・携帯機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯電話用の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 2V 5.5V 1ch 1.2V 4V 0.150000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・出力電圧 : 1.2 V ~ 4.0 V間において0.05 Vステップで選択可能
・入力電圧 : 2.0 V ~ 5.5 V
・出力電圧精度 : ±1.0% (1.2 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ドロップアウト電圧 : 150 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 100 mA)
・消費電流 : 動作時 : 5 μA typ., 9 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・リップル除去率 : 70 dB typ. (3.0 V出力品、f = 1.0 kHz)
・逆流電流防止機能 : IREV = 0.09 μA max.
・過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・定電流プルダウン選択可能
・放電シャント機能選択可能
・動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
- |
S-13R1xxx-M5T1U3 |
- |
3 |
- |
CMOSボルテージレギュレータ |
逆流電流防止
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・携帯機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯電話用の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
2V～5.5V |
1.2V～4V |
～150mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
- |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-13R1xxx-N4T1U3 |
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リニアレギュレータ S-13R1xxx-N4T1U3 ABLIC ・出力電圧 : 1.2 V ~ 4.0 V間において0.05 Vステップで選択可能
・入力電圧 : 2.0 V ~ 5.5 V
・出力電圧精度 : ±1.0% (1.2 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ドロップアウト電圧 : 150 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 100 mA)
・消費電流 : 動作時 : 5 μA typ., 9 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・リップル除去率 : 70 dB typ. (3.0 V出力品、f = 1.0 kHz)
・逆流電流防止機能 : IREV = 0.09 μA max.
・過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・定電流プルダウン選択可能
・放電シャント機能選択可能
・動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-13R1xxx-N4T1U3.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-13R1xxx-N4T1U3 3 逆流電流防止
CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください ・バッテリ使用機器の定電圧電源
・携帯機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯電話用の定電圧電源 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 2V 5.5V 1ch 1.2V 4V 0.150000000000000000000000000000mA 1% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
・出力電圧 : 1.2 V ~ 4.0 V間において0.05 Vステップで選択可能
・入力電圧 : 2.0 V ~ 5.5 V
・出力電圧精度 : ±1.0% (1.2 V ~ 1.45 V出力品 : ±15 mV)
・ドロップアウト電圧 : 150 mV typ. (3.0 V出力品、IOUT = 100 mA)
・消費電流 : 動作時 : 5 μA typ., 9 μA max.
パワーオフ時 : 0.1 μA typ., 1.0 μA max.
・出力電流 : 150 mA出力可能 (VIN≧VOUT(S) + 1.0 V)*1
・入力、出力コンデンサ : 1.0 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・リップル除去率 : 70 dB typ. (3.0 V出力品、f = 1.0 kHz)
・逆流電流防止機能 : IREV = 0.09 μA max.
・過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 発熱による破壊を防止
・ON / OFF回路を内蔵 : 電池の長寿命化に対応可能
・定電流プルダウン選択可能
・放電シャント機能選択可能
・動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +85°C
・鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
*1. 大電流出力時には、パッケージの許容損失にご注意ください。 |
- |
S-13R1xxx-N4T1U3 |
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3 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
逆流電流防止
CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
・バッテリ使用機器の定電圧電源
・携帯機器の定電圧電源
・家庭用電気製品の定電圧電源
・携帯電話用の定電圧電源 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～85℃ |
2V～5.5V |
1.2V～4V |
～150mA |
1ch |
1% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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S-19500AxxA-E8T1U4 |
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リニアレギュレータ S-19500AxxA-E8T1U4 ABLIC レギュレータ部
・ 出力電圧 : 3.0 V ~ 5.3 V間において0.1 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 4.0 V ~ 36.0 V
・ 出力電圧精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)
・ ドロップアウト電圧 : 120 mV typ. (5.0 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 出力電流 : 200 mA出力可能 (VIN = VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 100 Hz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 検出温度170°C typ.
ディテクタ部
・ 検出電圧 : 2.6 V ~ 5.0 V間において0.1 Vステップで選択可能
・ 検出電圧精度 : ±100 mV (Tj = −40°C ~ +150°C)
・ ヒステリシス幅 : 0.12 V min.
・ 解除遅延時間 : 18 ms typ. (CDLY = 47 nF)
・ 出力形態 : Nchオープンドレイン出力 (プルアップ抵抗内蔵)
ウォッチドッグタイマ部
・ 自律ウォッチドッグ動作機能 : 負荷電流の検出によりウォッチドッグタイマが動作
・ ウォッチドッグ動作電流が調整可能 : 1.5 mA typ. (WADJ端子がオープン)
・ 製品タイプ :
ウォッチドッグイネーブル機能あり品 (出力 : WO / RO端子)
・ ウォッチドッグトリガ時間が調整可能 : 43 ms typ. (CDLY = 47 nF)
・ 出力形態 : Nchオープンドレイン出力 (プルアップ抵抗内蔵)
全体部
・ 消費電流 :
60 μA typ. (IOUT = 0 mA、ウォッチドッグタイマ停止時)
75 μA typ. (IOUT≦5 mA、ウォッチドッグタイマ動作時)
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +125°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
・ AEC-Q100進行中*2
*1. 大電流出力時には、ICの損失が許容損失を越えないように注意してください。
*2. 詳細は、エイブリック株式会社営業部までお問い合わせください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-19500AxxA-E8T1U4.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-19500AxxA-E8T1U4 6 車載用 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き
ウォッチドッグタイマ内蔵 CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください 車載用電装機器の定電圧電源、マイコン監視 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 125℃ 4V 36V 1ch 3V 5.3V 0.200000000000000000000000000000mA 2% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
レギュレータ部
・ 出力電圧 : 3.0 V ~ 5.3 V間において0.1 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 4.0 V ~ 36.0 V
・ 出力電圧精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)
・ ドロップアウト電圧 : 120 mV typ. (5.0 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 出力電流 : 200 mA出力可能 (VIN = VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 100 Hz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 検出温度170°C typ.
ディテクタ部
・ 検出電圧 : 2.6 V ~ 5.0 V間において0.1 Vステップで選択可能
・ 検出電圧精度 : ±100 mV (Tj = −40°C ~ +150°C)
・ ヒステリシス幅 : 0.12 V min.
・ 解除遅延時間 : 18 ms typ. (CDLY = 47 nF)
・ 出力形態 : Nchオープンドレイン出力 (プルアップ抵抗内蔵)
ウォッチドッグタイマ部
・ 自律ウォッチドッグ動作機能 : 負荷電流の検出によりウォッチドッグタイマが動作
・ ウォッチドッグ動作電流が調整可能 : 1.5 mA typ. (WADJ端子がオープン)
・ 製品タイプ :
ウォッチドッグイネーブル機能あり品 (出力 : WO / RO端子)
・ ウォッチドッグトリガ時間が調整可能 : 43 ms typ. (CDLY = 47 nF)
・ 出力形態 : Nchオープンドレイン出力 (プルアップ抵抗内蔵)
全体部
・ 消費電流 :
60 μA typ. (IOUT = 0 mA、ウォッチドッグタイマ停止時)
75 μA typ. (IOUT≦5 mA、ウォッチドッグタイマ動作時)
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +125°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
・ AEC-Q100進行中*2
*1. 大電流出力時には、ICの損失が許容損失を越えないように注意してください。
*2. 詳細は、エイブリック株式会社営業部までお問い合わせください。 |
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S-19500AxxA-E8T1U4 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
車載用 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き
ウォッチドッグタイマ内蔵 CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
車載用電装機器の定電圧電源、マイコン監視 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～125℃ |
4V～36V |
3V～5.3V |
～200mA |
1ch |
2% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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リニアレギュレータ S-19501AxxA-E8T1U4 ABLIC レギュレータ部
・ 出力電圧 : 3.0 V ~ 5.3 V間において0.1 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 4.0 V ~ 36.0 V
・ 出力電圧精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)
・ ドロップアウト電圧 : 120 mV typ. (5.0 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 出力電流 : 200 mA出力可能 (VIN = VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 100 Hz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 検出温度170°C typ.
ディテクタ部
・ 検出電圧 : 2.6 V ~ 5.0 V間において0.1 Vステップで選択可能
・ 検出電圧精度 : ±100 mV (Tj = −40°C ~ +150°C)
・ ヒステリシス幅 : 0.12 V min.
・ 解除遅延時間 : 18 ms typ. (CDLY = 47 nF)
・ 出力形態 : Nchオープンドレイン出力 (プルアップ抵抗内蔵)
ウォッチドッグタイマ部
・ 自律ウォッチドッグ動作機能 : 負荷電流の検出によりウォッチドッグタイマが動作
・ ウォッチドッグ動作電流が調整可能 : 1.5 mA typ. (WADJ端子がオープン)
・ 製品タイプ :
ウォッチドッグイネーブル機能なし品 (出力 : WO端子、RO端子)
・ ウォッチドッグトリガ時間が調整可能 : 43 ms typ. (CDLY = 47 nF)
・ 出力形態 : Nchオープンドレイン出力 (プルアップ抵抗内蔵)
全体部
・ 消費電流 :
60 μA typ. (IOUT = 0 mA、ウォッチドッグタイマ停止時)
75 μA typ. (IOUT≦5 mA、ウォッチドッグタイマ動作時)
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +125°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
・ AEC-Q100進行中*2
*1. 大電流出力時には、ICの損失が許容損失を越えないように注意してください。
*2. 詳細は、エイブリック株式会社営業部までお問い合わせください。 本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 S-19501AxxA-E8T1U4.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip S-19501AxxA-E8T1U4 7 車載用 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き
ウォッチドッグタイマ内蔵 CMOSボルテージレギュレータ 鉛フリー ハロゲンフリー 最新のデータシートをご覧ください 車載用電装機器の定電圧電源、マイコン監視 過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 125℃ 4V 36V 1ch 3V 5.3V 0.200000000000000000000000000000mA 2% 非絶縁 CMOSボルテージレギュレータ MSt_LR_SII_2nd_R |
ABLIC |
レギュレータ部
・ 出力電圧 : 3.0 V ~ 5.3 V間において0.1 Vステップで選択可能
・ 入力電圧 : 4.0 V ~ 36.0 V
・ 出力電圧精度 : ±2.0% (Tj = −40°C ~ +150°C)
・ ドロップアウト電圧 : 120 mV typ. (5.0 V出力品、IOUT = 100 mA)
・ 出力電流 : 200 mA出力可能 (VIN = VOUT(S) + 1.0 V)*1
・ 入力、出力コンデンサ : 2.2 μF以上のセラミックコンデンサが使用可能
・ リップル除去率 : 70 dB typ. (f = 100 Hz)
・ 過電流保護回路を内蔵 : 出力トランジスタの過電流を制限
・ サーマルシャットダウン回路を内蔵 : 検出温度170°C typ.
ディテクタ部
・ 検出電圧 : 2.6 V ~ 5.0 V間において0.1 Vステップで選択可能
・ 検出電圧精度 : ±100 mV (Tj = −40°C ~ +150°C)
・ ヒステリシス幅 : 0.12 V min.
・ 解除遅延時間 : 18 ms typ. (CDLY = 47 nF)
・ 出力形態 : Nchオープンドレイン出力 (プルアップ抵抗内蔵)
ウォッチドッグタイマ部
・ 自律ウォッチドッグ動作機能 : 負荷電流の検出によりウォッチドッグタイマが動作
・ ウォッチドッグ動作電流が調整可能 : 1.5 mA typ. (WADJ端子がオープン)
・ 製品タイプ :
ウォッチドッグイネーブル機能なし品 (出力 : WO端子、RO端子)
・ ウォッチドッグトリガ時間が調整可能 : 43 ms typ. (CDLY = 47 nF)
・ 出力形態 : Nchオープンドレイン出力 (プルアップ抵抗内蔵)
全体部
・ 消費電流 :
60 μA typ. (IOUT = 0 mA、ウォッチドッグタイマ停止時)
75 μA typ. (IOUT≦5 mA、ウォッチドッグタイマ動作時)
・ 動作温度範囲 : Ta = −40°C ~ +125°C
・ 鉛フリー (Sn 100%)、ハロゲンフリー
・ AEC-Q100進行中*2
*1. 大電流出力時には、ICの損失が許容損失を越えないように注意してください。
*2. 詳細は、エイブリック株式会社営業部までお問い合わせください。 |
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CMOSボルテージレギュレータ |
車載用 125°C動作 高耐圧 リセット機能付き
ウォッチドッグタイマ内蔵 CMOSボルテージレギュレータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
最新のデータシートをご覧ください |
車載用電装機器の定電圧電源、マイコン監視 |
過電流保護回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃～125℃ |
4V～36V |
3V～5.3V |
～200mA |
1ch |
2% |
非絶縁 |
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本モジュール内に含まれる部品は個別の型式では記載していません。
シリーズに含まれる最新の型式及び最新情報は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご確認ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、用途に応じて型式の登録・置き換えを実施してください。 |
MSt_LR_SII_2nd_R |
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