モジュール詳細

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電源管理・システム管理
R5524N00xxお気に入りリストに追加

メーカー
Nisshinbo Micro Devices
主要部品型名
R5524N00xx

モジュール仕様・特長

• Nch-MOSハイサイドスイッチIC
• スイッチオン抵抗: Typ. 100 mΩ (5 V入力時)
• 過電流制限回路内蔵 : Min. 550 mA
• フラグ遅延時間 :Typ. 20 ms
• 低電圧誤動作防止回路 (UVLO) 内蔵
• サーマルシャットダウン回路内蔵
• 逆流防止回路内蔵
•過電流保護タイプ:
 001x:ラッチオフタイプ (過電流検出値 Min. 650 mA)
 002x:定電流保護タイプ (過電流検出値 Min. 650 mA)
 004A:定電流保護タイプ (過電流検出値 Min. 1.25 A)
•オートディスチャージ:あり(00xA)、なし(00xB)
• パッケージ:SOT-23-5

部品リスト

記号メーカー名型式数量部品イメージWxDxH [mm]
IC1Nisshinbo Micro DevicesR5524N00xx1 IC1 2.9x2.8x1.15
C1-1uF1 C1 -
C2-47uF以上1 C2 -
R1-10k~100k1 R1 -

回路図

基板図

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備考

本製品型名に含まれるxxは 過電流保護タイプ、過電流検出値の組合せと、 オートディスチャージ機能の有無で決まります。
R1は 10 kΩ ~ 100 kΩ の値を推奨します。
詳細は、以下外部サイトリンクよりメーカーのデータシートをご参照ください。
また回路図などのコンテンツをご利用の際は、必要に応じて型名の置き換えを実施してください。

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  • CADパート

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