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CY14B101KA-ZS45XI |
CY14B101KA-ZS45XI |
CY14B101KA-ZS45XI |
nvSRAM CY14B101KA-ZS45XI CY14B101KA-ZS45XI CY14B101KA-ZS45XI CYPRESS ■ 1-Mbit (128k ×8) 不揮発 Static RAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ リアルタイムクロック(RTC)
❐ バックアップ電流:0.35 μA (Typ)
■ 単一電源 3 V +20%, –10% operation
■ 動作環境温度 -40~+85℃
■ RoHS(Pb-free, 非危険物質) 対応 44ピン thin small outline package (TSOP) Type II CY14B101KA-ZS45XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14B101KA-ZS45XI 1024-Kbit
(128Kb x 8)
Non-Volatile SRAM with RTC 1024k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換、RTC内蔵 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1024kbit 45nsec 128K パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃) 44 SOP系 44-TSOP MSt_nvSRAM_CYPRESS_3rd_R |
CYPRESS |
■ 1-Mbit (128k ×8) 不揮発 Static RAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ リアルタイムクロック(RTC)
❐ バックアップ電流:0.35 μA (Typ)
■ 単一電源 3 V +20%, –10% operation
■ 動作環境温度 -40~+85℃
■ RoHS(Pb-free, 非危険物質) 対応 44ピン thin small outline package (TSOP) Type II |
- |
CY14B101KA-ZS45XI |
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1024-Kbit
(128Kb x 8)
Non-Volatile SRAM with RTC |
1024k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換、RTC内蔵 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
1024kbit |
128K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
45nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
44 |
SOP系 |
44-TSOP |
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MSt_nvSRAM_CYPRESS_3rd_R |
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CY14B104M-ZSP45XI |
CY14B104M-ZSP45XI |
CY14B104M-ZSP45XI |
nvSRAM CY14B104M-ZSP45XI CY14B104M-ZSP45XI CY14B104M-ZSP45XI CYPRESS ■ 4-Mbit (256k x16) 不揮発 Static RAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ リアルタイムクロック(RTC)
❐ バックアップ電流:0.35 μA (Typ)
■ 単一電源 3 V +20%, –10% operation
■ 動作環境温度 -40~+85℃
■ RoHS(Pb-free, 非危険物質) 対応 54ピン thin small outline package (TSOP) Type II CY14B104M-ZSP45XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14B104M-ZSP45XI 4096-Kbit
(256Kb x 16)
Non-Volatile SRAM
with RTC 4096k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
RTC内蔵 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 16bits 4096kbit 45nsec 256K パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃) 44 SOP系 44-TSOP MSt_nvSRAM_CYPRESS_3rd_R |
CYPRESS |
■ 4-Mbit (256k x16) 不揮発 Static RAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ リアルタイムクロック(RTC)
❐ バックアップ電流:0.35 μA (Typ)
■ 単一電源 3 V +20%, –10% operation
■ 動作環境温度 -40~+85℃
■ RoHS(Pb-free, 非危険物質) 対応 54ピン thin small outline package (TSOP) Type II |
- |
CY14B104M-ZSP45XI |
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4096-Kbit
(256Kb x 16)
Non-Volatile SRAM
with RTC |
4096k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
RTC内蔵 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
4096kbit |
256K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
45nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
44 |
SOP系 |
44-TSOP |
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MSt_nvSRAM_CYPRESS_3rd_R |
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CY14B104K-ZS45XI |
CY14B104K-ZS45XI |
CY14B104K-ZS45XI |
nvSRAM CY14B104K-ZS45XI CY14B104K-ZS45XI CY14B104K-ZS45XI CYPRESS ■ 4-Mbit (512k ×8) 不揮発 Static RAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ リアルタイムクロック(RTC)
❐ バックアップ電流:0.35 μA (Typ)
■ 単一電源 3 V +20%, –10% operation
■ 動作環境温度 -40~+85℃
■ RoHS(Pb-free, 非危険物質) 対応 44ピン thin small outline package (TSOP) Type II CY14B104K-ZS45XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14B104K-ZS45XI 4096-Kbit
(512Kb x 8)
Non-Volatile SRAM
with RTC 4096k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
RTC内蔵 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 4096kbit 45nsec 512K パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃) 44 SOP系 44-TSOP MSt_nvSRAM_CYPRESS_3rd_R |
CYPRESS |
■ 4-Mbit (512k ×8) 不揮発 Static RAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ リアルタイムクロック(RTC)
❐ バックアップ電流:0.35 μA (Typ)
■ 単一電源 3 V +20%, –10% operation
■ 動作環境温度 -40~+85℃
■ RoHS(Pb-free, 非危険物質) 対応 44ピン thin small outline package (TSOP) Type II |
- |
CY14B104K-ZS45XI |
- |
- |
4096-Kbit
(512Kb x 8)
Non-Volatile SRAM
with RTC |
4096k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換
RTC内蔵 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
4096kbit |
512K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
45nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
44 |
SOP系 |
44-TSOP |
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MSt_nvSRAM_CYPRESS_3rd_R |
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CY14B108K-ZS45XI |
CY14B108K-ZS45XI |
CY14B108K-ZS45XI |
nvSRAM CY14B108K-ZS45XI CY14B108K-ZS45XI CY14B108K-ZS45XI CYPRESS ■ 8-Mbit (1024k ×8) 不揮発 Static RAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ リアルタイムクロック(RTC)
❐ バックアップ電流:0.35 μA (Typ)
■ 単一電源 3 V +20%, –10% operation
■ 動作環境温度 -40~+85℃
■ RoHS(Pb-free, 非危険物質) 対応 44ピン thin small outline package (TSOP) Type II CY14B108K-ZS45XI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY14B108K-ZS45XI 8192-Kbit
(1Mb x 8)
Non-Volatile SRAM
with RTC 8192k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換、RTC内蔵 RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 8192kbit 45nsec 128K パラレル(非同期) 1,000千回
不揮発領域への書込限度 20年間(+85℃) 44 SOP系 44-TSOP MSt_nvSRAM_CYPRESS_3rd_R |
CYPRESS |
■ 8-Mbit (1024k ×8) 不揮発 Static RAM(nvSRAM)
■ 高速アクセススピード: 45ns
■ 小容量コンデンサのみで、電源断時に自動ストア
■ ソフトウェア、ピン制御、電源断の自動ストアによって、QuantumTrapの不揮発性エレメントへのデータを退避
■ ソフトウェア、もしくは電源回復でSRAM領域にリコール
■ 無制限なリード、ライト、リコール回数
■ 100万回までのQuantumTrapへのストア回数
■ 20年データ保持保証
■ リアルタイムクロック(RTC)
❐ バックアップ電流:0.35 μA (Typ)
■ 単一電源 3 V +20%, –10% operation
■ 動作環境温度 -40~+85℃
■ RoHS(Pb-free, 非危険物質) 対応 44ピン thin small outline package (TSOP) Type II |
- |
CY14B108K-ZS45XI |
- |
- |
8192-Kbit
(1Mb x 8)
Non-Volatile SRAM
with RTC |
8192k 非同期式 不揮発性SRAM
汎用SRAM機能互換、RTC内蔵 |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
8192kbit |
128K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
45nsec |
1,000千回
不揮発領域への書込限度 |
20年間(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
44 |
SOP系 |
44-TSOP |
- |
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MSt_nvSRAM_CYPRESS_3rd_R |
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