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FM24C64B-G |
FM24C64B-G |
FM24C64B-G |
FRAM FM24C64B-G FM24C64B-G FM24C64B-G CYPRESS □ 64Kbit (8,192x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^12 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 シリアル・インターフェース
❐ 最大1MHzまでのバス動作
❐ 既存の 100KHz、400KHzタイミングをサポート
❐ EEPROMからの置き換え可能
□低消費電力
❐ 5V電源電圧
❐ 100μA (max.) 動作電流 (100kHz時)
❐ 4μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM24C64B-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM24C64B-G 4 64-Kbit
Serial FRAM 64k I2CシリアルIF FRAM
5V電源動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 4.5V 5.5V 8bits 1MHz 64kbit 8192 I2C 10^12 10年間(+85℃）
38年間(+75℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 64Kbit (8,192x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^12 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 シリアル・インターフェース
❐ 最大1MHzまでのバス動作
❐ 既存の 100KHz、400KHzタイミングをサポート
❐ EEPROMからの置き換え可能
□低消費電力
❐ 5V電源電圧
❐ 100μA (max.) 動作電流 (100kHz時)
❐ 4μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM24C64B-G |
4 |
- |
64-Kbit
Serial FRAM |
64k I2CシリアルIF FRAM
5V電源動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8192 |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12 |
10年間(+85℃）
38年間(+75℃） |
4.5V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
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- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
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FM24CL16B-G |
FM24CL16B-G |
FM24CL16B-G |
FRAM FM24CL16B-G FM24CL16B-G FM24CL16B-G CYPRESS □ 16Kbit (2,048x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 シリアル・インターフェース
❐ 最大1MHzまでのバス動作
❐ 既存の 100KHz、400KHzタイミングをサポート
❐ EEPROMからの置き換え可能
□低消費電力
❐ 2.7～3.65V電源電圧
❐ 100μA (max.) 動作電流 (100kHz時)
❐ 3μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ+D18 FM24CL16B-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM24CL16B-G 4 16-Kbit
Serial FRAM 16k I2CシリアルIF FRAM RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.65V 8bits 1MHz 16kbit 2048 I2C 10^12 10年間(+85℃）
38年間(+75℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 16Kbit (2,048x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 シリアル・インターフェース
❐ 最大1MHzまでのバス動作
❐ 既存の 100KHz、400KHzタイミングをサポート
❐ EEPROMからの置き換え可能
□低消費電力
❐ 2.7～3.65V電源電圧
❐ 100μA (max.) 動作電流 (100kHz時)
❐ 3μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ+D18 |
- |
FM24CL16B-G |
4 |
- |
16-Kbit
Serial FRAM |
16k I2CシリアルIF FRAM |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2048 |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12 |
10年間(+85℃）
38年間(+75℃） |
2.7V～3.65V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
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FM24CL64B-G |
FM24CL64B-G |
FM24CL64B-G |
FRAM FM24CL64B-G FM24CL64B-G FM24CL64B-G CYPRESS □ 64Kbit (8,192x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 シリアル・インターフェース
❐ 最大1MHzまでのバス動作
❐ 既存の 100KHz、400KHzタイミングをサポート
❐ EEPROMからの置き換え可能
□低消費電力
❐ 2.7～3.65V電源電圧
❐ 100μA (max.) 動作電流 (100kHz時)
❐ 3μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM24CL64B-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM24CL64B-G 4 64-Kbit
Serial FRAM 64k I2CシリアルIF FRAM RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 64kbit 8192 I2C 10^12 10年間(+85℃）
38年間(+75℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 64Kbit (8,192x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 シリアル・インターフェース
❐ 最大1MHzまでのバス動作
❐ 既存の 100KHz、400KHzタイミングをサポート
❐ EEPROMからの置き換え可能
□低消費電力
❐ 2.7～3.65V電源電圧
❐ 100μA (max.) 動作電流 (100kHz時)
❐ 3μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM24CL64B-G |
4 |
- |
64-Kbit
Serial FRAM |
64k I2CシリアルIF FRAM |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8192 |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12 |
10年間(+85℃）
38年間(+75℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
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FM24V02-G |
FM24V02-G |
FM24V02-G |
FRAM FM24V02-G FM24V02-G FM24V02-G CYPRESS □ 256Kbit (32,768x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 シリアル・インターフェース
❐ 最大3.4MHzまでのバス動作
❐ 既存の 100KHz、400KHzタイミングをサポート
❐ EEPROMからの置き換え可能
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 175μA (max.) 動作電流 (100kHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM24V02-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM24V02-G 4 256-Kbit
Serial FRAM 256k I2CシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2V 3.6V 8bits 3.4MHz 256kbit 32768 I2C 10^14 10年間(+85℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 256Kbit (32,768x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 シリアル・インターフェース
❐ 最大3.4MHzまでのバス動作
❐ 既存の 100KHz、400KHzタイミングをサポート
❐ EEPROMからの置き換え可能
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 175μA (max.) 動作電流 (100kHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM24V02-G |
4 |
- |
256-Kbit
Serial FRAM |
256k I2CシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32768 |
8bits |
I2C |
3.4MHz |
- |
10^14 |
10年間(+85℃） |
2V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
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- |
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- |
- |
- |
- |
- |
- |
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|
FM24W256-G |
FM24W256-G |
FM24W256-G |
FRAM FM24W256-G FM24W256-G FM24W256-G CYPRESS □ 256Kbit (32,768x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 シリアル・インターフェース
❐ 最大1MHzまでのバス動作
❐ 既存の 100KHz、400KHzタイミングをサポート
❐ EEPROMからの置き換え可能
□低消費電力
❐ 2.7～5.5V広範囲電源電圧
❐ 100μA (max.) 動作電流 (100kHz時)
❐ 15μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM24W256-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM24W256-G 4 256-Kbit
Serial FRAM 256k I2CシリアルIF FRAM
3.0-5.0V電圧動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 5.5V 8bits 1MHz 256kbit 32768 I2C 10^14 10年間(+85℃）
38年間(+75℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 256Kbit (32,768x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 シリアル・インターフェース
❐ 最大1MHzまでのバス動作
❐ 既存の 100KHz、400KHzタイミングをサポート
❐ EEPROMからの置き換え可能
□低消費電力
❐ 2.7～5.5V広範囲電源電圧
❐ 100μA (max.) 動作電流 (100kHz時)
❐ 15μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM24W256-G |
4 |
- |
256-Kbit
Serial FRAM |
256k I2CシリアルIF FRAM
3.0-5.0V電圧動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32768 |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^14 |
10年間(+85℃）
38年間(+75℃） |
2.7V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
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- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
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- |
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FM25640B-G |
FM25640B-G |
FM25640B-G |
FRAM FM25640B-G FM25640B-G FM25640B-G CYPRESS □ 64Kbit (8,192x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^12 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3シリアル・インターフェース
❐ 最大20MHzまでのバス動作
❐ EEPROM からの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□低消費電力
❐ 5V電源電圧
❐ 250μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 4μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM25640B-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM25640B-G 2 64-Kbit
Serial FRAM 64k SPIシリアルIF FRAM
5V電源動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 4.5V 5.5V 8bits 20MHz 64kbit 8192 SPI 10^12 10年間(+85℃）
38年間(+75℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 64Kbit (8,192x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^12 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3シリアル・インターフェース
❐ 最大20MHzまでのバス動作
❐ EEPROM からの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□低消費電力
❐ 5V電源電圧
❐ 250μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 4μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM25640B-G |
2 |
- |
64-Kbit
Serial FRAM |
64k SPIシリアルIF FRAM
5V電源動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8192 |
8bits |
SPI |
20MHz |
- |
10^12 |
10年間(+85℃）
38年間(+75℃） |
4.5V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
FM25CL64B-G |
FM25CL64B-G |
FM25CL64B-G |
FRAM FM25CL64B-G FM25CL64B-G FM25CL64B-G CYPRESS □ 64Kbit (8,192x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3シリアル・インターフェース
❐ 最大20MHzまでのバス動作
❐ EEPROM からの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□低消費電力
❐ 2.7~3.65V電源電圧
❐ 200μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 3μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM25CL64B-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM25CL64B-G 2 64-Kbit
Serial FRAM 64k SPIシリアルIF FRAM RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.65V 8bits 20MHz 64kbit 8192 SPI 10^14 10年間(+85℃）
38年間(+75℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 64Kbit (8,192x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3シリアル・インターフェース
❐ 最大20MHzまでのバス動作
❐ EEPROM からの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□低消費電力
❐ 2.7~3.65V電源電圧
❐ 200μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 3μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM25CL64B-G |
2 |
- |
64-Kbit
Serial FRAM |
64k SPIシリアルIF FRAM |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8192 |
8bits |
SPI |
20MHz |
- |
10^14 |
10年間(+85℃）
38年間(+75℃） |
2.7V～3.65V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
FM25L04B-G |
FM25L04B-G |
FM25L04B-G |
FRAM FM25L04B-G FM25L04B-G FM25L04B-G CYPRESS □ 4Kbit (512x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3シリアル・インターフェース
❐ 最大20MHzまでのバス動作
❐ EEPROM からの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□低消費電力
❐ 2.7~3.6V電源電圧
❐ 200μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 3μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM25L04B-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM25L04B-G 2 4096-bit
Serial FRAM 4k SPIシリアルIF FRAM RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 20MHz 4kbit 512 SPI 10^14 10年間(+85℃）
38年間(+75℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 4Kbit (512x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3シリアル・インターフェース
❐ 最大20MHzまでのバス動作
❐ EEPROM からの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□低消費電力
❐ 2.7~3.6V電源電圧
❐ 200μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 3μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM25L04B-G |
2 |
- |
4096-bit
Serial FRAM |
4k SPIシリアルIF FRAM |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
4kbit |
512 |
8bits |
SPI |
20MHz |
- |
10^14 |
10年間(+85℃）
38年間(+75℃） |
2.7V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
FM25V01-G |
FM25V01-G |
FM25V01-G |
FRAM FM25V01-G FM25V01-G FM25V01-G CYPRESS □ 128Kbit (16,384x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 220μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM25V01-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM25V01-G 2 128-Kbit
Serial FRAM 128k SPIシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2V 3.6V 8bits 40MHz 128kbit 16384 SPI 10^14 10年間(+85℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 128Kbit (16,384x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 220μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM25V01-G |
2 |
- |
128-Kbit
Serial FRAM |
128k SPIシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
128kbit |
16384 |
8bits |
SPI |
40MHz |
- |
10^14 |
10年間(+85℃） |
2V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
FM25V02-G |
FM25V02-G |
FM25V02-G |
FRAM FM25V02-G FM25V02-G FM25V02-G CYPRESS □ 256Kbit (32,768x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 220μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM25V02-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM25V02-G 2 256-Kbit
Serial FRAM 256k SPIシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2V 3.6V 8bits 40MHz 256kbit 32768 SPI 10^14 10年間(+85℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 256Kbit (32,768x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 220μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM25V02-G |
2 |
- |
256-Kbit
Serial FRAM |
256k SPIシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32768 |
8bits |
SPI |
40MHz |
- |
10^14 |
10年間(+85℃） |
2V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
FM25V05-G |
FM25V05-G |
FM25V05-G |
FRAM FM25V05-G FM25V05-G FM25V05-G CYPRESS □ 512Kbit (65,536x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 300μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM25V05-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM25V05-G 2 512-Kbit
Serial FRAM 512k SPIシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2V 3.6V 8bits 40MHz 512kbit 65536 SPI 10^14 10年間(+85℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 512Kbit (65,536x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 300μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM25V05-G |
2 |
- |
512-Kbit
Serial FRAM |
512k SPIシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
512kbit |
65536 |
8bits |
SPI |
40MHz |
- |
10^14 |
10年間(+85℃） |
2V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
FM25V10-G |
FM25V10-G |
FM25V10-G |
FRAM FM25V10-G FM25V10-G FM25V10-G CYPRESS □ 1Mbit (131,072x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 300μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM25V10-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM25V10-G 2 1024-Kbit
Serial FRAM 1024k SPIシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2V 3.6V 8bits 40MHz 1024kbit 128K SPI 10^14 10年間(+85℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 1Mbit (131,072x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 300μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM25V10-G |
2 |
- |
1024-Kbit
Serial FRAM |
1024k SPIシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
1024kbit |
128K |
8bits |
SPI |
40MHz |
- |
10^14 |
10年間(+85℃） |
2V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
FM25V20-G |
FM25V20-G |
FM25V20-G |
FRAM FM25V20-G FM25V20-G FM25V20-G CYPRESS □ 2Mbit (256Kbitx8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間＠+85℃、37年間＠+75℃データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 300uA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 100μA (max.) (typ.) 待機時電流、3μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM25V20-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM25V20-G 2 2048-Kbit
Serial FRAM 2048k SPIシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2V 3.6V 8bits 40MHz 2048kbit 256K SPI 10^14 10年間(+85℃）
37年間(+75℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 2Mbit (256Kbitx8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間＠+85℃、37年間＠+75℃データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0～3.6V電源電圧
❐ 300uA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 100μA (max.) (typ.) 待機時電流、3μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM25V20-G |
2 |
- |
2048-Kbit
Serial FRAM |
2048k SPIシリアルIF FRAM
2.2-3.3V広範囲低電圧動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
2048kbit |
256K |
8bits |
SPI |
40MHz |
- |
10^14 |
10年間(+85℃）
37年間(+75℃） |
2V～3.6V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
FM25W256-G |
FM25W256-G |
FM25W256-G |
FRAM FM25W256-G FM25W256-G FM25W256-G CYPRESS □ 256Kbit (32,768x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大20MHzまでのバス動作
❐ EEPROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.7～5.5V広範囲電源電圧
❐ 250μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 15μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ FM25W256-G.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip FM25W256-G 2 256-Kbit
Serial FRAM 256k SPIシリアルIF FRAM
3.0-5.5V電源動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 5.5V 8bits 20MHz 256kbit 32768 SPI 10^14 10年間(+85℃）
38年間(+75℃） 8 SOP系 8-SOIC MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
CYPRESS |
□ 256Kbit (32,768x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃、38年間@+75℃ データ保持
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速２線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大20MHzまでのバス動作
❐ EEPROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.7～5.5V広範囲電源電圧
❐ 250μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 15μA (typ.) 待機時電流
□ 動作環境温度 -40℃～+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ |
- |
FM25W256-G |
2 |
- |
256-Kbit
Serial FRAM |
256k SPIシリアルIF FRAM
3.0-5.5V電源動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32768 |
8bits |
SPI |
20MHz |
- |
10^14 |
10年間(+85℃）
38年間(+75℃） |
2.7V～5.5V |
-40℃～85℃ |
8 |
SOP系 |
8-SOIC |
- |
- |
- |
- |
MSt_FRAM_CYPRESS_1st_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
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