VDDQ、VTT、VTTR（またはVREF）を含む完全なDDR-QDR4 SRAM電源ソリューション
0.5cm2 に収まるソリューション・サイズ（両面PCB）
広い入力電圧範囲：3.6V～15V
VINをINTVCC に接続した場合と互換の3.3V入力
出力電圧範囲：0.6V～2.5V
シンク電流とソース電流を供給できるデュアル±3A DC出力電流
VDDQ/2に等しい±1.5%、±10mAバッファ付きVTTR出力3A VDDQ +
3A VTTまたは2相シングル6A VTT
負荷、入力、および温度の全範囲にわたる全出力電圧レギュレーション誤差：最大±1.5%
電流モード制御、高速トランジェント応答
外部の周波数に同期
電流分担によりマルチフェーズ並列化可能
選択可能なBurst Mode®動作
過電圧入力保護と過熱保護
パワーグッド・インジケータ
6.25mm × 6.25mm × 1.82mm超薄型LGAパッケージおよび6.25mm × 6.25mm × 2.42mm BGAパッケージ