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MB85RE4M2TFN-G-ASE1 |
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FRAM MB85RE4M2TFN-G-ASE1 MB85RE4M2TFN-G-ASE1 MB85RE4M2TFN-G-ASE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能:524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み/読出し耐性:10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性:10 年 (+85°C)
●動作電源電圧:1.8V ~ 3.6V
●低消費電力:
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
●動作周囲温度:-40℃ ~ +85℃
●パッケージ:
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。 2014/01/01 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RE4M2TFN-G-ASE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RE4M2TFN-G-ASE1 3 4 Mbit(256k × 16) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 16bits 4Mbit 150nsec 256K パラレル(非同期) 10^13回/16ビット 10年(+85℃) 44 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_3rd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能:524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み/読出し耐性:10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性:10 年 (+85°C)
●動作電源電圧:1.8V ~ 3.6V
●低消費電力:
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
●動作周囲温度:-40℃ ~ +85℃
●パッケージ:
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
2014/01 |
MB85RE4M2TFN-G-ASE1 |
3 |
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4 Mbit(256k × 16) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4Mbit |
256K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^13回/16ビット |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
44 |
SOP系 |
TSOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_3rd_R |
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FRAM MB85R4M2TFN-G-ASE1 MB85R4M2TFN-G-ASE1 MB85R4M2TFN-G-ASE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能:524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み/読出し耐性:10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性 :10 年 (+85°C)
●動作電源電圧:1.8V ~ 3.6V
●低消費電力:
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
スリープ電流 20 µA (Max)
●動作周囲温度:-40℃ ~ +85℃
●パッケージ:
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。 2014/01/01 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R4M2TFN-G-ASE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R4M2TFN-G-ASE1 3 4 Mbit(256k × 16) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 16bits 4Mbit 150nsec 256K パラレル(非同期) 10^13回/16ビット 10年(+85℃) 44 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_3rd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:262,144 ワード× 16 ビット
●/LB, /UB切替え機能:524,288 ワード× 8 ビット構成可能
●書込み/読出し耐性:10^13 回 / 16ビット
●データ保持特性 :10 年 (+85°C)
●動作電源電圧:1.8V ~ 3.6V
●低消費電力:
動作電源電流 20 mA (Max)
スタンバイ電流 150 µA (Max)
スリープ電流 20 µA (Max)
●動作周囲温度:-40℃ ~ +85℃
●パッケージ:
プラスチック・TSOP, 44 ピン(FPT-44P-M34)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
2014/01 |
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3 |
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4 Mbit(256k × 16) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4Mbit |
256K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^13回/16ビット |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
44 |
SOP系 |
TSOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
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