モジュール詳細
メモリ
FM25V10-G
メモリ
メーカー
主要部品型名
モジュール仕様・特長
□ 1Mbit (131,072x8bits) 強誘電体 不揮発性RAM
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速2線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0~3.6V電源電圧
❐ 300μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃~+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ
□ 高信頼 強誘電体プロセス
❐ 10^14 回 高耐久性 Read/Write サイクル
❐ 10年間@+85℃
❐ 8クロック直後に書き込まれるNoDelay™ Write機能
□ 高速2線式 SPI Mode 0、3 シリアル・インターフェース
❐ 最大40MHzまでのバス動作
❐ シリアルFlash ROMからの置き換え可能
□ハードウェア、ソフトウェア両方によるライト・プロテクション
□ デバイスID内蔵
□低消費電力
❐ 2.0~3.6V電源電圧
❐ 300μA (max.) 動作電流 (1MHz時)
❐ 90μA (typ.) 待機時電流、5μA (typ.) スリープ時電流
□ 動作環境温度 -40℃~+85℃
□ 8pin RoHS SOICパッケージ