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MB85R256FPNF-G-JNE2 |
MB85R256FPNF-G-JNE2 |
MB85R256FPNF-G-JNE2 |
FRAM MB85R256FPNF-G-JNE2 MB85R256FPNF-G-JNE2 MB85R256FPNF-G-JNE2 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:
10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:2.7V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流5mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチック・SOP,28ピン(FPT-28P-M01)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R256FPNF-G-JNE2.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R256FPNF-G-JNE2 2 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 256kbit 150nsec 32K パラレル(非同期) 10^12回/バイト 10年(+85℃) 28 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:
10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:2.7V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流5mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチック・SOP,28ピン(FPT-28P-M01)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R256FPNF-G-JNE2 |
2 |
- |
256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
28 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
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MB85R256FPNF-G-JNERE2 |
MB85R256FPNF-G-JNERE2 |
MB85R256FPNF-G-JNERE2 |
FRAM MB85R256FPNF-G-JNERE2 MB85R256FPNF-G-JNERE2 MB85R256FPNF-G-JNERE2 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:
10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:2.7V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流5mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチック・SOP,28ピン(FPT-28P-M01)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R256FPNF-G-JNERE2.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R256FPNF-G-JNERE2 2 256 kbit(32k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 256kbit 150nsec 32K パラレル(非同期) 10^12回/バイト 10年(+85℃) 28 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:32,768ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:
10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:2.7V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流5mA(標準)
スタンバイ電流5μA(標準)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチック・SOP,28ピン(FPT-28P-M01)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R256FPNF-G-JNERE2 |
2 |
- |
256 kbit(32k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
256kbit |
32K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
28 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
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MB85R1001ANC-GE1 |
MB85R1001ANC-GE1 |
MB85R1001ANC-GE1 |
FRAM MB85R1001ANC-GE1 MB85R1001ANC-GE1 MB85R1001ANC-GE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:131,072ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性:10^10回/バイト
●データ保持特性:10年(+55°C),55年(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10mA(標準)
スタンバイ電流10μA(標準)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチック・TSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R1001ANC-GE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R1001ANC-GE1 4 1 Mbit(128k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 3.6V 8bits 1Mbit 150nsec 128K パラレル(非同期) 10^10回/バイト 10年(+55℃) 48 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:131,072ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性:10^10回/バイト
●データ保持特性:10年(+55°C),55年(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10mA(標準)
スタンバイ電流10μA(標準)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチック・TSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R1001ANC-GE1 |
4 |
- |
1 Mbit(128k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
128K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^10回/バイト |
10年(+55℃) |
3V~3.6V |
-40℃~85℃ |
48 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85R1002ANC-GE1 |
MB85R1002ANC-GE1 |
MB85R1002ANC-GE1 |
FRAM MB85R1002ANC-GE1 MB85R1002ANC-GE1 MB85R1002ANC-GE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:65,536ワード×16ビット
●LB,UB切換え機能
●書込み/読出し耐性:10^10回/バイト
●データ保持特性:10年(+55°C),55年(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10mA(Typ)
スタンバイ電流10μA(Typ)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R1002ANC-GE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R1002ANC-GE1 3 1 Mbit(64k × 16) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 3.6V 16bits 1Mbit 150nsec 64K パラレル(非同期) 10^10回/バイト 10年(+55℃) 48 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:65,536ワード×16ビット
●LB,UB切換え機能
●書込み/読出し耐性:10^10回/バイト
●データ保持特性:10年(+55°C),55年(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10mA(Typ)
スタンバイ電流10μA(Typ)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R1002ANC-GE1 |
3 |
- |
1 Mbit(64k × 16) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
64K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^10回/バイト |
10年(+55℃) |
3V~3.6V |
-40℃~85℃ |
48 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
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MB85R4001ANC-GE1 |
MB85R4001ANC-GE1 |
MB85R4001ANC-GE1 |
FRAM MB85R4001ANC-GE1 MB85R4001ANC-GE1 MB85R4001ANC-GE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:524,288ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性:10^10回/バイト
●データ保持特性:10年(+55°C),55年(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流15mA(標準)
スタンバイ電流50μA(標準)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R4001ANC-GE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R4001ANC-GE1 4 4 Mbit(512k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 3.6V 8bits 4Mbit 150nsec 512K パラレル(非同期) 10^10回/バイト 10年(+55℃) 48 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:524,288ワード×8ビット
●書込み/読出し耐性:10^10回/バイト
●データ保持特性:10年(+55°C),55年(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流15mA(標準)
スタンバイ電流50μA(標準)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R4001ANC-GE1 |
4 |
- |
4 Mbit(512k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4Mbit |
512K |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^10回/バイト |
10年(+55℃) |
3V~3.6V |
-40℃~85℃ |
48 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
MB85R4002ANC-GE1 |
MB85R4002ANC-GE1 |
MB85R4002ANC-GE1 |
FRAM MB85R4002ANC-GE1 MB85R4002ANC-GE1 MB85R4002ANC-GE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:262,144ワード×16ビット
●LB,UB切換え機能
●書込み/読出し耐性:10^10回/バイト
●データ保持特性:10年(+55°C),55年(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流15mA(標準)
スタンバイ電流50μA(標準)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85R4002ANC-GE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85R4002ANC-GE1 3 4 Mbit(256k × 16) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 3.6V 16bits 4Mbit 150nsec 256K パラレル(非同期) 10^10回/バイト 10年(+55℃) 48 SOP系 TSOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:262,144ワード×16ビット
●LB,UB切換え機能
●書込み/読出し耐性:10^10回/バイト
●データ保持特性:10年(+55°C),55年(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流15mA(標準)
スタンバイ電流50μA(標準)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックTSOP,48ピン(FPT-48P-M48)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85R4002ANC-GE1 |
3 |
- |
4 Mbit(256k × 16) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4Mbit |
256K |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
150nsec |
10^10回/バイト |
10年(+55℃) |
3V~3.6V |
-40℃~85℃ |
48 |
SOP系 |
TSOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
|
|
MB85RC04VPNF-G-JNE1 |
MB85RC04VPNF-G-JNE1 |
MB85RC04VPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC04VPNF-G-JNE1 MB85RC04VPNF-G-JNE1 MB85RC04VPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:512ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC04VPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC04VPNF-G-JNE1 4 4 kbit(512 × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 1MHz 4kbit 512 I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:512ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC04VPNF-G-JNE1 |
4 |
- |
4 kbit(512 × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4kbit |
512 |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
3V~5.5V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
- |
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|
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 |
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 |
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC04VPNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 MB85RC04VPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:512ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC04VPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC04VPNF-G-JNERE1 4 4 kbit(512 × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 1MHz 4kbit 512 I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:512ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
4 kbit(512 × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
4kbit |
512 |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
3V~5.5V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RC16PN-G-AMERE1 |
MB85RC16PN-G-AMERE1 |
MB85RC16PN-G-AMERE1 |
FRAM MB85RC16PN-G-AMERE1 MB85RC16PN-G-AMERE1 MB85RC16PN-G-AMERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:2.7V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSON,8ピン(LCC-8P-M04)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC16PN-G-AMERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC16PN-G-AMERE1 4 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 16kbit 2K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SON MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:2.7V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSON,8ピン(LCC-8P-M04)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC16PN-G-AMERE1 |
4 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SON |
- |
- |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RC16PNF-G-JNE1 |
MB85RC16PNF-G-JNE1 |
MB85RC16PNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC16PNF-G-JNE1 MB85RC16PNF-G-JNE1 MB85RC16PNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:2.7V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC16PNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC16PNF-G-JNE1 4 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 16kbit 2K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:2.7V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC16PNF-G-JNE1 |
4 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RC16PNF-G-JNERE1 |
MB85RC16PNF-G-JNERE1 |
MB85RC16PNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 MB85RC16PNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:2.7V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC16PNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC16PNF-G-JNERE1 4 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.7V 3.6V 8bits 1MHz 16kbit 2K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:2.7V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流70μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流0.1μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC16PNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
2.7V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 |
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 |
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 |
FRAM MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電源電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC16VPNF-G-JNN1E1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 4 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 1MHz 16kbit 2K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電源電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 |
4 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
I2C |
1MHz |
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10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
3V~5.5V |
-40℃~85℃ |
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SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 |
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 |
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 |
FRAM MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電源電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 4 16 kbit(2k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 1MHz 16kbit 2K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:2,048ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電源電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC16VPNF-G-JNN1ERE1 |
4 |
- |
16 kbit(2k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
16kbit |
2K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
3V~5.5V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RC64VPNF-G-JNE1 |
MB85RC64VPNF-G-JNE1 |
MB85RC64VPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RC64VPNF-G-JNE1 MB85RC64VPNF-G-JNE1 MB85RC64VPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:8,192ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC64VPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC64VPNF-G-JNE1 4 64 kbit(8k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 1MHz 64kbit 8K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:8,192ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC64VPNF-G-JNE1 |
4 |
- |
64 kbit(8k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
3V~5.5V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
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MB85RC64VPNF-G-JNERE1 |
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 |
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RC64VPNF-G-JNERE1 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 MB85RC64VPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:8,192ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RC64VPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RC64VPNF-G-JNERE1 4 64 kbit(8k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 1MHz 64kbit 8K I2C 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:8,192ワード×8ビット
●2線式シリアルインタフェース:
シリアルクロック(SCL)とシリアルデータ(SDA)の2ポートですべての制御が可能
●動作周波数:1MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電流90μA(Typ@1MHz)
スタンバイ電流5μA(Typ)
●動作温度範囲:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RC64VPNF-G-JNERE1 |
4 |
- |
64 kbit(8k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8K |
8bits |
I2C |
1MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
3V~5.5V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
- |
- |
※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RS64VPNF-G-JNE1 |
MB85RS64VPNF-G-JNE1 |
MB85RS64VPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RS64VPNF-G-JNE1 MB85RS64VPNF-G-JNE1 MB85RS64VPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:8,192ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:20MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電源電流1.5mA(Typ@20MHz)
スタンバイ電流10μA(Typ)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチック・SOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS64VPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS64VPNF-G-JNE1 2 64 kbit(8k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 20MHz 64kbit 8K SPI 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:8,192ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:20MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電源電流1.5mA(Typ@20MHz)
スタンバイ電流10μA(Typ)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチック・SOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RS64VPNF-G-JNE1 |
2 |
- |
64 kbit(8k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8K |
8bits |
SPI |
20MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
3V~5.5V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RS64VPNF-G-JNERE1 |
MB85RS64VPNF-G-JNERE1 |
MB85RS64VPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 MB85RS64VPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:8,192ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:20MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電源電流1.5mA(Typ@20MHz)
スタンバイ電流10μA(Typ)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチック・SOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS64VPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS64VPNF-G-JNERE1 2 64 kbit(8k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 3V 5.5V 8bits 20MHz 64kbit 8K SPI 10^12回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:8,192ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:20MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^12回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C),95年(+55°C),200年以上(+35°C)
●動作電源電圧:3.0V~5.5V
●低消費電力:
動作電源電流1.5mA(Typ@20MHz)
スタンバイ電流10μA(Typ)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチック・SOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RS64VPNF-G-JNERE1 |
2 |
- |
64 kbit(8k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
64kbit |
8K |
8bits |
SPI |
20MHz |
- |
10^12回/バイト |
10年(+85℃) |
3V~5.5V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
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MB85RS1MTPNF-G-JNE1 |
MB85RS1MTPNF-G-JNE1 |
MB85RS1MTPNF-G-JNE1 |
FRAM MB85RS1MTPNF-G-JNE1 MB85RS1MTPNF-G-JNE1 MB85RS1MTPNF-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:131,072ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
1.8V~2.7V,25MHz(Max)
2.7V~3.6V,30MHz(Max)
ただし,FSTRDコマンドは2.7V~3.6V,40MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^13回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C)
●動作電源電圧:1.8V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流9.5mA(Max@30MHz)
スタンバイ電流120μA(Max)
スリープ電流10μA(Max)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS1MTPNF-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS1MTPNF-G-JNE1 2 1 Mbit(128k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 30MHz 1Mbit 128K SPI 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:131,072ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
1.8V~2.7V,25MHz(Max)
2.7V~3.6V,30MHz(Max)
ただし,FSTRDコマンドは2.7V~3.6V,40MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^13回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C)
●動作電源電圧:1.8V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流9.5mA(Max@30MHz)
スタンバイ電流120μA(Max)
スリープ電流10μA(Max)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RS1MTPNF-G-JNE1 |
2 |
- |
1 Mbit(128k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
128K |
8bits |
SPI |
30MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 |
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 |
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 |
FRAM MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:131,072ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
1.8V~2.7V,25MHz(Max)
2.7V~3.6V,30MHz(Max)
ただし,FSTRDコマンドは2.7V~3.6V,40MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^13回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C)
●動作電源電圧:1.8V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流9.5mA(Max@30MHz)
スタンバイ電流120μA(Max)
スリープ電流10μA(Max)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS1MTPNF-G-JNERE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 2 1 Mbit(128k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 30MHz 1Mbit 128K SPI 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:131,072ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
1.8V~2.7V,25MHz(Max)
2.7V~3.6V,30MHz(Max)
ただし,FSTRDコマンドは2.7V~3.6V,40MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^13回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C)
●動作電源電圧:1.8V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流9.5mA(Max@30MHz)
スタンバイ電流120μA(Max)
スリープ電流10μA(Max)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1 |
2 |
- |
1 Mbit(128k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
1Mbit |
128K |
8bits |
SPI |
30MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
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MB85RS2MTPF-G-JNE2 |
MB85RS2MTPF-G-JNE2 |
MB85RS2MTPF-G-JNE2 |
FRAM MB85RS2MTPF-G-JNE2 MB85RS2MTPF-G-JNE2 MB85RS2MTPF-G-JNE2 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:262,144ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
25MHz(Max)
ただし,FSTRDコマンドは2.7V~3.6V,40MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^13回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C)
●動作電源電圧:1.8V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10.6mA(Max@25MHz)
スタンバイ電流150μA(Max)
スリープ電流10μA(Max)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M08)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS2MTPF-G-JNE2.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS2MTPF-G-JNE2 2 2 Mbit(256k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 25MHz 2Mbit 256K SPI 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:262,144ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
25MHz(Max)
ただし,FSTRDコマンドは2.7V~3.6V,40MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^13回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C)
●動作電源電圧:1.8V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10.6mA(Max@25MHz)
スタンバイ電流150μA(Max)
スリープ電流10μA(Max)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M08)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RS2MTPF-G-JNE2 |
2 |
- |
2 Mbit(256k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
2Mbit |
256K |
8bits |
SPI |
25MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
- |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
- |
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MB85RS2MTPF-G-JNERE2 |
MB85RS2MTPF-G-JNERE2 |
MB85RS2MTPF-G-JNERE2 |
FRAM MB85RS2MTPF-G-JNERE2 MB85RS2MTPF-G-JNERE2 MB85RS2MTPF-G-JNERE2 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:262,144ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
25MHz(Max)
ただし,FSTRDコマンドは2.7V~3.6V,40MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^13回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C)
●動作電源電圧:1.8V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10.6mA(Max@25MHz)
スタンバイ電流150μA(Max)
スリープ電流10μA(Max)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M08)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS2MTPF-G-JNERE2.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS2MTPF-G-JNERE2 2 2 Mbit(256k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 25MHz 2Mbit 256K SPI 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 SOP系 SOP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:262,144ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
25MHz(Max)
ただし,FSTRDコマンドは2.7V~3.6V,40MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^13回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C)
●動作電源電圧:1.8V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10.6mA(Max@25MHz)
スタンバイ電流150μA(Max)
スリープ電流10μA(Max)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックSOP,8ピン(FPT-8P-M08)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RS2MTPF-G-JNERE2 |
2 |
- |
2 Mbit(256k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
2Mbit |
256K |
8bits |
SPI |
25MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
SOP系 |
SOP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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MB85RS2MTPH-G-JNE1 |
MB85RS2MTPH-G-JNE1 |
MB85RS2MTPH-G-JNE1 |
FRAM MB85RS2MTPH-G-JNE1 MB85RS2MTPH-G-JNE1 MB85RS2MTPH-G-JNE1 FUJITSU SEMICONDUCTOR ●ビット構成:262,144ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
25MHz(Max)
ただし,FSTRDコマンドは2.7V~3.6V,40MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^13回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C)
●動作電源電圧:1.8V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10.6mA(Max@25MHz)
スタンバイ電流150μA(Max)
スリープ電流10μA(Max)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックDIP,8ピン(DIP-8P-M03)
本製品はRoHS指令に適合しています。 ※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) MB85RS2MTPH-G-JNE1.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip MB85RS2MTPH-G-JNE1 2 2 Mbit(256k × 8) FRAM 高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ RoHS 鉛フリー 詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 1.8V 3.6V 8bits 25MHz 2Mbit 256K SPI 10^13回/バイト 10年(+85℃) 8 DIP系 DIP MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
FUJITSU SEMICONDUCTOR |
●ビット構成:262,144ワード×8ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
25MHz(Max)
ただし,FSTRDコマンドは2.7V~3.6V,40MHz(Max)
●書込み/読出し耐性:10^13回/バイト
●データ保持特性:10年(+85°C)
●動作電源電圧:1.8V~3.6V
●低消費電力:
動作電源電流10.6mA(Max@25MHz)
スタンバイ電流150μA(Max)
スリープ電流10μA(Max)
●動作周囲温度:-40°C~+85°C
●パッケージ:
プラスチックDIP,8ピン(DIP-8P-M03)
本製品はRoHS指令に適合しています。 |
- |
MB85RS2MTPH-G-JNE1 |
2 |
- |
2 Mbit(256k × 8) FRAM |
高速書込み、多書換え回数、低消費電力を特徴とするランダムアクセス可能な不揮発性メモリ |
RoHS,鉛フリー |
詳細につきましてはデータシートをご参照ください。 |
産業機器全般 |
2Mbit |
256K |
8bits |
SPI |
25MHz |
- |
10^13回/バイト |
10年(+85℃) |
1.8V~3.6V |
-40℃~85℃ |
8 |
DIP系 |
DIP |
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※データシートの最新版は、メーカーWebサイトをご参照下さい。
(外部サイトリンクからメーカーWebサイトにアクセスできます。) |
MSt_FRAM_FUJITSU_2nd_R |
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