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CY14B101LA-SP25XI |
CY14B101LA-SP25XI |
CY14B101LA-SP25XI |
nvSRAM CY14B101LA-SP25XI CY14B101LA-SP25XI CY14B101LA-SP25XI CYPRESS ■ 1Mbit (128 K × 8) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード： 25ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ -40～85℃使用環境
■ Rohs(Pb-free, 非危険物質) 対応 48pin shrink small-outline package (SSOP) CY14B101LA-SP25XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14B101LA-SP25XI 6 1024-Kbit
(128Kb x 8)
Non-Volatile SRAM 1024k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
高速アクセスタイム（25ns) RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1024kbit 25nsec 128K パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃） 48 SOP系 48-SSOP MSt_nvSRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
■ 1Mbit (128 K × 8) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード： 25ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ -40～85℃使用環境
■ Rohs(Pb-free, 非危険物質) 対応 48pin shrink small-outline package (SSOP) |
- |
CY14B101LA-SP25XI |
6 |
- |
1024-Kbit
(128Kb x 8)
Non-Volatile SRAM |
1024k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
高速アクセスタイム（25ns) |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
1024kbit |
128K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
25nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
48 |
SOP系 |
48-SSOP |
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MSt_nvSRAM_CYPRESS_1st_R |
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CY14B101NA-ZS45XI |
CY14B101NA-ZS45XI |
nvSRAM CY14B101NA-ZS45XI CY14B101NA-ZS45XI CY14B101NA-ZS45XI CYPRESS ■ 1Mbit (64 K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード： 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ -40～85℃使用環境
■ Rohs(Pb-free, 非危険物質) 対応 54-pin thin small outline package (TSOP) Type II CY14B101NA-ZS45XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14B101NA-ZS45XI 5 1024-Kbit
(64Kb x 16)
Non-Volatile SRAM 1024k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 16bits 1024kbit 45nsec 65536 パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃） 44 SOP系 44-TSOP MSt_nvSRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
■ 1Mbit (64 K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード： 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ -40～85℃使用環境
■ Rohs(Pb-free, 非危険物質) 対応 54-pin thin small outline package (TSOP) Type II |
- |
CY14B101NA-ZS45XI |
5 |
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1024-Kbit
(64Kb x 16)
Non-Volatile SRAM |
1024k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
1024kbit |
65536 |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
45nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
44 |
SOP系 |
44-TSOP |
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MSt_nvSRAM_CYPRESS_1st_R |
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CY14B104NA-ZS45XI |
CY14B104NA-ZS45XI |
nvSRAM CY14B104NA-ZS45XI CY14B104NA-ZS45XI CY14B104NA-ZS45XI CYPRESS ■ 4Mbit (256 K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード： 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ -40～85℃使用環境
■ Rohs(Pb-free, 非危険物質) 対応 44-pin thin small outline package (TSOP) Type II CY14B104NA-ZS45XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14B104NA-ZS45XI 5 4096-Kbit
(256Kb x 16)
Non-Volatile SRAM 4096K 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 16bits 4096kbit 45nsec 256K パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃） 44 SOP系 44-TSOP MSt_nvSRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
■ 4Mbit (256 K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード： 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ -40～85℃使用環境
■ Rohs(Pb-free, 非危険物質) 対応 44-pin thin small outline package (TSOP) Type II |
- |
CY14B104NA-ZS45XI |
5 |
- |
4096-Kbit
(256Kb x 16)
Non-Volatile SRAM |
4096K 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
4096kbit |
256K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
45nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
44 |
SOP系 |
44-TSOP |
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MSt_nvSRAM_CYPRESS_1st_R |
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