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MB85R1001ANC-GE1 |
MB85R1001ANC-GE1 |
MB85R1001ANC-GE1 |
FRAM MB85R1001ANC-GE1 MB85R1001ANC-GE1 MB85R1001ANC-GE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:131,072ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性:10^10回/バイト
●データ保持特性:10年(＋55°C),55年(＋35°C)
●動作電源電圧:3.0V～3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10mA(標準)
スタンバイ電流10μA(標準)
●動作周囲温度:－40°C～＋85°C
●パッケージ:
プラスチック・TSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R1001ANC-GE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R1001ANC-GE1 4 1 Mbit(128k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 3.6V 8bits 1Mbit 150nsec 128K パラレル(非同期) 10^10回/バイト 10年（＋55℃） 48 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:131,072ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性:10^10回/バイト
●データ保持特性:10年(＋55°C),55年(＋35°C)
●動作電源電圧:3.0V～3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10mA(標準)
スタンバイ電流10μA(標準)
●動作周囲温度:－40°C～＋85°C
●パッケージ:
プラスチック・TSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R1001ANC-GE1 |
4 |
- |
1 Mbit(128k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
128K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^10回/バイト |
10年（＋55℃） |
3V～3.6V |
-40℃～85℃ |
48 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85R1002ANC-GE1 |
MB85R1002ANC-GE1 |
MB85R1002ANC-GE1 |
FRAM MB85R1002ANC-GE1 MB85R1002ANC-GE1 MB85R1002ANC-GE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：65,536ワード×16ビット
●LB,UB切換え機能
●書込み/読出し耐性：10^10回/バイト
●データ保持特性：10年(＋55°C),55年(＋35°C)
●動作電源電圧：3.0V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流10mA(Typ)
スタンバイ電流10μA(Typ)
●動作周囲温度：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R1002ANC-GE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R1002ANC-GE1 3 1 Mbit(64k × 16) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 3.6V 16bits 1Mbit 150nsec 64K パラレル(非同期) 10^10回/バイト 10年（＋55℃） 48 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：65,536ワード×16ビット
●LB,UB切換え機能
●書込み/読出し耐性：10^10回/バイト
●データ保持特性：10年(＋55°C),55年(＋35°C)
●動作電源電圧：3.0V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流10mA(Typ)
スタンバイ電流10μA(Typ)
●動作周囲温度：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R1002ANC-GE1 |
3 |
- |
1 Mbit(64k × 16) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
64K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^10回/バイト |
10年（＋55℃） |
3V～3.6V |
-40℃～85℃ |
48 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
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MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
FRAM MB85R256FPFCN-G-BNDE1 MB85R256FPFCN-G-BNDE1 MB85R256FPFCN-G-BNDE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成 ：32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性 ：10^12 回/バイト
●データ保持特性 ：
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧 ：2.7 V～ 3.6 V
●低消費電力 ：
動作電源電流5 mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度 ：－ 40 °C～＋85 °C
●パッケージ ：
プラスチック・TSOP (1),28ピン(FPT-28P-M19)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R256FPFCN-G-BNDE1.png circuit_data.zip parts_list.xls mdl.zip cadpart.zip MB85R256FPFCN-G-BNDE1 2 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 256kbit 150nsec 32K パラレル(非同期) 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 28 SOP系 TSOP(1) MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成 ：32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性 ：10^12 回/バイト
●データ保持特性 ：
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧 ：2.7 V～ 3.6 V
●低消費電力 ：
動作電源電流5 mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度 ：－ 40 °C～＋85 °C
●パッケージ ：
プラスチック・TSOP (1),28ピン(FPT-28P-M19)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R256FPFCN-G-BNDE1 |
2 |
- |
256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
28 |
SOP系 |
TSOP(1) |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
- |
- |
- |
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- |
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MB85R256FPNF-G-JNE2 |
MB85R256FPNF-G-JNE2 |
MB85R256FPNF-G-JNE2 |
FRAM MB85R256FPNF-G-JNE2 MB85R256FPNF-G-JNE2 MB85R256FPNF-G-JNE2 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：
10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：2.7V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流5mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチック・SOP,28ピン(FPT-28P-M01)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R256FPNF-G-JNE2.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R256FPNF-G-JNE2 2 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 256kbit 150nsec 32K パラレル(非同期) 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 28 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：
10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：2.7V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流5mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチック・SOP,28ピン(FPT-28P-M01)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R256FPNF-G-JNE2 |
2 |
- |
256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
28 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
- |
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MB85R256FPNF-G-JNERE2 |
MB85R256FPNF-G-JNERE2 |
MB85R256FPNF-G-JNERE2 |
FRAM MB85R256FPNF-G-JNERE2 MB85R256FPNF-G-JNERE2 MB85R256FPNF-G-JNERE2 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：
10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：2.7V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流5mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチック・SOP,28ピン(FPT-28P-M01)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R256FPNF-G-JNERE2.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R256FPNF-G-JNERE2 2 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 256kbit 150nsec 32K パラレル(非同期) 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 28 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：
10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：2.7V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流5mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチック・SOP,28ピン(FPT-28P-M01)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R256FPNF-G-JNERE2 |
2 |
- |
256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
28 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
- |
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MB85R4001ANC-GE1 |
MB85R4001ANC-GE1 |
MB85R4001ANC-GE1 |
FRAM MB85R4001ANC-GE1 MB85R4001ANC-GE1 MB85R4001ANC-GE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：524,288ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性：10^10回/バイト
●データ保持特性：10年(＋55°C),55年(＋35°C)
●動作電源電圧：3.0V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流15mA(標準)
スタンバイ電流50μA(標準)
●動作周囲温度：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R4001ANC-GE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R4001ANC-GE1 4 4 Mbit(512k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 3.6V 8bits 4Mbit 150nsec 512K パラレル(非同期) 10^10回/バイト 10年（＋55℃） 48 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：524,288ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性：10^10回/バイト
●データ保持特性：10年(＋55°C),55年(＋35°C)
●動作電源電圧：3.0V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流15mA(標準)
スタンバイ電流50μA(標準)
●動作周囲温度：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R4001ANC-GE1 |
4 |
- |
4 Mbit(512k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4Mbit |
512K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^10回/バイト |
10年（＋55℃） |
3V～3.6V |
-40℃～85℃ |
48 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85R4002ANC-GE1 |
MB85R4002ANC-GE1 |
MB85R4002ANC-GE1 |
FRAM MB85R4002ANC-GE1 MB85R4002ANC-GE1 MB85R4002ANC-GE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：262,144ワード×16ビット
●LB,UB切換え機能
●書込み/読出し耐性：10^10回/バイト
●データ保持特性：10年(＋55°C),55年(＋35°C)
●動作電源電圧：3.0V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流15mA(標準)
スタンバイ電流50μA(標準)
●動作周囲温度：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R4002ANC-GE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R4002ANC-GE1 3 4 Mbit(256k × 16) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 3.6V 16bits 4Mbit 150nsec 256K パラレル(非同期) 10^10回/バイト 10年（＋55℃） 48 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：262,144ワード×16ビット
●LB,UB切換え機能
●書込み/読出し耐性：10^10回/バイト
●データ保持特性：10年(＋55°C),55年(＋35°C)
●動作電源電圧：3.0V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流15mA(標準)
スタンバイ電流50μA(標準)
●動作周囲温度：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R4002ANC-GE1 |
3 |
- |
4 Mbit(256k × 16) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4Mbit |
256K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^10回/バイト |
10年（＋55℃） |
3V～3.6V |
-40℃～85℃ |
48 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
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MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
FRAM MB85R4M2TFN-G-ASE1 MB85R4M2TFN-G-ASE1 MB85R4M2TFN-G-ASE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能：524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み／読出し耐性：10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性 ：10 年 (＋85°C)
●動作電源電圧：1.8V ～ 3.6V
●低消費電力：
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
スリープ電流 20 µA (Max)
●動作周囲温度：－40℃ ～ ＋85℃
●パッケージ：
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。 2014/01/01 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R4M2TFN-G-ASE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R4M2TFN-G-ASE1 3 4 Mbit(256k × 16) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 16bits 4Mbit 150nsec 256K パラレル(非同期) 10^13回/16ビット 10年（＋85℃） 44 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_3rd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能：524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み／読出し耐性：10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性 ：10 年 (＋85°C)
●動作電源電圧：1.8V ～ 3.6V
●低消費電力：
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
スリープ電流 20 µA (Max)
●動作周囲温度：－40℃ ～ ＋85℃
●パッケージ：
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
2014/01 |
MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
3 |
- |
4 Mbit(256k × 16) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4Mbit |
256K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^13回/16ビット |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
44 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_3rd_R |
- |
- |
- |
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- |
- |
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- |
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|
|
MB85RC04VPNF-G-JNE1 |
MB85RC04VPNF-G-JNE1 |
MB85RC04VPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC04VPNF-G-JNE1 MB85RC04VPNF-G-JNE1 MB85RC04VPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:512ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧:3.0V～5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:－40°C～＋85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC04VPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC04VPNF-G-JNE1 4 4 kbit(512 × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 1MHz 4kbit 512 I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:512ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧:3.0V～5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:－40°C～＋85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC04VPNF-G-JNE1 |
4 |
- |
4 kbit(512 × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4kbit |
512 |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
3V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
- |
- |
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- |
- |
- |
- |
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- |
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- |
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|
|
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 |
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 |
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC04VPNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:512ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧:3.0V～5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:－40°C～＋85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC04VPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4 4 kbit(512 × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 1MHz 4kbit 512 I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:512ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧:3.0V～5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:－40°C～＋85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
4 kbit(512 × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4kbit |
512 |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
3V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
- |
- |
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- |
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|
|
MB85RC128APNF-G-JNE1 |
MB85RC128APNF-G-JNE1 |
MB85RC128APNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC128APNF-G-JNE1 MB85RC128APNF-G-JNE1 MB85RC128APNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：16,384 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性：10^12 回/バイト
●データ保持特性：
10 年( ＋ 85 ℃), 95 年( ＋ 55 ℃), 200 年以上 ( ＋ 35 ℃)
●動作電源電圧：2.7 V ～ 3.6 V
●低消費電力：
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲：－ 40 ℃ ～＋ 85 ℃
●パッケージ：
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC128APNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC128APNF-G-JNE1 4 128 kbit(16k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 128kbit 16K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：16,384 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性：10^12 回/バイト
●データ保持特性：
10 年( ＋ 85 ℃), 95 年( ＋ 55 ℃), 200 年以上 ( ＋ 35 ℃)
●動作電源電圧：2.7 V ～ 3.6 V
●低消費電力：
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲：－ 40 ℃ ～＋ 85 ℃
●パッケージ：
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RC128APNF-G-JNE1 |
4 |
- |
128 kbit(16k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
128kbit |
16K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
- |
- |
- |
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- |
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- |
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|
|
MB85RC128APNF-G-JNERE1 |
MB85RC128APNF-G-JNERE1 |
MB85RC128APNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC128APNF-G-JNERE1 MB85RC128APNF-G-JNERE1 MB85RC128APNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：16,384 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性：10^12 回/バイト
●データ保持特性：
10 年( ＋ 85 ℃), 95 年( ＋ 55 ℃), 200 年以上 ( ＋ 35 ℃)
●動作電源電圧：2.7 V ～ 3.6 V
●低消費電力：
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲：－ 40 ℃ ～＋ 85 ℃
●パッケージ：
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC128APNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC128APNF-G-JNERE1 4 128 kbit(16k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 128kbit 16K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：16,384 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性：10^12 回/バイト
●データ保持特性：
10 年( ＋ 85 ℃), 95 年( ＋ 55 ℃), 200 年以上 ( ＋ 35 ℃)
●動作電源電圧：2.7 V ～ 3.6 V
●低消費電力：
動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)
スタンバイ電流 5 μA (Typ)
●動作温度範囲：－ 40 ℃ ～＋ 85 ℃
●パッケージ：
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RC128APNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
128 kbit(16k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
128kbit |
16K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
- |
- |
- |
- |
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|
|
MB85RC16PN-G-AMERE1 |
MB85RC16PN-G-AMERE1 |
MB85RC16PN-G-AMERE1 |
FRAM MB85RC16PN-G-AMERE1 MB85RC16PN-G-AMERE1 MB85RC16PN-G-AMERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：2.7V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックSON,8ピン(LCC-8P-M04)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC16PN-G-AMERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC16PN-G-AMERE1 4 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 16kbit 2K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SON MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：2.7V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックSON,8ピン(LCC-8P-M04)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC16PN-G-AMERE1 |
4 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SON |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
- |
- |
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- |
- |
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- |
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- |
- |
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|
|
MB85RC16PNF-G-JNE1 |
MB85RC16PNF-G-JNE1 |
MB85RC16PNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC16PNF-G-JNE1 MB85RC16PNF-G-JNE1 MB85RC16PNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：2.7V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC16PNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC16PNF-G-JNE1 4 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 16kbit 2K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：2.7V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC16PNF-G-JNE1 |
4 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
- |
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- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
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- |
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- |
|
|
MB85RC16PNF-G-JNERE1 |
MB85RC16PNF-G-JNERE1 |
MB85RC16PNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：2.7V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC16PNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC16PNF-G-JNERE1 4 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 16kbit 2K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：2.7V～3.6V
●低消費電力：
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC16PNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 |
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 |
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 |
FRAM MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：3.0V～5.5V
●低消費電力：
動作電源電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC16VPNF-G-JNN1E1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 4 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 1MHz 16kbit 2K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：3.0V～5.5V
●低消費電力：
動作電源電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 |
4 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
3V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
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- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 |
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 |
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 |
FRAM MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：3.0V～5.5V
●低消費電力：
動作電源電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 4 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 1MHz 16kbit 2K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース：
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数：1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性：10^12回/バイト
●データ保持特性：10年(＋85°C),95年(＋55°C),200年以上(＋35°C)
●動作電源電圧：3.0V～5.5V
●低消費電力：
動作電源電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲：－40°C～＋85°C
●パッケージ：
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 |
4 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
3V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC1MTPNF-G-JNE1 MB85RC1MTPNF-G-JNE1 MB85RC1MTPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC1MTPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC1MTPNF-G-JNE1 4 1 Mbit(128k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 1Mbit 128K I2C 10^13回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
4 |
- |
1 Mbit(128k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
128K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
- |
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|
|
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC1MTPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 4 1 Mbit(128k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 1Mbit 128K I2C 10^13回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
1 Mbit(128k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
128K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
- |
- |
- |
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MB85RC256VPF-G-JNE2 |
MB85RC256VPF-G-JNE2 |
MB85RC256VPF-G-JNE2 |
FRAM MB85RC256VPF-G-JNE2 MB85RC256VPF-G-JNE2 MB85RC256VPF-G-JNE2 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ～ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M08)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC256VPF-G-JNE2.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC256VPF-G-JNE2 4 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 5.5V 8bits 1MHz 256kbit 32K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ～ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M08)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RC256VPF-G-JNE2 |
4 |
- |
256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
- |
- |
- |
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- |
- |
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- |
- |
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|
MB85RC256VPF-G-JNERE2 |
MB85RC256VPF-G-JNERE2 |
MB85RC256VPF-G-JNERE2 |
FRAM MB85RC256VPF-G-JNERE2 MB85RC256VPF-G-JNERE2 MB85RC256VPF-G-JNERE2 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ～ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M08)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC256VPF-G-JNERE2.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC256VPF-G-JNERE2 4 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 5.5V 8bits 1MHz 256kbit 32K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ～ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M08)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RC256VPF-G-JNERE2 |
4 |
- |
256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
- |
- |
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- |
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- |
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MB85RC256VPNF-G-JNE1 |
MB85RC256VPNF-G-JNE1 |
MB85RC256VPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC256VPNF-G-JNE1 MB85RC256VPNF-G-JNE1 MB85RC256VPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ～ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC256VPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC256VPNF-G-JNE1 4 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 5.5V 8bits 1MHz 256kbit 32K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ～ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
- |
MB85RC256VPNF-G-JNE1 |
4 |
- |
256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
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FRAM MB85RC256VPNF-G-JNERE1 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 MB85RC256VPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ～ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC256VPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC256VPNF-G-JNERE1 4 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 5.5V 8bits 1MHz 256kbit 32K I2C 10^12回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_1st_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768 ワード× 8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1 MHz (Max)
●書込み/読出し耐性:10^12 回/バイト
●データ保持特性:
10 年( ＋ 85 °C), 95 年( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)
●動作電源電圧:2.7 V ～ 5.5 V
●低消費電力:
動作電流200 μA (Max @ 1 MHz)
スタンバイ電流 27 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
本製品は RoHS 指令に適合しています。 |
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MB85RC256VPNF-G-JNERE1 |
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256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
I2C |
1MHz |
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10^12回/バイト |
10年（＋85℃） |
2.7V～5.5V |
-40℃～85℃ |
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SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
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MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
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MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC512TPNF-G-JNE1 MB85RC512TPNF-G-JNE1 MB85RC512TPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC512TPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC512TPNF-G-JNE1 4 512 kbit(64k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 512kbit 64K I2C 10^13回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
4 |
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512 kbit(64k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
512kbit |
64K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
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10^13回/バイト |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
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FRAM MB85RC512TPNF-G-JNERE1 MB85RC512TPNF-G-JNERE1 MB85RC512TPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC512TPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC512TPNF-G-JNERE1 4 512 kbit(64k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 512kbit 64K I2C 10^13回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
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512 kbit(64k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
512kbit |
64K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
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10^13回/バイト |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
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SOP系 |
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