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RM517Lxx1x |
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DC-DC RM517Lxx1x Nisshinbo Micro Devices ● 出力電流: 300 mA
● 出力電圧範囲: 0.3 V ~ 1.2 V(0.1 V 単位で設定可能)
● 出力電圧精度: ±18 mV
● 内蔵MOSFET ON抵抗 (VIN = 3.6 V): PMOS Typ. 0.19 Ω, NMOS Typ. 0.19 Ω
● スタンバイ電流: 0.01 µA
● 薄型インダクタを内蔵することによって、基板設計の簡素化、システムの小型化/薄型化が可能
● 超低消費電流 (IQ = 0.3 μA) かつ VFM (スイッチング周波数は最大 1MHz) 制御により高効率を実現
● 低い出力電圧範囲 (0.3 V ~ 1.2 V) によりシステムの低消費駆動に貢献
● インダクタを内蔵し部品点数を削減、購入部品管理 (EOL の懸念など) の手間を削減 RM517Lxx1x.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip RM517Lxx1x 3 超低出力電圧 (0.3 V) 対応 300 mA 降圧 DC/DCモジュール 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 ●SmartWatch、SmartBand、健康管理装置などのウェアラブル機器
●リチウムイオン電池やコイン電池を使用する機器
●Bluetooth® Low Energy、Zigbee、Wi-SUN、ANTなどの低電力無線通信機器
●低電力のCPU、メモリ、センサーデバイス、エナジーハーベスト LX制限電流
低電圧誤動作防止機能
ソフトスタート機能
オートディスチャージ機能 -40℃ 85℃ 1.8V 5.5V 1ch 0.3V 1.2V 0.3A 非絶縁 降圧型 VFM(PFM)方式(最大1MHz) MSt_DCDC_Nisshinbo_5th_R |
Nisshinbo Micro Devices |
● 出力電流: 300 mA
● 出力電圧範囲: 0.3 V ~ 1.2 V(0.1 V 単位で設定可能)
● 出力電圧精度: ±18 mV
● 内蔵MOSFET ON抵抗 (VIN = 3.6 V): PMOS Typ. 0.19 Ω, NMOS Typ. 0.19 Ω
● スタンバイ電流: 0.01 µA
● 薄型インダクタを内蔵することによって、基板設計の簡素化、システムの小型化/薄型化が可能
● 超低消費電流 (IQ = 0.3 μA) かつ VFM (スイッチング周波数は最大 1MHz) 制御により高効率を実現
● 低い出力電圧範囲 (0.3 V ~ 1.2 V) によりシステムの低消費駆動に貢献
● インダクタを内蔵し部品点数を削減、購入部品管理 (EOL の懸念など) の手間を削減 |
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降圧型 |
超低出力電圧 (0.3 V) 対応 300 mA 降圧 DC/DCモジュール |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
●SmartWatch、SmartBand、健康管理装置などのウェアラブル機器
●リチウムイオン電池やコイン電池を使用する機器
●Bluetooth® Low Energy、Zigbee、Wi-SUN、ANTなどの低電力無線通信機器
●低電力のCPU、メモリ、センサーデバイス、エナジーハーベスト |
LX制限電流
低電圧誤動作防止機能
ソフトスタート機能
オートディスチャージ機能 |
-40℃～85℃ |
1.8V～5.5V |
0.3V～1.2V |
～0.3A |
1ch |
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VFM(PFM)方式(最大1MHz) |
非絶縁 |
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MSt_DCDC_Nisshinbo_5th_R |
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