●BiCD プロセスによるモノリシックIC
●DDR-2（1.8V）、DDR-3（1.5V）用電源に対応
●入力電圧；VDD、PVDD-1：2.7V～5.5V
PVDD-2：1.1V～5.5V
●出力電圧、最大出力電流（標準）
DCDC（VDDQ 用）（1.2V～3.3V）：4.0A
LDO （VTT ターミネーション用）
（0.75V@(PVDD-2)=1.5V、0.9V@(PVDD-2)=1.8V）
：-1.5A～1.5A
REG （リファレンス用）（DCDC 出力電圧×0.5）
：-10mA～10mA
●同期整流PWM ドライブ
（1A 負荷時、効率92%、0.5A 負荷時、効率93%：
VDD=5.0V、VDDQ=1.5V）
●軽負荷対策（5mA 負荷時、効率60%：
VDD=5.0V、VDDQ=1.5V)
●発振回路内蔵（500kHz、1.0MHz：外部端子で選択）
●外付けキャパシターによるソフトスタート時間設定が可能
●S0, S3, S4, S5 機能サポート
●シーケンスコントロールロジック内蔵
●過電流検出(OCL)回路内蔵
(DCDC は外付け抵抗で検出値の設定が可能)
●低入力電圧検出(UVLO)回路内蔵
●出力電圧監視機能（OVP/LVP）内蔵
●出力端子短絡監視機能（SCP）内蔵
●過熱保護(TSD)回路内蔵