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CY14V101NA-BA25XI |
CY14V101NA-BA25XI |
CY14V101NA-BA25XI |
nvSRAM CY14V101NA-BA25XI CY14V101NA-BA25XI CY14V101NA-BA25XI CYPRESS ■ 1Mbit (64 K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 25ns
■ 小容量コンデンサで電源断時に自動ストア可能
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持
■ 2電源低電圧 Core VCC = 3.0-3.6V、I/O VCCQ = 1.65-1.95V
■ 動作環境温度 -40℃~+85℃
■ 無鉛、RoHS 対応 48pin FBGA(6 x10 x1.2mm)パッケージ CY14V101NA-BA25XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14V101NA-BA25XI 7 1024-Kbit
(64Kb x 16)
Non-Volatile SRAM 1024k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
高速アクセスタイム(25ns)
1.8V低電圧動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.65V 1.95V 16bits 1024kbit 25nsec 65536 パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃) 48 BGA系 48-FBGA MSt_nvSRAM_CYPRESS_2nd_R |
CYPRESS |
■ 1Mbit (64 K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 25ns
■ 小容量コンデンサで電源断時に自動ストア可能
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持
■ 2電源低電圧 Core VCC = 3.0-3.6V、I/O VCCQ = 1.65-1.95V
■ 動作環境温度 -40℃~+85℃
■ 無鉛、RoHS 対応 48pin FBGA(6 x10 x1.2mm)パッケージ |
- |
CY14V101NA-BA25XI |
7 |
- |
1024-Kbit
(64Kb x 16)
Non-Volatile SRAM |
1024k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
高速アクセスタイム(25ns)
1.8V低電圧動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
1024kbit |
65536 |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
25nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃) |
1.65V~1.95V |
-40℃~85℃ |
48 |
BGA系 |
48-FBGA |
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MSt_nvSRAM_CYPRESS_2nd_R |
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CY14V101LA-BA45XI |
CY14V101LA-BA45XI |
CY14V101LA-BA45XI |
nvSRAM CY14V101LA-BA45XI CY14V101LA-BA45XI CY14V101LA-BA45XI CYPRESS ■ 1Mbit (128 K × 8) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサで電源断時に自動ストア可能
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持
■ 2電源低電圧 Core VCC = 3.0-3.6V、I/O VCCQ = 1.65-1.95V
■ 動作環境温度 -40℃~+85℃
■ 無鉛、RoHS 対応 48pin FBGA(6 x10 x1.2mm)パッケージ CY14V101LA-BA45XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14V101LA-BA45XI 7 1024-Kbit
(128Kb x 8)
Non-Volatile SRAM 1024k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
1.8V低電圧動作 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.65V 1.95V 8bits 1024kbit 45nsec 128K パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃) 48 BGA系 48-FBGA MSt_nvSRAM_CYPRESS_2nd_R |
CYPRESS |
■ 1Mbit (128 K × 8) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサで電源断時に自動ストア可能
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持
■ 2電源低電圧 Core VCC = 3.0-3.6V、I/O VCCQ = 1.65-1.95V
■ 動作環境温度 -40℃~+85℃
■ 無鉛、RoHS 対応 48pin FBGA(6 x10 x1.2mm)パッケージ |
- |
CY14V101LA-BA45XI |
7 |
- |
1024-Kbit
(128Kb x 8)
Non-Volatile SRAM |
1024k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
1.8V低電圧動作 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
1024kbit |
128K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
45nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃) |
1.65V~1.95V |
-40℃~85℃ |
48 |
BGA系 |
48-FBGA |
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MSt_nvSRAM_CYPRESS_2nd_R |
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CY14B108N-BA45XI |
CY14B108N-BA45XI |
CY14B108N-BA45XI |
nvSRAM CY14B108N-BA45XI CY14B108N-BA45XI CY14B108N-BA45XI CYPRESS ■ 8Mbit (512K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサで電源断時に自動ストア可能
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ 動作環境温度 -40℃~+85℃
■ 無鉛、RoHS 対応 44-pin TSOP-IIパッケージ CY14B108N-BA45XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14B108N-BA45XI 6 8192-Kbit
(512Kb x 16)
Non-Volatile SRAM 8192k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換、RTC内蔵 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 16bits 8192kbit 45nsec 512K パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃) 48 BGA系 48-FBGA MSt_nvSRAM_CYPRESS_2nd_R |
CYPRESS |
■ 8Mbit (512K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサで電源断時に自動ストア可能
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ 動作環境温度 -40℃~+85℃
■ 無鉛、RoHS 対応 44-pin TSOP-IIパッケージ |
- |
CY14B108N-BA45XI |
6 |
- |
8192-Kbit
(512Kb x 16)
Non-Volatile SRAM |
8192k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換、RTC内蔵 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
8192kbit |
512K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
45nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
48 |
BGA系 |
48-FBGA |
- |
- |
- |
- |
MSt_nvSRAM_CYPRESS_2nd_R |
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CY14B108N-BA25XI |
CY14B108N-BA25XI |
CY14B108N-BA25XI |
nvSRAM CY14B108N-BA25XI CY14B108N-BA25XI CY14B108N-BA25XI CYPRESS ■ 8Mbit (512K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 25ns
■ 小容量コンデンサで電源断時に自動ストア可能
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ 動作環境温度 -40℃~+85℃
■ 無鉛、RoHS 対応 44-pin TSOP-IIパッケージ CY14B108N-BA25XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14B108N-BA25XI 6 8192-Kbit
(512Kb x 16)
Non-Volatile SRAM 8192k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
高速アクセスタイム(25ns) RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 16bits 8192kbit 25nsec 512K パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃) 48 BGA系 48-FBGA MSt_nvSRAM_CYPRESS_2nd_R |
CYPRESS |
■ 8Mbit (512K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 25ns
■ 小容量コンデンサで電源断時に自動ストア可能
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ 動作環境温度 -40℃~+85℃
■ 無鉛、RoHS 対応 44-pin TSOP-IIパッケージ |
- |
CY14B108N-BA25XI |
6 |
- |
8192-Kbit
(512Kb x 16)
Non-Volatile SRAM |
8192k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
高速アクセスタイム(25ns) |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
8192kbit |
512K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
25nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
48 |
BGA系 |
48-FBGA |
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MSt_nvSRAM_CYPRESS_2nd_R |
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CY14B104NA-BA45XI |
CY14B104NA-BA45XI |
CY14B104NA-BA45XI |
nvSRAM CY14B104NA-BA45XI CY14B104NA-BA45XI CY14B104NA-BA45XI CYPRESS ■ 4Mbit (256 K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサで電源断時に自動ストア可能
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ 動作環境温度 -40℃~+85℃
■ 無鉛、RoHS 対応 54-pin TSOP-IIパッケージ CY14B104NA-BA45XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14B104NA-BA45XI 6 4096-Kbit
(256Kb x 16)
Non-Volatile SRAM 4096K 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 16bits 4096kbit 45nsec 256K パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃) 48 BGA系 48-FBGA MSt_nvSRAM_CYPRESS_2nd_R |
CYPRESS |
■ 4Mbit (256 K × 16) 不揮発性SRAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサで電源断時に自動ストア可能
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持
■ 単一 3 V +20%, –10%電源
■ 動作環境温度 -40℃~+85℃
■ 無鉛、RoHS 対応 54-pin TSOP-IIパッケージ |
- |
CY14B104NA-BA45XI |
6 |
- |
4096-Kbit
(256Kb x 16)
Non-Volatile SRAM |
4096K 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
4096kbit |
256K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
45nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
48 |
BGA系 |
48-FBGA |
- |
- |
- |
- |
MSt_nvSRAM_CYPRESS_2nd_R |
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