モジュール詳細

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メモリ
MB85RS512TPNF-G-JNE1お気に入りリストに追加

メーカー
FUJITSU SEMICONDUCTOR
主要部品型名
MB85RS512TPNF-G-JNE1

モジュール仕様・特長

●ビット構成:65,536 ワード×8 ビット
●シリアルペリフェラルインタフェース:
SPI (Serial Peripheral Interface)
SPI モード0 (0, 0) とモード3 (1, 1) に対応
●動作周波数:
1.8 V ~ 2.7 V, 25 MHz (Max)
2.7 V ~ 3.6 V, 30 MHz (Max)
ただし, FSTRD コマンドは2.7 V ~ 3.6 V, 40 MHz (Max)
●書込み/ 読出し耐性:10^13 回/ バイト
●データ保持特性:10 年( + 85 °C)
●動作電源電圧:1.8 V ~ 3.6 V
●低消費電力:
動作電源電流10 mA (Max@30 MHz)
スタンバイ電流120 μA (Max)
スリープ電流 10 μA (Max)
●動作周囲温度:- 40 °C ~+ 85 °C
●パッケージ:
プラスチックSOP, 8 ピン(FPT-8P-M02)
本製品はRoHS 指令に適合しています。

部品リスト

記号メーカー名型式数量部品イメージWxDxH [mm]
IC1FUJITSU SEMICONDUCTORMB85RS512TPNF-G-JNE11 IC1 5.05x6.00x1.55
C1-0.1uF1 C1 -

回路図

基板図

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