|
RP508K181B |
- |
- |
DC-DC RP508K181B Nisshinbo Micro Devices ●入力電圧範囲 (Vin)
2.3 V ~ 5.5 V (絶対最大定格:6.5 V)
●出力電圧範囲(Vout)
0.8V ~ 3.3 V (0.1 Vステップで設定可能)
●消費電流(IDD2)
Typ. 15 µA (VFMモード、無負荷時)
●消費電流 (Istandby)
Typ. 0 µA
●出力電圧温度係数(∆VOUT / Ta)·
Typ. ±100 ppm/°C
●発振周波数(fosc)
Typ. 6.0 MHz
●最大デューティ(Maxduty)
100%
●内蔵ドライバON抵抗(RONP, RONN)
Typ. Pch. 0.33 Ω, Nch. 0.24 Ω (VIN = 3.6 V時)
●UVLO検出電圧(VUVLO01)
Typ. 2.0 V
●ソフトスタート時間(tstart)
Typ. 90 μs
●コイル電流制限回路(ILXLIM)
Typ. 1.1 Aで制限
●出力電圧精度
±1.5%
●パッケージ
DFN(PL)1212-6F RP508K181B.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip RP508K181B 4 同期整流型 600 mA 6 MHz 降圧 DC/DCコンバータ 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 • 携帯電話
• スマートフォン
• デジタルカメラ
• ノートPC、携帯通信機器
• Li-ionバッテリー使用機器 低電圧誤動作防止回路 (UVLO)、電流制限回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 2.3V 5.5V 1ch 1.8V 1.8V 0.6A 1.5% 非絶縁 降圧型 6.0 MHz MSt_DCDC_Nisshinbo_1st_R |
Nisshinbo Micro Devices |
●入力電圧範囲 (Vin)
2.3 V ~ 5.5 V (絶対最大定格:6.5 V)
●出力電圧範囲(Vout)
0.8V ~ 3.3 V (0.1 Vステップで設定可能)
●消費電流(IDD2)
Typ. 15 µA (VFMモード、無負荷時)
●消費電流 (Istandby)
Typ. 0 µA
●出力電圧温度係数(∆VOUT / Ta)·
Typ. ±100 ppm/°C
●発振周波数(fosc)
Typ. 6.0 MHz
●最大デューティ(Maxduty)
100%
●内蔵ドライバON抵抗(RONP, RONN)
Typ. Pch. 0.33 Ω, Nch. 0.24 Ω (VIN = 3.6 V時)
●UVLO検出電圧(VUVLO01)
Typ. 2.0 V
●ソフトスタート時間(tstart)
Typ. 90 μs
●コイル電流制限回路(ILXLIM)
Typ. 1.1 Aで制限
●出力電圧精度
±1.5%
●パッケージ
DFN(PL)1212-6F |
- |
RP508K181B |
- |
4 |
- |
降圧型 |
同期整流型 600 mA 6 MHz 降圧 DC/DCコンバータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
• 携帯電話
• スマートフォン
• デジタルカメラ
• ノートPC、携帯通信機器
• Li-ionバッテリー使用機器 |
低電圧誤動作防止回路 (UVLO)、電流制限回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃~85℃ |
2.3V~5.5V |
1.8V |
~0.6A |
1ch |
1.5% |
- |
6.0 MHz |
非絶縁 |
- |
- |
- |
- |
MSt_DCDC_Nisshinbo_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
RP508K331B |
- |
- |
DC-DC RP508K331B Nisshinbo Micro Devices ●入力電圧範囲 (Vin)
2.3 V ~ 5.5 V (絶対最大定格:6.5 V)
●出力電圧範囲(Vout)
0.8V ~ 3.3 V (0.1 Vステップで設定可能)
●消費電流(IDD2)
Typ. 15 µA (VFMモード、無負荷時)
●消費電流 (Istandby)
Typ. 0 µA
●出力電圧温度係数(∆VOUT / Ta)·
Typ. ±100 ppm/°C
●発振周波数(fosc)
Typ. 6.0 MHz
●最大デューティ(Maxduty)
100%
●内蔵ドライバON抵抗(RONP, RONN)
Typ. Pch. 0.33 Ω, Nch. 0.24 Ω (VIN = 3.6 V時)
●UVLO検出電圧(VUVLO01)
Typ. 2.0 V
●ソフトスタート時間(tstart)
Typ. 90 μs
●コイル電流制限回路(ILXLIM)
Typ. 1.1 Aで制限
●出力電圧精度
±1.5%
●パッケージ
DFN(PL)1212-6F RP508K331B.png circuit_data.zip parts_list.xls footprint.zip cadpart.zip RP508K331B 4 同期整流型 600 mA 6 MHz 降圧 DC/DCコンバータ 鉛フリー ハロゲンフリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 • 携帯電話
• スマートフォン
• デジタルカメラ
• ノートPC、携帯通信機器
• Li-ionバッテリー使用機器 低電圧誤動作防止回路 (UVLO)、電流制限回路、サーマルシャットダウン回路 -40℃ 85℃ 2.3V 5.5V 1ch 3.3V 3.3V 0.6A 1.5% 非絶縁 降圧型 6.0 MHz MSt_DCDC_Nisshinbo_1st_R |
Nisshinbo Micro Devices |
●入力電圧範囲 (Vin)
2.3 V ~ 5.5 V (絶対最大定格:6.5 V)
●出力電圧範囲(Vout)
0.8V ~ 3.3 V (0.1 Vステップで設定可能)
●消費電流(IDD2)
Typ. 15 µA (VFMモード、無負荷時)
●消費電流 (Istandby)
Typ. 0 µA
●出力電圧温度係数(∆VOUT / Ta)·
Typ. ±100 ppm/°C
●発振周波数(fosc)
Typ. 6.0 MHz
●最大デューティ(Maxduty)
100%
●内蔵ドライバON抵抗(RONP, RONN)
Typ. Pch. 0.33 Ω, Nch. 0.24 Ω (VIN = 3.6 V時)
●UVLO検出電圧(VUVLO01)
Typ. 2.0 V
●ソフトスタート時間(tstart)
Typ. 90 μs
●コイル電流制限回路(ILXLIM)
Typ. 1.1 Aで制限
●出力電圧精度
±1.5%
●パッケージ
DFN(PL)1212-6F |
- |
RP508K331B |
- |
4 |
- |
降圧型 |
同期整流型 600 mA 6 MHz 降圧 DC/DCコンバータ |
鉛フリー,ハロゲンフリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
• 携帯電話
• スマートフォン
• デジタルカメラ
• ノートPC、携帯通信機器
• Li-ionバッテリー使用機器 |
低電圧誤動作防止回路 (UVLO)、電流制限回路、サーマルシャットダウン回路 |
-40℃~85℃ |
2.3V~5.5V |
3.3V |
~0.6A |
1ch |
1.5% |
- |
6.0 MHz |
非絶縁 |
- |
- |
- |
- |
MSt_DCDC_Nisshinbo_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|