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CY62158EV30LL-45BVXI |
CY62158EV30LL-45BVXI |
CY62158EV30LL-45BVXI |
SRAM CY62158EV30LL-45BVXI CY62158EV30LL-45BVXI CY62158EV30LL-45BVXI CYPRESS ■ 8-Mbit (1M x8) Static RAM
■ 低消費CMOSテクノロジ
■ 高速アクセス スピード:45ns
■ 広範低電圧動作:2.2V~3.6V
■ 低スタンバイ電流:2μA(typ)、8μA(max)
■ 低消費電流:1.8mA(typ) f=1MHz
■ CY62158DV30とピン互換
■ CE1、CE2、OEを使って、大容量拡張可能
■ 非アクセス時、自動パワーダウン
■ 使用環境温度:-40℃~+85℃
■ 鉛フリー 48ball 6x8mm BGA パッケージ CY62158EV30LL-45BVXI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY62158EV30LL-45BVXI 3 8192-Kbit
(1M x 8)
Ultra Low Power Static RAM 高速アクセスタイム(45ns)、
2.5-3.3V動作、Dual CS
CSパワーダウン機能内蔵
48balls 6x8mm Very Fine pitch BGA RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.2V 3.6V 8bits 8192kbit 45nsec 1M パラレル(非同期) 48 BGA系 48balls 6x8mm Very Fine pitch BGA MSt_SRAM_CYPRESS_4th_R |
CYPRESS |
■ 8-Mbit (1M x8) Static RAM
■ 低消費CMOSテクノロジ
■ 高速アクセス スピード:45ns
■ 広範低電圧動作:2.2V~3.6V
■ 低スタンバイ電流:2μA(typ)、8μA(max)
■ 低消費電流:1.8mA(typ) f=1MHz
■ CY62158DV30とピン互換
■ CE1、CE2、OEを使って、大容量拡張可能
■ 非アクセス時、自動パワーダウン
■ 使用環境温度:-40℃~+85℃
■ 鉛フリー 48ball 6x8mm BGA パッケージ |
- |
CY62158EV30LL-45BVXI |
3 |
- |
8192-Kbit
(1M x 8)
Ultra Low Power Static RAM |
高速アクセスタイム(45ns)、
2.5-3.3V動作、Dual CS
CSパワーダウン機能内蔵
48balls 6x8mm Very Fine pitch BGA |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
8192kbit |
1M |
8bits |
パラレル(非同期) |
- |
45nsec |
2.2V~3.6V |
-40℃~85℃ |
48 |
BGA系 |
48balls 6x8mm Very Fine pitch BGA |
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MSt_SRAM_CYPRESS_4th_R |
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CY62157EV30LL-45BVXI |
CY62157EV30LL-45BVXI |
CY62157EV30LL-45BVXI |
SRAM CY62157EV30LL-45BVXI CY62157EV30LL-45BVXI CY62157EV30LL-45BVXI CYPRESS ■ 8-Mbit(512K ×16)static RAM (SRAM)
■ 低消費CMOSテクノロジ
■ 高速アクセス スピード:45ns
■ 広範低電圧動作:2.2V~3.6V
■ 低スタンバイ電流:2μA(typ)、8μA (max)
■ 低消費電流:1.8mA(typ) f=1MHz
■ CY62157DV30とピン互換
■ CE1、CE2、OEを使って、大容量拡張可能
■ 非アクセス時、自動パワーダウン
■ 使用環境温度:–40℃~+85℃
■ 鉛フリー 48ball 6x8mm BGA パッケージ CY62157EV30LL-45BVXI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY62157EV30LL-45BVXI 3 8192-Kbit
(512K x 16)
Ultra Low Power Static RAM 高速アクセスタイム(45ns)、
2.5-3.3V動作、Dual CS
CS、Byteパワーダウン機能内蔵
48balls 6x8mm Very Fine pitch BGA RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.2V 3.6V 16bits 8192kbit 45nsec 512K パラレル(非同期) 48 BGA系 48balls 6x8mm Very Fine pitch BGA MSt_SRAM_CYPRESS_4th_R |
CYPRESS |
■ 8-Mbit(512K ×16)static RAM (SRAM)
■ 低消費CMOSテクノロジ
■ 高速アクセス スピード:45ns
■ 広範低電圧動作:2.2V~3.6V
■ 低スタンバイ電流:2μA(typ)、8μA (max)
■ 低消費電流:1.8mA(typ) f=1MHz
■ CY62157DV30とピン互換
■ CE1、CE2、OEを使って、大容量拡張可能
■ 非アクセス時、自動パワーダウン
■ 使用環境温度:–40℃~+85℃
■ 鉛フリー 48ball 6x8mm BGA パッケージ |
- |
CY62157EV30LL-45BVXI |
3 |
- |
8192-Kbit
(512K x 16)
Ultra Low Power Static RAM |
高速アクセスタイム(45ns)、
2.5-3.3V動作、Dual CS
CS、Byteパワーダウン機能内蔵
48balls 6x8mm Very Fine pitch BGA |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
8192kbit |
512K |
16bits |
パラレル(非同期) |
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45nsec |
2.2V~3.6V |
-40℃~85℃ |
48 |
BGA系 |
48balls 6x8mm Very Fine pitch BGA |
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MSt_SRAM_CYPRESS_4th_R |
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CY62177EV30LL-55BAXI |
CY62177EV30LL-55BAXI |
CY62177EV30LL-55BAXI |
SRAM CY62177EV30LL-55BAXI CY62177EV30LL-55BAXI CY62177EV30LL-55BAXI CYPRESS ■ 32-Mbit (2M ×16) Static RAM
■ 低消費CMOSテクノロジ
■ 高速アクセス スピード:55ns
■ 広範低電圧動作:2.2V~3.7V
■ 低スタンバイ電流:3μA(typ)、25μA(max)
■ 低消費電流:4.5mA(typ) f=1MHz
■ CE1、CE2、OEを使って、大容量拡張可能
■ 非アクセス時、自動パワーダウン
■ 使用環境温度:-40℃~+85℃
■ 鉛フリー 48ball 8x9.5mm BGA パッケージ CY62177EV30LL-55BAXI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY62177EV30LL-55BAXI 3 32768-Kbit
(2M x 16)
Ultra Low Power Static RAM 高速アクセスタイム(55ns)、
2.5-3.3V動作、Dual CS
CS、Byteパワーダウン機能内蔵
48balls 8X9.5mm Fine-pitch BGA RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.2V 3.7V 16bits 32768kbit 55nsec 2M パラレル(非同期) 48 BGA系 48balls 8X9.5mm Fine-pitch BGA MSt_SRAM_CYPRESS_4th_R |
CYPRESS |
■ 32-Mbit (2M ×16) Static RAM
■ 低消費CMOSテクノロジ
■ 高速アクセス スピード:55ns
■ 広範低電圧動作:2.2V~3.7V
■ 低スタンバイ電流:3μA(typ)、25μA(max)
■ 低消費電流:4.5mA(typ) f=1MHz
■ CE1、CE2、OEを使って、大容量拡張可能
■ 非アクセス時、自動パワーダウン
■ 使用環境温度:-40℃~+85℃
■ 鉛フリー 48ball 8x9.5mm BGA パッケージ |
- |
CY62177EV30LL-55BAXI |
3 |
- |
32768-Kbit
(2M x 16)
Ultra Low Power Static RAM |
高速アクセスタイム(55ns)、
2.5-3.3V動作、Dual CS
CS、Byteパワーダウン機能内蔵
48balls 8X9.5mm Fine-pitch BGA |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
32768kbit |
2M |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
55nsec |
2.2V~3.7V |
-40℃~85℃ |
48 |
BGA系 |
48balls 8X9.5mm Fine-pitch BGA |
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CY62187EV30LL-55BAXI |
CY62187EV30LL-55BAXI |
CY62187EV30LL-55BAXI |
SRAM CY62187EV30LL-55BAXI CY62187EV30LL-55BAXI CY62187EV30LL-55BAXI CYPRESS ■ 64-Mbit (4M ×16) Static RAM
■ 低消費CMOSテクノロジ
■ 高速アクセス スピード:55ns
■ 広範低電圧動作:2.2V~3.7V
■ 低スタンバイ電流:8μA(typ)、48μA(max)
■ 低消費電流:7.5mA(typ) f=1MHz
■ CE1、CE2、OEを使って、大容量拡張可能
■ 非アクセス時、自動パワーダウン
■ 使用環境温度:-40℃~+85℃
■ 鉛フリー 48ball 8x9.5mm BGA パッケージ CY62187EV30LL-55BAXI.png circuit_data.zip parts_list.xls cadpart.zip CY62187EV30LL-55BAXI 3 65536-Kbit
(4M x 16)
Ultra Low Power Static RAM 高速アクセスタイム(55ns)、
2.5-3.3V動作、Dual CS
CS、Byteパワーダウン機能内蔵
48balls 8X9.5mm Fine-pitch BGA RoHS 鉛フリー 医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 産業機器全般 -40℃ 85℃ 2.2V 3.7V 16bits 65536kbit 55nsec 4M パラレル(非同期) 48 BGA系 48balls 8X9.5mm Fine-pitch BGA MSt_SRAM_CYPRESS_4th_R |
CYPRESS |
■ 64-Mbit (4M ×16) Static RAM
■ 低消費CMOSテクノロジ
■ 高速アクセス スピード:55ns
■ 広範低電圧動作:2.2V~3.7V
■ 低スタンバイ電流:8μA(typ)、48μA(max)
■ 低消費電流:7.5mA(typ) f=1MHz
■ CE1、CE2、OEを使って、大容量拡張可能
■ 非アクセス時、自動パワーダウン
■ 使用環境温度:-40℃~+85℃
■ 鉛フリー 48ball 8x9.5mm BGA パッケージ |
- |
CY62187EV30LL-55BAXI |
3 |
- |
65536-Kbit
(4M x 16)
Ultra Low Power Static RAM |
高速アクセスタイム(55ns)、
2.5-3.3V動作、Dual CS
CS、Byteパワーダウン機能内蔵
48balls 8X9.5mm Fine-pitch BGA |
RoHS,鉛フリー |
医療機器など、高い信頼性が求められる用途では事前に相談のこと。 |
産業機器全般 |
65536kbit |
4M |
16bits |
パラレル(非同期) |
- |
55nsec |
2.2V~3.7V |
-40℃~85℃ |
48 |
BGA系 |
48balls 8X9.5mm Fine-pitch BGA |
- |
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MSt_SRAM_CYPRESS_4th_R |
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