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MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC1MTPNF-G-JNE1 MB85RC1MTPNF-G-JNE1 MB85RC1MTPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC1MTPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC1MTPNF-G-JNE1 4 1 Mbit(128k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 1Mbit 128K I2C 10^13回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC1MTPNF-G-JNE1 |
4 |
- |
1 Mbit(128k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
128K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
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MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC1MTPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 4 1 Mbit(128k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 1Mbit 128K I2C 10^13回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:131,072 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
1 Mbit(128k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
128K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
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MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
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MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC512TPNF-G-JNE1 MB85RC512TPNF-G-JNE1 MB85RC512TPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC512TPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC512TPNF-G-JNE1 4 512 kbit(64k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 512kbit 64K I2C 10^13回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC512TPNF-G-JNE1 |
4 |
- |
512 kbit(64k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
512kbit |
64K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
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- |
MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
- |
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MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC512TPNF-G-JNERE1 MB85RC512TPNF-G-JNERE1 MB85RC512TPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 2014/02/01 MB85RC512TPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC512TPNF-G-JNERE1 4 512 kbit(64k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 3.4MHz 512kbit 64K I2C 10^13回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●2 線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック (SCL) とシリアルデータ(SDA) の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:
3.4 MHz ( 超高速モード時， Max)
1 MHz ( 高速モードプラス時， Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回 / バイト
●データ保持特性:10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力:
動作電流1.2 mA (Max @ 3.4 MHz)
スタンバイ電流 15 μA (Typ)
スリープ電流 4 μA (Typ)
●動作温度範囲: － 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)
RoHS 指令に適合しています。 |
2014/02 |
MB85RC512TPNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
512 kbit(64k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
512kbit |
64K |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
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- |
MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
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MB85RS512TPNF-G-JNE1 |
MB85RS512TPNF-G-JNE1 |
MB85RS512TPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RS512TPNF-G-JNE1 MB85RS512TPNF-G-JNE1 MB85RS512TPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：65,536 ワード×8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース：
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数：
1.8 V ～ 2.7 V, 25 MHz (Max)
2.7 V ～ 3.6 V, 30 MHz (Max)
ただし, FSTRD コマンドは2.7 V ～ 3.6 V, 40 MHz (Max)
●書込み/ 読出し耐性：10^13 回/ バイト
●データ保持特性：10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧：1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力：
動作電源電流10 mA (Max@30 MHz)
スタンバイ電流120 μA (Max)
スリープ電流 10 μA (Max)
●動作周囲温度：－ 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ：
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 2014/03/01 MB85RS512TPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS512TPNF-G-JNE1 2 512 kbit(64k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 30MHz 512kbit 64K SPI 10^13回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：65,536 ワード×8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース：
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数：
1.8 V ～ 2.7 V, 25 MHz (Max)
2.7 V ～ 3.6 V, 30 MHz (Max)
ただし, FSTRD コマンドは2.7 V ～ 3.6 V, 40 MHz (Max)
●書込み/ 読出し耐性：10^13 回/ バイト
●データ保持特性：10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧：1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力：
動作電源電流10 mA (Max@30 MHz)
スタンバイ電流120 μA (Max)
スリープ電流 10 μA (Max)
●動作周囲温度：－ 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ：
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
2014/03 |
MB85RS512TPNF-G-JNE1 |
2 |
- |
512 kbit(64k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
512kbit |
64K |
8bits |
SPI |
30MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
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MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
- |
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MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RS512TPNF-G-JNERE1 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 MB85RS512TPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成：65,536 ワード×8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース：
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数：
1.8 V ～ 2.7 V, 25 MHz (Max)
2.7 V ～ 3.6 V, 30 MHz (Max)
ただし, FSTRD コマンドは2.7 V ～ 3.6 V, 40 MHz (Max)
●書込み/ 読出し耐性：10^13 回/ バイト
●データ保持特性：10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧：1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力：
動作電源電流10 mA (Max@30 MHz)
スタンバイ電流120 μA (Max)
スリープ電流 10 μA (Max)
●動作周囲温度：－ 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ：
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 2014/03/01 MB85RS512TPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS512TPNF-G-JNERE1 2 512 kbit(64k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 30MHz 512kbit 64K SPI 10^13回/バイト 10年（＋85℃） 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成：65,536 ワード×8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース：
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数：
1.8 V ～ 2.7 V, 25 MHz (Max)
2.7 V ～ 3.6 V, 30 MHz (Max)
ただし, FSTRD コマンドは2.7 V ～ 3.6 V, 40 MHz (Max)
●書込み/ 読出し耐性：10^13 回/ バイト
●データ保持特性：10 年( ＋ 85 °C)
●動作電源電圧：1.8 V ～ 3.6 V
●低消費電力：
動作電源電流10 mA (Max@30 MHz)
スタンバイ電流120 μA (Max)
スリープ電流 10 μA (Max)
●動作周囲温度：－ 40 °C ～＋ 85 °C
●パッケージ：
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。 |
2014/03 |
MB85RS512TPNF-G-JNERE1 |
2 |
- |
512 kbit(64k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
512kbit |
64K |
8bits |
SPI |
30MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年（＋85℃） |
1.8V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
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MSt_FRAM_FUJITSU_4th_R |
- |
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